Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
-rasm. Suyuq epitaksiyada temperatura–vaqt rejimi
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
2.7-rasm. Suyuq epitaksiyada temperatura–vaqt rejimi:
I-eritmaning to’yinish sohasi; II-kristallanish sohasi; 1-taglikning qotishma bilan kontakti; 2-taglikdan qotishmaning ketishi. 37 Gaz fazada SiC epitaksiyasi. Usui asosida inert gaz muhiti yoki vakuumda oldindan sintezlangan SiC sublimatsion qayta kristallanishi yotadi. Jarayon yuqori temperaturali pechkalarda, grafitli konteynerlarda o’tkaziladi (2.8-rasm). Argon gazda epitaksiya sohasi temperaturasi o’rtacha 2000 ÷2200°C ni tashkil etsa, vakuumda jarayon ancha past temperatura (1800 ÷1900°C) da ketadi. Bunda 5 manba materiali qisman parchalanishi bilan bug’lanadi, material bug’i yupqa grafit diafragma orqali 7 kristallanish zonasiga o’tadi, bu yerda 3 tagliklar joylashgan. Bu zonada temperatura manba temperaturasiga nisbatan 50 ÷60°C kam. Bu yerda vujudga keltirilgan ozgina o’ta to’yingan bug’ (3÷4%) epitaksial qatlam SiC o’sishi uchun yetarli. Gaz fazada kremniy karbidi epitaksiyasini olishning boshqa ko’rinishi bir qancha kimyoviy usullarda olinib, undan biri metiltrixlorsilan pirolizi usulidir. (𝐶𝐻 3 )𝐶𝑙 3 𝑆𝑖 → 𝑆𝑖𝐶 + 3𝐻𝐶𝑙 (2.21) Epitaksial SiC o’stirish 800°C dan boshlanib, 1200 ÷1250°C larda kremniy karbidi tagliklarida va kremniy tagliklarda jarayon paytida kremniy karbidi monokristall qatlamlari olinadi. Gaz fazada epitaksiya usuli kamchiligi kristallanish frontining to’la ochiqligidir. Bunda turli xildagi ta’sirlar konteynerlarda yoki butun pechka hajmida yuz berishi mumkin. Suyuq fazada SiC epitaksial o’sishida kristallanish fronti suyuq faza bilan to’silgan va kristall bilan oziqlantirishga asoslangan. Ancha keng tarqalgan usullardan biri harakatdagi erituvchi bo’lib, mazmuni quyidagicha: Vakuumda purkash usuli bilan taglik va kristall - manba sirtiga erituvchi qatlam qoplanadi, uning qalinligi ~100 mkm ni tashkil qiladi. Ikkala kristall ichida erituvchisi bo’lgan «sendvich»ga joylashtiriladi. Manba – erituvchi – taglik sistema temperatura gradienti ( T m > T tag ) bo’lgan holda grafit qizdirgichga joylashtiriladi. Moddaning manbadan taglikka ko’chishi eritgich orqali diffuziya yo’li bilan ro’y beradi. Eritgichni tanlash katta ahamiyatga ega boiib, u epitaksiya jarayonini va kinetik parametrlarini va 38 o’sgan qatlam xususiyatini aniqlaydi. Eritgichlar sifatida Co, Fe, Ni, Cr, Ag lardan foydalanish mumkin. Biroq, ular epitaksial qatlamni ifloslantirishi ham mumkin. Download 0.94 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling