Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

2.8-rasm. Gaz fazada kremniy karbidi epitaksiyasi uchun konteyner:
1-issiqlik ekranli qopqoq; 2-taglik ushlagichi; 3-taglik; 4-konteyner korpusi; 5-
kremniy karbidi (manba); 6-pastki qopqoq; 7-kristallanish fazasi. 

---

39 
3-BOB. ZAMONAVIY EPITAKSIAL TEXNOLOGIYALARNING 
ASOSIY TURLARI VA QO’LLANILISHI 
 
3.1. Molekulyar dastali epitaksiya
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) jarayoni o’suvchi materialni oldindan 
tayyorlangan yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iborat. 
O’suvchi materiallar manbai taglikdan ancha uzoqlashtirilgan (0.5 m tartibda) 
shixtali tigellardir. Ko’p komponentali kimyoviy tarkibga ega qatlamni 
o’stirishda (masalan, GaAs) har bir komponenta (Ga va As) materiallari alohida 
tigelga joylashtiriladi. Tigellar shixta materiali samarali bug`lanishi yuz 
beradigan yuqori temperaturagacha qizdiriladi. MDE jarayonining farqli 
xususiyati uning o’ta yuqori vakuumda borishidadir–o’stiruvchi kameradagi gaz 
bosimi 
10
−7
Pa dan oshmaydi. Bunday bosimlarda gaz molekulalari orasidagi 
masofa O’rtacha 
10
−3
sm ni tashkil etadi. Molekula diametri 10
-7
-10
-6
sm 
bo’lganida molekulalarning to’qnashish extimolligi molekula o’lchamining ular 
orasidagi masofaga nisbatining kvadrati 10
-7
ga, ya`ni manba va taglik 
molekulalari orasidagi masofadan oshuvchi kattalikka tengdir. Natijada tigeldan 
bug`lanayotgan o’suvchi materiallar atomlari tigel konfigurtsiyasi bilan 
shakllangan nisbatan tor dasta ko’rinishida to’g`ri chiziqli trayektoriya bo’yicha 
taglikka qarab harakatlanadi. Taglik atomlarning samarali sirtiy diffuziyasi yuz 
beradigan yuqori temperaturagacha qizdiriladi.
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasining asosiy afzalliklari: 
1. 
Jarayonning o’ta yuqori vakuumga va o’ta toza o’suvchi materiallar 
qo’llanilishiga asoslangan yuqori tozaligi. 
2. 
Molekulyar dastalarning taglik tomon katta tezlik bilan uchishi 
natijasida erishiladigan struktura o’sishining tarkibining deyarli noinersion 
boshqarilishi imkoniyati. 
3. 
O’sish jarayonini yuqori vakuumni talab etuvchi mass-
spektrometriya va tez elektronlar diffuziyasi usullari bilan to’g`ridan - to’g`ri 
nazorat qilish imkoniyati. 

---

40 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasi kamchiliklariga 
quyidagilar kiradi: 
1. 
O’stiruvchi qurilmaning texnik murakkabligi va o’sish jarayonining 
o’suvchi parametrlarning o’zgarishiga turg`un emasligi texnologik personallar 
malakasiga katta talablarni qo’yadi. 
2. 
O’rtacha 1 
𝑚𝑘𝑚
𝑠𝑜𝑎𝑡
ni tashkil etuvchi o’sish jarayoni tezligining 
sekinligi. Barcha tayyorlangan muolajalarni hisobga olgan holda bitta epitaksial 
strukturani o’stirish uchun to’liq ish smenasi ketadi.
3. 
O’stirilayotgan strukturalarning qimmatga tushishi. Bularga–
qimmat baholi qurilma amortizatsiyasi, o’ta toza o’suvchi materiallarning yuqori 
narxi va yuqori malakali personallarga to’lanadigan mehnat haqi kiradi.