Связь диссертационного исследования с планами научно-
исследовательских работ научно-исследовательского учреждения, где
выполнена диссертация. Диссертационная работа выполнялась на кафедре
ТГТУ «Цифровая электроника и микроэлектроника» и на кафедре КГУ
«Физика полупроводников» согласно программе государственных грантов:
ОТ-Ф2-50 «Разработка научных основ формирования элементарных ячеек
A
II
B
VI
и A
III
B
V
в решетке кремния - новый подход в получении
перспективных материалов для фотоэнергетики и фотоники» в 2017-2020
годы;
ОТ-Ф2-55
«Разработка
научных
основ
получения
обемнонаноструктурированого
кремния
на
основе
формирования
нанокластеров примесных атомов как нового класса наноматериалов с
уникальными функциональными возможностями» в 2017-2020; ОТ-Ф2-77
«Совершенствование методов прогнозирования надежности полупровод-
никовых приборов на основе моделирования с учетом внутренних дефектов
структуры» в 2017-2020 годы.
Целью исследования является создание физических основ
геттерирования в решетке кремния кластерами примесных атомов никеля для
получения кремния со стабильными электро и рекомбинационными
параметрами.
Задачи исследования:
исследовать формирование электронейтральных КПАН в решетке в
зависимости от типа и концентрации исходных примесных атомов (ПА). А
также исследовать условия диффузионного легирования и определить их
распределение по объему кристалла;
создать физические основы управления состоянием КПАН в решетке и
исследовать их состав, структуру, размер и распределение современными
микроскопическими методами;
определить механизм синхронного движения всех КПАН и установить
их миграционные параметры в решетке кремния;
установить физический механизм геттерирования неконтролирующих и
вредных ПА в решетке кремния, основанный на миграции кластеров никеля;
разработать и рекомендовать для внедрения технологии, позволяющие
сохранять исходные электрические и рекомбинационные параметры кремния
при различных условиях термообработки.
Do'stlaringiz bilan baham: |
