Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий


Соответствие исследования приоритетным направлениям развития


Download 0.89 Mb.
Pdf ko'rish
bet17/33
Sana14.11.2023
Hajmi0.89 Mb.
#1773213
1   ...   13   14   15   16   17   18   19   20   ...   33
Bog'liq
1606823771714290daraja

Соответствие исследования приоритетным направлениям развития 
науки и технологий Республики. Данная диссертационная работа 
выполнена в соответствии с приоритетным направлением развития науки и 
технологий 
Республики 
Узбекистан: 
ППИ-3-“Энергетика, 
энергоресурсосбережение, транспорт, машино- и приборостроение; развитие 
современной электроники, микроэлектроники, фотоники, электронного 
приборостроения” и имеет важную значимость для развития современной 
электроники.
Степень изученности проблемы. В последние годы, ученые в сфере 
нанотехнологий и наноэлектроники уделяют огромное внимание проблемам 
получения кластеров примесных атомов - (КПА) и в частности, технологий 
получения бинарных кластеров на основе различных примесей с 
управляемой структурой и составом. В своих работах М.Г. Мильвидский, 
И.В. Бажин, Ю.А. Астров изучили распределение и состояние КПА в 
полупроводниках. Атомную структуру нанокластеров и их межатомное 
взаимодействие с различными примесными атомами исследовали Е.А. 
Михайлов, А.Т. Косилов, А.А Таскин, Е.Г Тишковский. В работах J. Lindroos 
и др. использованием современных экспериментальных методов была 
показана D
Ni
(T)=(1,6960+/-74)·10
-4
exp(-0,15+/-0,04эВ/k(B)T) см
2
/с высокая 
диффузионная способность никеля.
Электрические параметры полупроводниковых материалов связанные с 
термодефектами исследовались Е.А. Климановым, Е. Weber, H.G. Riotte, 
Zhang Xiangli, Sun Zhaowei. В работах И.Б. Чистохина, К.Б. Фрицлера и Г.Е. 
Айвазяна была изучена возможность эффективного геттерирования 
структурных дефектов и быстродиффундирующих ПА слоями пористого 
кремния при высокотемпературном отжиге. 
В Узбекистане академиком А.Т. Мамадалимовым исследовалось 
температурное гашение фотопроводимости кремния, легированного 
различными примесями. В работах Ш. Махкамова, Н.А. Турсунова, К.П. 
Абдурахманова был разработан способ управления радиационными 
дефектами в кремниевых приборах. А.О. Курбановым было изучено влияние 
кластеров примесных атомов никеля на рекомбинационные свойства 
кремния. Ш.Б. Утамурадовой и Н.А Тургуновым было изучено образование 


примесных микровключений никеля и марганца в кремнии. В научной школе 
академика М.К. Бахадырханова, было научно обосновано формирование 
кластеров примесных атомов в решетке кремния.

Download 0.89 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   13   14   15   16   17   18   19   20   ...   33




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling