Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

3.2. Metall - organik birikmali gazfazali epitaksiya (GFE) 
GaAs turidagi gazfazali epitaksiyada dastlabki o’suvchi material gazsimon 
metal alkidlari (masalan, Ga (CH
3
)
3
, hamda gazsimon arsin – AsH
3
dir. 
Texnologik jarayon yopiq hajmda – reaktorda boradi, biroq MDE dan farqli 
tarzda jarayon yuqori vakuumni talab etmaydi. Dastlabki material torlari 
kimyoviy reaksiya boradigan taglikka yo’naltiriladi: 
Ga (CH
3
)
3
+A
3
H
3
=GaAs+3CH
4
(3.1) 
GaAs qatlami taglikka cho’ktiriladi, reaksiyaning ikkinchi mahsuloti esa – 
gazsimon metan, CH
3 
reaktordan so’rib olinadi. Taglik ikki sababga ko’ra 
qizdiriladi: birinchidan, kimyoviy reyaksiya endotermik, ya`ni qo’shimcha 
issiqlikni talab etadi, va bu issiqlik taglikdan beriladi, ikkinchidan, MDE 
usulidagi kabi, qizdirish atomlarning sirtiy diffuziyasiga olib keladi, 
Reaktordagi gaz bosimi o’stirilayotgan strukturalar talabiga bog’liq 
tarzda katta intervalda o’zgaradi. Bosimning kamayishi geterochegaralar 
keskinligini oshiradi, biroq bunda reaktor devorlari bilan kontakt natijasida 

---

41 
o’suvchi materiallarning ifloslanishi ortadi. Bunday kontaktni kamaytirish uchun 
reaktor gohida bufer gaz-vodorod yoki azot bilan to’ldiriladi.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning afzalliklari: 
1. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) ga nisbatan soddaligi va o’sish 
jarayonining mustahkamligi; 
2. O’sish tezligi deyarli 10 marta katta (10mkm/soat atrofida);
3. O’suvchi materiallarning ancha arzonligi. 
Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning kamchiliklari: 
1. Texnologik jarayonning yuqori toza bo’lishiga erishib bo’lmaslik; 
2. O’sish jarayonini to’g’ridan-to’g’ri kuzatib bo’lmaslik; 
3. Qo’llanilayotgan materiallarning yuqori zaharli ekanligiga bog’liq 
texnik qiyinchiliklar;