Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

1.1 - rasm. Galliy arsenidi plastinkasida va 
𝐧
+
− 𝐧 tuzilmada 
tayyorlangan planar va diskret meza diodlarning kristallari:
I. Meza diodlar; II. Planar diodlar; a. n-GaAs; b. 
n
+
− n – GaAs. 

---

13 
1.2. Epitaksial geterostrukturalarning xossasi va qo’llanilishi 
Grekcha epi (-ga) va taxis (-tartib) so’zlaridan hosil bo’lgan epitaksiya 
so’zi orqasida yupqa monokristal taglikda tartibli strukturali yupqa qatlamlarni 
boshqaruvli o’stirish tushuniladi. Albatta epitaksial qatlamlar kristal strukturasi 
taglik strukturasini hosil qiladi. Epitaksial qatlam va taglik tarkibi farq qilishi 
mumkin, biroq epitaksial o’sishning zaruriy sharti panjara doimiysi qiymatining 
yaqinligidir.  
Epitaksial strukturalar quyidagi xossalari bilan farqlanadi: 
1. Strukturaviy tuzilishi darajasi, nuqsonlarning va kirishmalarning yo’qligi 
bo’yicha epitaksial qatlamlar (jumladan, taglik materiali ham) hajmiy 
materiallardan ancha afzaldir. 
2. O’stirilayotgan qatlamlar kimyoviy tarkibi boshqarila oladigan tarzda 
o’zgarishi mumkin (pog’onali kabi, ham tekis). Bu esa oldindan berilgan xossali 
materiallar olish imkonini beradi. Texnologiya yana o’sish jarayonida 
to’g’ridan-to’g’ri boshqariluvchan legirlash imkonini beradi. 
3. Epitaksiya turli tarkibli navbatma-navbat o’stirish imkonini beradi, 
bunda atom-keskin chegaralar mavjudligidan qatlamlar qalinligi atom 
o’lchamlarigacha kamayishi mumkin. Shunday yo’l bilan o’stirilgan strukturalar 
(kvant o’ralar, yuqori panjaralar) hajmiy materiallarda bo’lmaydigan ulkan fizik 
xossalarga ega bo’ladi. 
Epitaksial qatlam sirti sifati taglikning dastlabki sirti sifatidan ancha 
afzaldir. Bu deyarli atomar yassi geterochegaralarning strukturasini yaratish 
imkonini beradi. Ushbu xususiyatlar tufayli, epitaksial geterostrukturalar 
quyidagi elektr va optik xossalarga ega: 
1. Epitaksial qatlamlarning yuqori strukturaviy tuzilishi erkin tashuvchilar 
sochilishini ancha kamayishiga va shuning bilan birga materialda elektr 
siljuvchanlikni ham kamayishiga olib keladi. 
2. Elektronlar, kovaklar va eksitonlar uchun tutqich bo’lgan nuqson va 
kirishmalar 
miqdorining 
o’ta 
kamligidan 
epitaksial 
strukturalar 
lyuminessensiyaning yuqori kvant chiqishi bilan farq qiladi, bu esa ular asosida 

---

14 
yaratilgan geterolazerlar va yorug’lik diodlari ish samaradorligini keskin 
oshiradi. 
3. Yupqa epitaksial qatlamlarning energetik strukturasi ko’p jihatdan bir 
tekis kvantlanish effekti bilan aniqlanib, bu qatlam qalinligini o’zgartira borib 
yo’naltirilgan holda ularning optik xarakteristikalarini o’zgartiradi. 
4. Yarimo’tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik 
dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash 
qurilmalarini yaratish uchun o’ta muhimdir. 
Elektronikada epitaksial strukturalarni qo’llashga yuqori tezlikli maydon 
tranzistori misol bo’la oladi. Bunday tranzistorlarda tok epitaksial qatlam 
tekisligida oqadi va tranzistorning qayta ulanishi chegaraviy chastotasi tokning 
oqish tezligi bilan, ya`ni tashuvchilar siljuvchanligi bilan aniqlanadi. Yuqorida 
qayd etilganidek, zamonaviy epitaksial texnologiya juda past konsentratsiyali 
nuqsonga ega qatlamlar o’stirish imkonini berib, ular harakatlanuvchi 
tashuvchilarni socha oladi. Bunda sochuvchining asosiy rolini tashuvchilarni 
qatlamga o’tkazuvchi ligerlovchi kirishma o’ynay boshlaydi. Bunday sochilishni 
oldini olish uchun to’g’ridan-to’g’ri o’tkazuvchan qatlam emas, katta 
taqiqlovchi zona (baryer qatlam) bilan xarakterlanuvchi qo’shni qatlamlar 
ligerlanadi. Erkin tashuvchilar energiyasini yo’qotgan holda ligerlangan baryer 
qatlamdan kirishmaga ega bo’lmagan o’tkazuvchan qatlamga ketadi va unda 
katta tezlik bilan tarqaladi. 
Epitaksial geterostruktura asosida yaratilgan optik va optoelektron 
asboblarga misol yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va geterolazerdir. Yorug’lik 
diodi p-n o’tishdan iborat bo’lib, unda turli ishorali tashuvchilar fazoviy 
ajralganroq. P-n o’tish orqali tok o’tganida elektronlar va kovaklar bitta fazoviy 
sohada bo’ladilar va yorug’lik kvantini chiqarib rekombinatsiyalanishi mumkin. 
P-n o’tishni shakllantiruvchi epitaksial qatlamlarning yuqori samarali 
bo’lishlariga imkon beradi. Agar yorug’lik diodlari tomonlarida yassi parallel 
ko’zgular qilinsa, ya`ni rezistor yaratilsa, u holda asbob stimullangan nurlanish 
generatori – geterolazerga aylanadi. 

---

15