Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi


Download 0.94 Mb.
Pdf ko'rish
bet22/24
Sana07.02.2023
Hajmi0.94 Mb.
#1175340
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24
Bog'liq
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya

TESTLAR: 
1. 
Epitaksiya so’zining ma’nosi? 
a) 
Lotincha  - taxlash  - bajarmoq , ya’ni , taxlashni 
bajarmoq degan ma’noni anglatadi; 
b) 
Yunoncha - ustiga , - tartibli o’rnatish degan 
ma’noni anglatadi; 
c) 
Ruschadan qatlam hosil qilish degan ma’noni beradi; 
d) 
To’g’ri javob berilmagan; 
2. 
Epitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Monokristall taglik ustida monokristall modda qatlamini ma’lum 
kristallografik yo’nalishda o’stirish jarayonidir; 
b) 
Yarimo’tkazgich moddalarning ustki qismida ma’lum yo’nalishda 
qatlam hosil qilish jarayonidir; 
c) 
Qattiq jismlarning ustki qismida qatlam hosil qilish jarayonidir; 
d) 
Polikristall modda qatlamini ma’lum kristallografik yo’nalishda 
o’stirish jarayonidir; 
3. 
Epitaksiya turlarini to’liq berilgan javobni ko’rsating. 
a) 
Avtoepitaksiya, gomoepitaksiya; 
b) 
Xemoepitaksiya, avtoepitaksiya, gomoepitaksiya; 
c) 
Epitaksiyaning turlari juda ko’p, to’liq sanab o’tilgan javob varianti 
mavjud emas; 
d) 
Avtoepitaksiya , geteroepitaksiya, xemoepitaksiya, reoepitaksiya; 
4. 
Avtoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan 
jarayondir;
b) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan 
jarayondir; 
c) 
Yangi 
kristall 
fazasi 
qatlami 
taglikning 
unga 
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil 
bo‘ladigan jarayondir; 


52 
d) 
Taglikning 
tuzilishi 
o‘sadigan 
kristall 
fazasi 
tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 
5. 
Geteroepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Taglikning 
tuzilishi 
o‘sadigan 
kristall 
fazasi 
tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 
b) 
Yangi 
kristall 
fazasi 
qatlami 
taglikning 
unga 
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil 
bo‘ladigan jarayondir; 
c) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan 
jarayondir;
d) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan 
jarayondir; 
6. 
Xemoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan 
jarayondir; 
b) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan 
jarayondir; 
c) 
Yangi 
kristall 
fazasi 
qatlami 
taglikning 
unga 
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil 
bo‘ladigan jarayondir; 
d) 
Taglikning 
tuzilishi 
o‘sadigan 
kristall 
fazasi 
tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 
7. 
Reoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Taglikning 
tuzilishi 
o‘sadigan 
kristall 
fazasi 
tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 
b) 
Yangi 
kristall 
fazasi 
qatlami 
taglikning 
unga 
kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil 
bo‘ladigan jarayondir; 
c) 
Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan 
jarayondir; 


