Xotira to‘g‘risida faqatgina tajribali kompyuter foydalanuvchilari bilishardi

Flesh-xotiraning ishlash prinsipi
“Suzuvchi” qulfda zaryad mavjud bo‘l-magan paytda musbat maydon ta’siri ostida boshqariluvchi qulfda, “istok” va “stok” o‘rtasidagi taglikda n-kanal paydo bo‘ladi va ular o‘rtasida kuch-lanish yuzaga keladi.
“Suzuvchi” qulfda zaryadning mavjud bo‘lishi tranzistorning volt-amper ko‘rsatkichlarini shunday o‘zgartira-diki, natijada axborotni oddiy o‘qish uchun kanal paydo bo‘lmaydi va “istok” va “stok” o‘rtasida kuchlanish yuzaga kelmaydi.

Dasturlashtirishda “stok” va boshqa-riluvchi “qulf” ga yuqori kuchlanish beriladi (odatda qiymati ikki marta katta). «Qaynoq» elektronlar kanaldan suzuvchi qulfga qarab “injeksiya” ga kirishishi tufayli tranzistorning volt-amper ko‘rsatkichlari o‘zgaradi. Bunday elektronlarga ular potensial to‘siqdan oshib o‘tishi uchun yetarli bo‘lgan yuqori energiyaga ega bo‘lganligi sababli “qaynoq” elektronlar deb atashadi.

Axborotni o‘chirish uchun ”istok”ga yuqori musbat kuchlanish beriladi. Boshqaruvchi “qulf”ga yuqori manfiy kuchlanish berilishi bilan elektronlar “istokda “tunnel”lashadi.
Flesh-xotira (inglizcha flash-memory) — bu yarim o‘tkazgichlar (integral mikrosxemalar) asosida yaratilgan, axborotning saqlanishi uchun qo‘shimcha energiya talab qilmaydigan (energiya faqat axborotni yozishda ishlatiladi), ma’lum bir o‘lchamdagi axborotni dasturiy yozish sikli cheklangan, axborotni dasturiy qayta o‘qib olish sikli cheklanmagan, axborotni dasturiy yo‘llar bilan uzatish uchun mo‘ljallangan ixcham o‘lchamdagi zamonaviy xotira qurilmasi hisoblanadi.
Flesh-xotiraga axborotni yozish jarayoni
Flesh-xotira axborotni yacheyka (cell) deb ataluvchi “qulfi suzuvchi” tranzistorlar massivida saqlaydi. An’anaviy qurilmalarda bir xil sathli har bir yacheyka bir bit axborotni saqlay oladi. Bunday qurilmalar inglizcha single-level cell, SLC deb yuritiladi. Ba’zi bir yaratilgan yangi qurilmalarda har bir yacheykaga bir bitdan ko‘p bo‘lgan axborotni saqlay olish imkoniyatiga ega.



Flesh-xotira qurilmalaridagi axborotni o‘chirish uchun boshqaruvchi qulfga manfiy yuqori kuchlanish beriladi va elektronlar suzuvchi qulfdan chiqish yo‘liga oqib o‘tadi (tunnellashadi). ILI NE (NOR) arxitekturali flesh xotira qurilmalarida har bir tranzistorga alohida kontakt keltirishni talab qilinishi tufayli u qurilmaning fizik hajmini kattalashtirib yuboradi. Bu muammo I-NE (NAND) arxitekturali flesh-xotira qurilmalarida o‘z yechimini topgan.
Xulosa
Barcha texnologiyalar kabi, uni qo'llashning ortiqcha va kamchiliklari ham bor. Fleshli xotiradan (va uni ishlatadigan qurilmalardan) foydalanishning eng aniq afzalliklaridan biri shundaki, u mexanik qismlarga zarar etkazishi yoki osongina zarar etkazishi mumkin. Raqamli musiqani ijro etadigan MP3 pleyerlar va boshqa qurilmalar uchun bu vibratsiya zarbasidan, tasodifiy magnit yo'qotishlardan va boshqalardan himoya qilinadigan mukammal saqlash muhiti. Flash xotirasi ham nisbatan arzon va saqlash uchun yaxshi tanlov bo'lishi mumkin - har ikkala ishlab chiqaruvchilar uchun qo'shimcha qurilmalar va xotira kartochkalari ko'rinishida xarid qilishni istagan iste'molchilar.