Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
- Bu sahifa navigatsiya:
- Atom qatlamli epitaksiyaning afzalliklari
3.3. Atom qatlamli epitaksiya
Atom - qatlamli epitaksiyada dastlabki o’suvchi materiallar xuddi gaz fazali epitaksiya (GFE) dagidek, biroq bu yerda o’sish uzluksiz bormay, qatlam- qatlam boradi, bunda har bir qatlam bir necha bosqichda o’stiriladi. Birinchi bosqichda o’suvchi sirt gazsimon metall alkidi bilan nurlanadi. Kontaktda sirtdan molekula qutblanadi – metall atomlari ktistall panjarada tizilishadi, alkid qoldiq esa, aksincha sirtdan itariladi. Natijada barcha o’suvchi sirt qutblangan molekulalar qatlami bilan qoplanadi, bunda alkid qoldiqdan tashkil topgan tashqi qatlam keyingi molekulyar qatlamning cho’kishiga qarshilik qiladi. Bundan keyin sirtga cho’kmagan gazsimon alkidlar reaktordan so’rib olinadi. Keyingi bosqichda o’suvchi sirt alkidlar ionlarini metall atomlarida o’suvchi yorug’lik bilan nurlantiriladi va ionli gaz ham reaktordan so’rib olinadi. O’suvchi sirt metalning atomli qatlami bilan qoplanib qoladi. Shundan keyin reaktor gazsimon arsinga tushiriladi. Bunda uning molekulalari avvalgi holdagidak o’suvchi sirtni qoplab qutblanadi, arsinning atssorbtsiyalanmagan molekulalari esa so’rib olinadi. 42 Oxirgi bosqichda arsinning cho’kkan molekulalari fotoionlashuvi amalga oshiriladi, vodorod ionlari reaktordan so’rib olinadi, o’suvchi sirt o’stirilayotgan materialning bir molekulyar qatlami bilan qoplanadi. Shundan keyin jarayonni takrorlash mumkin va shuning bilan molekulyar qatlamlarning to’liq soni o’stiriladi. Atom qatlamli epitaksiyaning afzalliklari: 1. O’stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni; 2. Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o’stirish imkoni; Usulning kamchiligi: 1. Atom qatlamlarni o’stirish juda ulkan , shuning uchun o’sish tezligi juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas); 2. Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo’llanilmaydi, shuning uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo’ladi. 3. Atom – qatlamli epitaksiya usuli hozirda keng qo’llanilmaydi va faqat ayrim xususiy masalalarni yechish uchun qo’llaniladi. 4. Gaz fazali epitaksiya (GFE) texnologiyasi (hamda uning analogi – metal organik bog`lardan suyuq fazali epitaksiya) kam sarf bilan, kam vaqt ichida katta miqdorda strukturalar tayyorlash kerak bo’lganida qo’llaniladi. Bunda uning sifatiga talab kuchli qo’yilmaydi. Yuqori sifatli epitaksial strukturalar kerak bo’lgan hollarda ko’pincha shu talab etiladi ham molekulyar dastaliepitaksiya (MDE) texnologiyasi afzal bo’ladi. Shulardan kelib chiqib, quyida epitaksial texnologiyaning eng istiqbolli variantini ko’rib chiqamiz. Download 0.94 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling