Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
2.2. Epitaksial qatlamlarni olish qurilmalari
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
- Bu sahifa navigatsiya:
- 2.2 - rasm. Gorizontal reaktorlar turlari: 1-kvars reaktor; 2-gaz oqimi; 3-taglik ushlagich; 4-plastinkalar. 2.3-rasm. Vertikal reaktorning tuzilishi
22 2.2. Epitaksial qatlamlarni olish qurilmalari O’suvchi epitaksial qatlamlar sifati ko’p jihatdan temperatura va gazodinamik sharoitlariga bog’liq. Shuning uchun epitaksiya qurilmalariga yuqori talablar qo’yiladi. Epitaksial o’stirish qurilmasi reaktorlar tuzilishiga bog’liq. Ularning gorizontal va vertikal xillari bor. Gorizontal reaktor ancha sodda tuzilishga ega (2.2,a-rasm). Bunda bug’-gaz aralashma oqimi taglik ushlagichga parallel o’tadi va epitaksial qatlamlar qalinligi hamda solishtirma qarshilikni o’zgartirishga olib keladi. Yanada tekis o’stirishni hosil qilish uchun ikkita usuldan foydalaniladi. Vertikal reaktorlar konstruksiyasi yaxshiligi qizdirish va aralashma gaz oqimi uchun ancha yaxshi sharoitni ta’minlaydi. Taglik ushlagichning aylantirilishi issiqlik va gazodinamik maydonlarning tekis taqsimlanishiga olib keladi. 2.3,a-rasmda to’rt qirrali taglik ushlagich va gaz - bug’ aralashmani vertikal kiritishning vertikal reaktor qurilmasi ko’rsatilgan. 2.3, b-rasmda yuqori unumdorlikka ega bo’lgan ishchi aralashmani gorizontal kiritishning baraban ko’rinishidagi vertikal reaktori ko’rsatilgan. To’rt qirrali grafitli taglik ushlagichni qizdirish yuqori chastotali tok induktori bilan amalga oshiriladi, reaktor kvars naydan iborat. Barabanli taglik ushlagichni zanglamas po’latdan tayyorlangan reaktor ichida rezistiv elementlar yordamida qizdiriladi. Bu qizdirish ba’zan reaktorning kamchiligi deb ataladi. 23 2.2 - rasm. Gorizontal reaktorlar turlari: 1-kvars reaktor; 2-gaz oqimi; 3-taglik ushlagich; 4-plastinkalar. 2.3-rasm. Vertikal reaktorning tuzilishi: a) kvars nayli reaktor; b) zanglamas po’lat qalpoqli reaktor; 24 Xlorid usulida epitaksial qatlamlarni olish qurilmasi 2.4-rasmda berilgan. Legirlangan epitaksial qatlamni olish uchun tetraxlorid kremniy yoki legirlovchi qo’shimchalar p-turni 𝐵𝐵𝑟 3 yoki n-turni 𝑃𝐶𝑙 3 hosil qiluvchi legirlovchi qo’shimcha tarkibli aralashmalar 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 + 𝐵𝐵𝑟 3 yoki 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 + 𝑃𝐶𝑙 3 termostat idishda tetraxlorid temperaturasi yuqori aniqlikda ushlab turiladi. Bu esa, zaruriy bug’ bosimini ta’minlaydi. Odatda bu temperatura 0°C dan past, chunki 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 juda uchuvchi suyuqlik. Sistemaga palladiy tozalovidan o’tgan vodorod beriladi. Chunki palladiy tozalov nam va kislorod qoldiqlaridan vodorodni tozalaydi. Palladiy yoki platinali tozalov sistemasi 400–450°C qizdirilgan diafragmadan iborat. Bu diafragma orqali yuqori tezlikda atomar vodorod diffuziyalanadi va uning sarfi 1 m 3 /soat ni tashkil qilib boshqa moddalar bu diafragma orqali umuman o’tmaydi, chunki ularning diffuziya koeffitsienti kichik. Tozalov nuqtasi shudringdan so’ng - 70°C ni tashkil qiladi. Vodorod 1-kran - vodorod sarfini o’lchovchi rotametr orqali o’tadi. 2-, 3-, 4- kranlar yopiq. Kremniy tagliklar 1000–1200°C gacha qizdiriladi va ularning sirti vodorod oqimida tozalanadi. 1- kran yopiladi, 2- va 3- kranlar ochiladi. Vodorod 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 li idish orqali o’tadi va reaktorga tetraxlorid bug’i bilan to’yinib elementar kremniy tiklanadi. Reaksiyada qatnashmagan 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 , 𝐻 2 , HCl va boshqa mahsulotlar 5-ochiq kran orqali skrubberga chiqadi. Skrubber vazifasi zaharli chiqindilarni ushlab qoladi, vodorod alangasida yondirib yuboradi. Epitaksial o’stirishda gaz yedirish uchun 1-kran orqali MCl epitaksiya jarayonidan oldin beriladi. |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling