Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

B. 
O’suvchi modulni tayyorlash:
Yasalishdan keyin yoki uzoq vaqtli ochilishdan keyin o’suvchi 
modullarning barcha vakuum elementlari ko’p pog`onali qizdirish yo’llari bilan 
yaxshilab moylardan xalos etiladi. Xuddi shunday, masalan, yangi molekulyar 
manbalar qurilmasida ham ularni uch bosqichda qizdiriladi:
1. 
Forvakuumda shixtasiz oldindan qizdirish; 
2. 
O’stiruvchi modulda chegaraviy temperaturagacha qizdirish (ishchi 
temperaturadan 50-100 
0 
yuqori). Qizdirish kriopanellarni suyuq azot bilan 
intensiv sovutish sharoitida olib boriladi.
3. 
Shixtani yuklash va ishchi temperaturadan 10-20 
0
oshgunga qadar 
qizdirish. 
Ishchi elementlarni qizdirish yakunlangach o’stiruvchi kamerani 250-300
0
C 
ga qadar umumiy holda qizdirish amalga oshiriladi. Bu uning sirtidan 
adsorbsion gazlarni yo’qotish uchun kerak. Shundan keyin kamera xona 
temperaturasigacha sovutiladi va ishchi 10
-8
Pa bosimgacha bir necha sutka 
davomida havosi so’rib olinadi. Texnologik jarayonga tayyorgarlik o’stiruvchi 
modulga yangi taglikni yuklash bilan tugatiladi. 
C. Texnologik jarayonning asosiy bosqichlari: 
1. Navbatchi tartibga chiqish. Bu bosqichda molekulyar manbalar va taglik 
o’stiruvchi kamerada atmosfera bosimi va tarkibini doimiy nazorat qilish bilan 
temperaturaning doimiy ko’tarilishi amalga oshiriladi. Qizdirish barcha 
manbalarda tiqin yopiq bo’lganida va barcha kriotizimlar to’liq sovutilishi 
sharoitida amalga oshiriladi. 
2. Oksidni haydash. “Oksidni haydash” texnik termini bug`lanish yo’li 
bilan oksid plenkani yo’qotish jarayonini bildiradi. Oksid taglik ifloslanishdan 
himoya qiladi, biroq bunda epitaksial o’sishning to’sig`i bo’lib qoladi. Oksid 
580 
0
C da bug`lanib ketadi, bunda u adsorbsiyalangan atmosfera gazlarini olib 

---

49 
keladi. Bunday temperaturagacha qizdirishda sirtdan As atomlarining intensiv 
bug`lanishi boshlanib, o’suvchi sirtda metal Ga tomchilarining (galliyli 
stabilizatsiya) hosil bo’lishiga olib kelishi mumkin. Ga stabillashgan sirt 
epitaksial o’sish uchun yaroqsiz va shuning uchun stabilizatsiyaning oldini olish 
uchun oksidni haydashni ortiqcha As sharoitida olib borish kerak. Shunga 
muvofiq, oksid haydash oldidan As manbani ishchi temperaturaviy tartibga olib 
chiqish va manbadagi tiqinni ochish kerak. Atmosferaviy strukturaga ega oksid 
bug`lanishida taglikning kristall strukturaga ega erkin sirti ochiladi. Shuning 
uchun oksidni haydash vaqti ekranda taglikning kristall qatlamidan DBE 
difraksion reflekslarining hosil bo’lishi bilan DBE yordamida belgilanadi. 
3. GaAs ning tayyorlov qatlamini o’stirish. Bundan oldin Ga manbai va 
taglik orientrlangan ishchi temperaturagacha qizdiriladi. O’stirish 5-10 minut 
davomida olib boriladi. Bu bosqichning vazifasi – DBE ekranida yaxshi 
difraksion manzarani beruvchi silliq, o’stiruvchi sirtni olishdan iboratdir. 
4. Taglik temperaturasini kalibrlash. Bu bosqichning zaruriyati 
manipulyatordagi termojuftlik taglik bilan to’g`ri kontaktda emasligi va uning 
ko’rsatkichlari 
bo’yicha 
aniqlangan 
temperatura 
taglikning 
haqiqiy 
temperaturasidan ancha farq qilishiga bog`liq. Kalibrlash uchun GaAs sirtida 
ortiqcha As atomlarining konfiguratsiyalari rekonstruksiyasiga mos keluvchi 
alohida temperaturaviy nuqtalarning mavjudligidan foydalaniladi. Har bir 
konfiguratsiya ikkinchi tartibli kristallografik o’qlarga parallel yo’nalishdagi 
xarakterli davriyligiga ega bo’lib bu davriylikning o’zgarishi difraksiya 
manzarasi bo’yicha belgilanadi. Olingan nuqtalar bo’yicha termojuftlik 
ko’rsatkichini o’suvchi sirtning real temperaturasi bilan bir qiymatli bog`lovchi 
kalibrovka egri chizig`i chiziladi. 
5. O’sish tezligi kalibrovkasi. Kalibrovka DBE ekranida ko’zguli refleks 
intensivligining o’zgarishi bo’yicha amalga oshiriladi. Atomar silliq sirtda 
qaytishda refleks intensivligi maksimal qiymatga ega bo’ladi. O’sish jarayonida 
sirtda keyingi molekulyar qatlam qirralari hosil bo’ladi va u refleks 
intensivligining kamayishiga olib keladi. Molekulyar qatlamning to’ldirilishi 

---

50 
bo’yicha intensivlik tiklana boshlaydi va qatlam to’liq to’lganida maksimal 
qiymatga yetadi. Shunday qilib, epitaksial o’sish jarayoni refleks intensivligi 
ostillyatsiyasi bilan boradi, bunda ostillyatsiya davri bitta molekulyar qatlamni 
o’stirish davriga mos keladi. Ostillyatsiya manzarasidan foydalangan holda 
molekulyar manbalar temperaturalarining talab etilgan teshiklarga mos keluvchi 
qiymatini aniqrog`i, termojuftlik ko’rsatkichini aniqlash mumkin. 
6. Dasturning vazifasi va o’sish jarayonini avtomatik tartibda ishga 
tushirish. Dasturda manipulyator va molekulyar manbalar termojuftliklari 
ko’rsatkichlarining vaqtning har bir momentidagi va mos tiqinlarni ochish va 
yopish momentlaridagi qiymatlari beriladi. 
Yuqori kristall mukammalikka ega geterostrukturalar olish uchun asosiy 
strukturaning o’sishidan oldin qator tayyorlov qatlamlarini o’stirish zarurdir. 
Odatda ikki tur qatlamli kombinatsiya qo’llaniladi: 
1. 
Ga As bufer qatlami. Bufer qatlam 0.5 - 1 mkm qalinlikka ega va u 
asosiy strukturaga nuqtaviy nuqsonlar va taglikdan kirishmalar tushishi oldini 
oladi. 
2. 
Qisqa davrli GaAs/AlAs o’ta panjara. O’ta panajara navbatma-
navbat keluvchi yupqa GaAS va AlAs qatlamidan shakllanadi. Bu materiallarda 
panjara doimiysining mos kelmasligidan geterochegaralarda taglikdan asosiy 
strukturaga chiziqiy nuqsonlar – dislokatsiyalarning o’sishiga qarshilik qiluvchi 
mexanik kuchlanish yuzaga keladi. O’sish dasturi tugaganidan keyin o’suvchi 
modul avtomatik tarzda navbatchi tartibga o’tkaziladi va shundan keyin sekin 
sirqitiladi.

---

51