Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
|
62 XULOSALAR Hozirgi zamon texnologiyasida o’ta yuqori integral mikrosxemalar va diskret yarimo’tkazgich asboblar ishlab chiqarishda epitaksial jarayonlar eng oldingi o‘rinni egallaydi. Epitaksial texnologiya qo’llanilishi keyingi 10-15 yil ichida sifatli mahsulotlar ishlab chiqarishni 4-5 marta oshdi. Epitaksial qatlamlar tuzilish jihatdan hajmiy monokristalldan ancha takomillashganligi, ularda kirishmalarni haqiqiy taqsimotiga ega bo’lishi bilan birga, nazorat qilib bo’lmaydigan nuqsonlar va begona kirishmalar kamligi bilan farq qiladi. Hajmiy kristalning o’sishida (masalan, eritmadan) asosiy muammo shundaki, bu minimum chuqurligi zarraga regulyar panjarada kerakli joyga yetib olishi uchun zarur bo’lgan kinetik energiyaga mos kelar ekan. Buning natijasida, kristallar ko’p miqdorli nuqsonlar (bo’sh o’rinlar, molekulalar orasida atomlar, dislokatsiyalar va h.k) bilan o’sadi. Bundan tashqari, hajmiy o’sish bir necha yo’nalish bilan bir vaqtda yuz berib, buning natijasida kristallar ko’pincha blokli bo’ladilar. Nuqsonlarning qo’shimcha manbalari kristalga shixtadan va o’stiruvchi qurilma konstruksiyasi elementlaridan tushuvchi begona kirishmalardir. Yarimo’tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash qurilmalarini yaratish uchun o’ta muhim bo’lib hisoblanadi. Elektronikada epitaksial strukturalarni qo’llashga yuqori tezlikli maydon tranzistori misol bo’la oladi. Bunday tranzistorlarda tok epitaksial qatlam tekisligida oqadi va tranzistorning qayta ulanishi chegaraviy chastotasi tokning oqish tezligi bilan, ya`ni tashuvchilar siljuvchanligi bilan aniqlanadi. Yuqorida qayd etilganidek, zamonaviy epitaksial texnologiya juda past konsentratsiyali nuqsonga ega qatlamlar o’stirish imkonini berib, ular harakatlanuvchi tashuvchilarni socha oladi. Bunda sochuvchining asosiy rolini tashuvchilarni qatlamga o’tkazuvchi ligerlovchi kirishma o’ynay boshlaydi. 63 Epitaksial geterostruktura asosida yaratilgan optik va optoelektron asboblarga yana bir misol sifatida yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va geterolazerlarni keltirishimiz mumkin. Hamda shu jumladan, suyuq epitaksiya jarayonida o’sish tezligi kichik bo’lganligi sababli qatlam qalinligini yuqoriroq aniqlikda boshqarish imkonini beradi. Bu usul diffuzion va boshqa shakllar hosil qiluvchilarga nisbatan ham bir qancha marta ko’p afzaldir. Bu ayniqsa, ko’p qatlamli davriy tuzilmalarni olishda ahamiyatlidir. Suyuq fazada epitaksiya usuli, taglikka nisbatan, qatlamda dislokatsiya zichligi kamayishiga olib kelib, yorug’lik asboblarida yuz beradigan nurlanishsiz rekombinatsiya jarayonlarini kamaytiradi. Yana kuzatishimiz mumkinki, kremniy karbidi SiC epitaksiyasi yordamida yorug’lik va to’g’rilagich diodlar, yuqori temperaturaga chidamli tenzorezistorlar, yuqori energiyali zarrachalarni qayd qiluvchi asboblar va boshqa turli asboblar tayyorlash mumkin. Bu material - yuqori mexanik qattiqlik va mustahkamlikka ega. Uning elektr o’tkazuvchanligi turi va solishtirma qarshiligi qiymatini boshqarish imkoni borligi ma’lum. Undan juda qiyin sharoitlarda ishlashi mumkin bo’lgan qurilma va asboblar yaratish mumkin. |
