Ярим ўтказгичли диодлар ва уларнинг турлари


Download 441.93 Kb.
bet3/6
Sana11.03.2023
Hajmi441.93 Kb.
#1258230
1   2   3   4   5   6
Bog'liq
Muhlisa yarim o\'tkazgichli diodlar

Varikaplar

Varikaplar

Varikap elektr yordamida boshqariladigan sigʻim sifatida qoʻllanishga moʻljallangan. Varikapning ishlash prinsipi elektr oʻtish toʻsiq sigʻimining teskari kuchlanishga bogʻliqligiga asoslangan.

Varikaplar asosan tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda qoʻllaniladi. Varikaplarning bir necha turi mavjud. Masalan, parametrik diodlar oʻta yuqori chastota signallarini kuchaytirish va generatsiyalashda, koʻpaytiruvchi diodlar esa keng chastota diapazoniga ega boʻlgan koʻpaytirgichlarda qoʻllaniladi.

4. Tunnel diodlari

Tunnel diodi deb qoʻzgʻotilgan yarim oʻtkazgich asosida loyihalangan yarim oʻtkazgichli asbobga aytiladi. Unda teskari va uncha katta boʻlmagan toʻgʻri kuchlanishda tunnel effekti yuzaga keladi va volt–amper xarakteristikada manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan soha mavjud boʻladi.

Tunnel diodlar boshqa turdagi diodlardan sezilarli farq qilmaydi, lekin ularni yasash uchun 1020 sm-3 kiritmaga ega boʻlgan yarim oʻtkazgichli materiallar qoʻllaniladi.

5. Generator diodlar

5. Generator diodlar

Generator diodlaridan biri boʻlib koʻchkili–uchma diodlar (KUD) hisoblanadi. Uning VAXsida r-n oʻtishdagi koʻchkisimon teshilishda yuqori chastotalarda manfiy qarshilikka ega boʻlgan soha yuzaga keladi. Agar KUD rezonatorga joylashtirilsa, unda chastotasi 100 GGsgacha boʻlgan soʻnmaydigan tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlarning chiqish quvvati (f=1 GGs boʻlganda) 10 Vtgacha yetishi mumkin. KUDning FIK 30-50 %ga yetadi.

Generator diodining yana bir turi boʻlib Gann diodi hisoblanadi, u uzunligi 10-2-10-3 smdan iborat (r-n oʻtishsiz) boʻlgan bir jinsli yarim oʻtkazgich plastinka koʻrinishida boʻladi. Plastinkaning yon qismlariga katod va anod deb ataluvchi metall kontaktlar surtiladi. Gann diodlarini yasash uchun n-turdagi oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan intermetall birlashmalar - GaAs, InSb, InAs va InPlar qoʻllaniladi. Diod tebranma konturga joylashtiriladi. Kontaktlarga oʻzgarmas kuchlanish berilganda Gann diodida kuchlanganligi 3∙103 V/sm boʻlgan elektr maydon hosil qiladigan chastotasi 60 GGs boʻlgan elektr tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlar quvvati 10 – 15 Vtgacha yetishi mumkin, FIK esa 10-12 % ga yetadi.


Download 441.93 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling