Yarimo’tkazgichlarda xususiy o’tkazuvchanlik. Yarimo’tkazgichli asboblar(diod,tranzistor) va ularning texnikada qo’llanishi

Yarimo’tkazgichli asboblar (diod,tranzistor) va ularning texnikada qo’llanishi.

Biror yarimo'tkazgich kristalining bir tomonida n-turdagi, ikkinchi tomonida p-turda-
gi yarimo'tkazgichni hosil qilaylik (1-rasm).Yarimo‘tkazgichning o'rta qismida erkin elektronlar tezgina bo'sh kovaklarni to'ldiradi.Natijada yarimo‘tkazgichning o'rta qismda zaryad tashuvchilar bo'lmagan soha hosil bo'ladi. Bu sohaning xususiyati dielektriknikiday bo'ladi.
Shunga ko'ra bu soha bundan keyin elektronlarning p-sohaga,kovaklarning n-sohaga o'tishiga to'sqinlik qiladi, Shu sababli uni berkituvchi qatlam deyiladi.
Mazkur yarimo'tkazgichni tok manbayiga ulaylik. Dastlab yarim o'tkazgichning p-sohasini manbaning manfiy qutbiga, n-sohasini manbaning musbat qutbiga ulaylik (2-rasm).Bunda elektronlar_manbaning musbat qutbiga, kovaklar_ manbaning manfiy qutbiga _tortiladi. Natijada_berkituvchi_qatlam —_kengayadi.Yarimo'tkazgich orqali deyarli tok o'tmaydi. Bunday holat teskari p-n o'tish deb ataladi.

Endi yarimo‘tkazgichning p-sohasiga manbaning musbat qutbini, n-sohasiga manbaning manfiy qutbini ulaylik. Bunda elektronlar n-sohadan itarilib p-sohaga tortiladi.

Kovaklar esa p-sohadan itarilib, n-sohaga tortiladi. Natijada berkituychi qatlam torayadi va undan zaryad tashuvchilar o'ta boshlaydi (3-rasm).Yarimo'tkazgichdan tok o'tadi. Bunday holatni to'g'ri p-n o'tish deyiladi. To'g'ri p-n o'tishda yarimo‘tkazgichning elektr qarshiligi, teskari pno'tishga nisbatan bir necha marta kichik bo'ladi. Yarimo'tkazgichda p-n o'tish tufayli tok fagat bir yo'nalishda o'tadi. Uning bu xususiyatidan yarimo'tkazgichli asboblarda foydalaniladi.

Yarimo‘tkazgichli diod Yarimo'tkazgichlarda p-n o'tishni hosil qilish uchun p va n o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan ikkita yarimo‘tkazgichni mexanik ravishda ulash yetarli bo'lmaydi. Chunki bu holda ulardagi oraliq katta bo'ladi. p va n o'tishdagi qalinlik atomlararo masofaga teng bo'ladigan darajada kichik bo'lishi kerak. Shu sababli donor aralashmaga ega bo'lgan germaniy monokristali yuzalaridan biriga indiy kavsharlanadi. Diffuziya hodisasi indiy atomlari germaniy monokristali ichiga kiradi. Natijada germaniyida p-turdagi o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan soha hosil bo'ladi.

Germaniy monokristalining indiy atomlari kirmagan sohasi avvalgidek n-turdagi o'tkazuvchanlikka ega bo'ladi. Oraliq sohada p-n o'tish hosil bo'ladi ( a-rasm).Bitta p-n o'tishga ega bo'lgan yarimo'tkazgichli asbobga yarimo'tkazgichli diod deyiladi. Yarimo'tkazgichli diodga yorug'lik, havo va tashgi elektr, magnit maydonlarining ta’sirlarini kamaytirish uchun germaniy kristali_ germetik berk metall qobiqga joylashtiriladi. Yarimo'tkazgichli diodning —shartli belgisi (b-rasm)da keltirilgan.