53 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan; 
8. 
Agar o’tqazilayotgan modda taglikka bevosita yetib borayotgan 
bo’lsa, … jarayon deyiladi, aks holda … jarayon deyiladi. Nuqtalar o’rnini mos 
javob variant bilan to’ldiring. 
a) 
Avtoepitaksiya jarayoni , aks holda, gomoepitaksiya jarayoni
b) 
Avtoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni; 
c) 
Reoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni; 
d) 
To’g’ri jarayon, aks holda, noto’g’ri jarayon; 
9. 
O’tqazilayotgan moddaning dastlabki agregat holati bo’yicha 
epitaksial jarayonlar necha turga bo’linadi, ularni sanab o’ting. 
a) 
Faqat qattiq fazadan epitaksiya olish usuli mavjud. Turlarga 
ajratilmaydi; 
b) 
4 turga ajratiladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan 
epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya, bug’ – suyuqlik – kristall tizimida 
epitaksiya; 
c) 
3 turga ajraladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan 
epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya; 
d) 
Faqat bug’ – suyuqlik – kristall tizimida epitaksiya olish jarayoni 
mavjud. Turlarga ajratilmaydi. 
10. 
Epitaksial 
strukturalar 
qanday 
xossalari 
bilan 
hajmiy 
materiallardan farqlanadilar? 
a) 
Strukturaviy tuzilishi darajasi, nuqsonlarning va kirishmalarning 
yo‘qligi bo‘yicha epitaksial qatlamlar (jumladan, taglik materiali ham) hajmiy 
materiallardan ancha afzalligi bilan; 
b) 
O‘stirilayotgan qatlamlar kimyoviy tarkibi boshqarila oladigan 
tarzda o’zgarishi mumkin (pog‘onali kabi, ham tekis). Bu esa oldindan berilgan 
xossali materiallar olish imkonini beradi.Texnologiya yana o‘sish jarayonida 
to‘g‘ridan-to‘g‘ri boshqariluvchan ligerlash imkonini berishi bilan; 
c) 
Epitaksiya turli tarkibli navbatma-navbat o‘stirish imkonini beradi, 
bunda atom-keskin chegaralar mavjudligidan qatlamlar qalinligi atom 


54 
o‘lchamlarigacha kamayishi mumkin. Shunday yo‘l bilan o‘stirilgan strukturalar 
(kvant o‘ralar,yuqori panjaralar) hajmiy materiallarda bo‘lmaydigan ulkan fizik 
xossalarga ega ekanligi bilan; 
d) 
Barcha javob variantlaridagi xossalar bilan hajmiy materiallardan 
farqlanadilar; 
11. 
Epitaksial 
geterostrukturalar 
qanday 
ulkan 
elektr 
va optik xossalarga ega? 
a) 
Epitaksial qatlamlarning yuqori strukturaviy tuzilishi erkin 
tashuvchilar 
sochilishini ancha kamayishiga va shuning bilan birga materialda elektr 
siljuvchanlikni ham kamayishiga olib keladi; 
b) 
Elektronlar, kovaklar va eksitonlar uchun tutqich bo‘lgan nuqson 
va 
kirishmalar 
miqdorining 
o‘ta 
kamligidan 
epitaksial 
strukturalar 
lyuminessensiyaning yuqori kvant chiqishi bilan farq qiladi, bu esa ular asosida 
yaratilgan geterolazerlar va yorug‘lik diodlari ish samaradorligini keskin 
oshiradi; 
c) 
Yupqa epitaksial qatlamlarning energetik strukturasi ko‘p jihatdan 
bir tekis kvantlanish effekti bilan aniqlanib, bu qatlam qalinligini o‘zgartira 
borib yo‘naltirilgan holda ularning optik xarakteristikalarini o‘zgartiradi; 
d) 
Yarimo‘tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik 
dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash 
qurilmalarini yaratish uchun o‘ta muhimdir. 
e) 
Yuqoridagi barcha javob variantlaridagi xossalar epitaksial 
qatlamlar uchun elektr va optic xossalar sifatida o’rinlidir; 
12. 
Elektronikada va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni 
qo`llashga doir misol keltirilgan javob variantlarini belgilang. 
a) 
Elektronika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga 
yuqori tezlikli maydon tranzistori misol bo’la oladi; 


55 
b) 
Elektronika va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni 
qo’llashga stimullangan nurlanish generatori misol bo’la oladi; 
c) 
A va D javob variantlarida to’g’ri misollar keltirilgan; 
d) 
Optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga 
yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va geterolazarlar misol bo’la oladi; 
13. 
Epitaksial o’sishning afzalliklari sanab o’tilgan javob variantini 
belgilang. 
a) 
O‘sish yo‘nalishni va o‘suvchi qatlam strukturasini beruvchi 
avvaldan 
tayyorlangan kristal tekislikning mavjudligi; 
b) 
O‘stiruvchi sirtning orasi erish temperaturasidan ancha pastligiga 
asoslangan o‘sish jarayonining notekis xarakteri; 
c) 
O‘suvchi materiallar atomlar effektiv sirtiy diffuziyasining 
mavjudligi. O‘suvchi materialning yuqori chastotaliligi va kristallanish 
elementiga ega o‘suvchi strukturalarning kontaktda bo‘lmasligi; 
d) 
A, B va C javob variantlarida epitaksial o’sishning afzalliklari to’liq 
sanab o’tilgan; 
14. 
Epitaksial qatlam tushunchasiga ta’rif bering. 
a) 
Taglik tuzilishini saqlovchi, kristall taglikka o’tqazilgan 
monokristall modda; 
b) 
Taglik strukturasini doimiy saqlovchi, taglikka o’tqazilgan 
polikristall modda; 
c) 
Ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirilgan taglik; 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan; 
15. 
Suyuq fazadan epitaksiya olish usullarini nechta katta guruhga 
bo‘lish mumkin. Ulardagi farq qanday aniqlanadi. 
a) 
Yo‘nalishli kristallanish usuli va kristallanish usuli. Ularning farqi 
yo’nalishi bilan aniqlanadi; 
b) 
Yo‘nalishli kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish 
usuli. Ulardagi farq qatlamda kirishmalarning oxirgi taqsimoti bilan aniqlanadi; 


56 
c) 
Dastur zonali kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish 
usuli. Ulardagi farq jarayonning ikkinchi marta qaytalanishidadir; 
d) 
To’g’ri javob variant berilmagan; 
16. 
Yo’nalishli kristallanish usulida qatlamning … bir jinsli emasligi 
xarakterlidir. Kirishmalar zichligining o’zgarishi yo’nalishli kristallanish asosiy 
tenglamasiga binoan bo’lishini ko’rsatadi. Nuqtalar o’rniga mos javob variantini 
belgilang. 
a) 
… boshlang’ich va oxirgi qismida …
b) 
… butun qalinligi bo’yicha kirishmalar taqsimoti … 
c) 
Tashqi muhitga qarab ba’zida A , ba’zida B javob variantlari 
kuzatiladi; 
d) 
To’g’ri javob variant berilmagan; 
17. 
Dastur 
zonali 
kristallanish 
usulida 
olingan 
qatlamlarda 
kirishmalarning taqsimoti epitaksial qatlamning … bir jinsli emasligi, … esa 
kirishmalar taqsimoti bir jinsli ekanligi kuzatiladi. Nuqtalar o’rniga mos javob 
variantini belgilang. 
a) 
… boshlang’ich qismida … va … oxirgi qismida; 
b) 
… boshlang’ich qismida … va … o’rta qismida; 
c) 
… boshlang’ich va o’rta qismida … va … oxirgi qismida; 
d) 
… boshlang’ich va oxirgi qismida … va … o’rta qismida; 
18. 
Kremniy karbidi epitaksial qatlamini qanday fazalarda olish 
mumkin? 
a) 
Bug’ – suyuq – kristall fazada olish mumkin; 
b) 
Qattiq va suyuq fazada olish mumkin; 
c) 
Gaz va suyuq fazada olish mumkin
d) 
Kremniy karbididan epitaksial qatlam olinmaydi; 
19. 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal 
taglikda vakuumli changlashdan iboratdir; 


57 
b) 
O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli 
changlashdan iborat;
c) 
Dastlabki o‘suvchi materiallar xuddi gaz fazali epitaksiya (GFE) 
dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda 
har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi. 
d) 
To’g’ri javob variant berilmagan; 
20. 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasining asosiy 
afzalliklarini to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. 
a) 
Jarayonning o‘ta yuqori vakuumga va o‘ta toza o‘suvchi materiallar 
qo‘llanilishiga asoslangan yuqori tozaligi; 
b) 
Molekulyar dastalarning taglik tomon katta tezlik bilan uchishi 
natijasida 
erishiladigan struktura o‘sishining tarkibining deyarli noinersion boshqarilishi 
imkoniyati; 
c) 
O‘sish jarayonini yuqori vakuumni talab etuvchi mass-
spektrometriya va tez elektronlar diffuziyasi usullari bilan to’g’ridan – to’g’ri 
nazorat qilish imkoniyati; 
d) 
Barcha javob variantlari to’g’ri; 
21. 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasi kamchiliklari 
to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini tanlang. 
a) 
O‘stiruvchi qurilmaning texnik murakkabligi va o‘sish jarayonining 
o‘suvchi parametrlarning o‘zgarishiga turg`un emasligi texnologik personallar 
malakasiga katta talablarni qo‘yadi; 
b) 
O‘rtacha 1 mkm/soatni tashkil etuvchi o‘sish jarayoni tezligining 
sekinligi; 
c) 
O‘stirilayotgan strukturalarning qimmatga tushishi. Bularga – 
qimmat 
baholi qurilma amortizatsiyasi , o‘ta toza o‘suvchi materiallarning yuqori narxi 
va yuqori malakali personallarga to‘lanadigan mehnat haqi kiradi; 
d) 
Barcha javob variantlari to’g’ri; 


58 
22. 
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning afzalliklari to’g’ri ko’rsatilgan 
javob variantini belgilang. 
a) 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) ga nisbatan soddaligi va 
o‘sish jarayonining mustahkamligi; 
b) 
A, C va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan; 
c) 
O‘sish tezligi deyarli 10 marta katta (10mkm/soat atrofida); 
d) 
O‘suvchi materiallarning ancha arzonligi ; 
23. 
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning kamchiliklari to’g’ri ko’rsatilgan 
javob variantini belgilang. 
a) 
Texnologik jarayonning yuqori toza bo‘lishiga erishib bo‘lmaslik; 
b) 
O‘sish jarayonini to‘g‘ridan-to‘g‘ri kuzatib bo‘lmaslik; 
c) 
A, B va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan; 
d) 
Qo‘llanilayotgan materiallarning yuqori zaharli ekanligiga bog‘liq 
texnik 
qiyinchiliklar; 
24. 
Atom - qatlamli epitaksiya jarayoniga ta’rif bering. 
a) 
Dastlabki 
o‘suvchi 
materiallar 
xuddi 
GFE 
dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda 
har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi; 
b) 
O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal 
taglikda vakuumli changlashdan iboratdir; 
c) 
O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli 
changlashdan iborat;
d) 
To’g’ri javob variant berilmagan; 
25. 
Atom-qatlamli epitaksiya jarayoni necha bosqichda amalga 
oshiriladi? 
a) 
5 bosqichda; 
b) 
2 bosqichda; 
c) 
3 bosqichda; 
d) 
4 bosqichda; 


59 
26. 
Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining afzalliklari to’g’ri 
ko’rsatilgan javob variantini belgilang. 
a) 
O‘stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni; 
b) 
A va C javob variantlari to’g’ri; 
c) 
Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o‘stirish imkoni; 
d) 
O’stirish jarayonining tez suratlarda borishi; 
27. 
Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining kamchiliklari to’g’ri 
ko’rsatilgan javob variantini belgilang. 
a) 
Atom – qatlamli epitaksiya jarayonida deyarli kamchilik 
kuzatilmaydi, ba’zi kichik nuqsonlar mavjud. Ammo , katta afzalliklar oldida 
ular deyarli kamchilik emas; 
b) 
Atom qatlamlarni o‘stirish juda ulkan , shuning uchun o‘sish tezligi 
juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas); 
c) 
Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo‘llanilmaydi, shuning 
uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo‘ladi; 
d) 
B va C javob variantlari to’g’ri; 
28. 
Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) kompleksining asosiy 
strukturaviy elementlari nechta? 
a) 
3 ta; 
b) 
5 ta; 
c) 
6 ta; 
d) 
10 ta; 
29. 
O’stiruvchi modulning asosiy tugunlaridan biri bo’lmish – vakuum 
kamera qanday vazifani bajaradi? 
a) 
O‘suvchi bo‘shliqni atmosfera havosidan germetik izolyatsiyalaydi; 
b) 
O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlaydi; 
c) 
Vakuum kamera orqali elektronlar oqimi hosil qilinadi; 
d) 
A va B javoblar to’g’ri;
30. 
O’stiruvchi modulning tugunlaridan biri kriopanellarga ta’rif 
bering. 


60 
a) 
Suyuq azot bilan to‘ldirilgan sig`imdan iborat, o‘suvchi 
modulning eng ko‘p qizdirilgan elementlarini manipulyator va molekulyar 
manbalarni o‘rab olgan sistema; 
b) 
O‘suvchi 
bo‘shliqni 
atmosfera 
havosidan 
germetik 
izolyatsiyalovchi sistema; 
c) 
O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlovchi 
sistema; 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan; 
31. 
O’stiruvchi modulning transport sistemasi qanday vazifani 
bajaradi? 
a) 
Vakuum 
qurilmalarda 
yukli 
kameradan 
tashuvchili 
taglikni o‘suvchi modulga masofadan siljitishni amalga oshiradi; 
b) 
Tashuvchini manipulyatorga mahkamlaydi; 
c) 
O’stiruvchi moduldan o‘stirilgan strukturalarni yo‘qotish vazifasini
bajaradi; 
d) 
A, B va C javob variantlari to’g’ri; 
32. 
Kriosistema elementlari qanday qurilmalardan iborat? 
a) 
Tashuvchi manipulyator va vakuum qurilmalardan iborat; 
b) 
O’stirilgan 
strukturalarni 
yo‘qotish 
vazifasini 
bajaruvchi 
qurilmalardan iborat; 
c) 
O’suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga 
oshiruvchi tashqi qurilmalardan iborat; 
d) 
A, B va C javob variantlari to’g’ri; 
33. 
Nazorat va analiz aboblarini vazifasi sanalgan javob variantini 
belgilang. 
a) 
O‘suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga 
oshiradi; 
b) 
Texnologik parametrlarni nazorat qilishdan va texnologik jarayon 
davomidagi holatini analiz qilishdan iboratdir; 


61 
c) 
O‘suvchi kameradagi atmosfera bosimi, tarkibi, manba va taglik , 
molekulyar dastalar zichliklari nisbatini nazorat qiladi va texnologik jarayon 
davomidagi o‘suvchi sirtning holatini analiz qiladi; 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan;
34. 
Tagliklar yasash jarayonida ishlov berish nechta bosqichdan 
iborat? 
a) 
3 bosqichda amalga oshiriladi; 
b) 
2 bosqichda amalga oshiriladi; 
c) 
4 bosqichda amalga oshiriladi; 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan; 
35. 
Ishlov berish jarayoni bosqichlari to’g’ri ko’rsatilgan javobni 
belgilang. 
a) 
Organik ifloslanishni yo’qotish va noorganik ifloslanishni 
yo’qotish; 
b) 
Moylardan xalos qilish, noorganik ifloslanishni yo’qotish , taglik 
sirtini tekislovchi yedirish; 
c) 
Noorganik ifloslanishni yo’qotish va taglik sirtini tekislovchi 
yedirish; 
d) 
To’g’ri javob varianti berilmagan; 
36. 
Moylardan xalos qilish uchun organik erituvchilar sifatida 
foydalanuvchi moddalarni ko’rsating. 
a) 
Atseton;
b) 
Toluol; 
c) 
Propil spirti; 
d) 
Barcha javob variantlari to’g’ri;

Download 0.94 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling