Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Объектом исследования является монокристаллический кремний 
маркой КДБ и КЭФ с кристаллографической ориентацией поверхности (111) 
с концентрацией бора и фосфора (N
B
,N
P
=10
13
÷10
18
см
-3
). Для примесных 
атомов было выбрана элементы никель, сера и марганец. 
Предметом исследования является, технология управления состоянием 
КПАН их составом, структурой, размером и распределением в решетке 
кремния. А также разработка нового оригинального способа сохранения 
исходных электрических и рекомбинационных параметров кремния, при 

---

различных условиях термоотжига на основе геттерирования КПАН 
различных «вредных» ПА и дефектов.
Методы исследований. При выполнении работы и изучении 
постановленных 
задач 
были 
использованы 
современные 
методы 
микрозондового 
анализа, 
масс-спектрометрия 
вторичных 
ионов, 
сканирующий электронный микроскоп, ИК-микроскоп и атомно-силовой 
микроскоп. 
Научная новизна исследования заключаются в следующем: 
определены термодинамические условия формирования КПАН и 
управления их концентрацией, составом, структурой и распределением по 
кристаллу на основе современных микроскопических исследований; 
установлено, что формирование КПАН не зависит от типа и 
концентрации исходных ПА в кристалле; 
впервые обнаружено новое явления упорядочение КПАН, их размер не 
зависит от плотности дислокаций в кристалле; 
впервые обнаружено новое явления формирование кластерных линий, 
где упорядочение кластеров объяснено смещением мелких кластеров в 
кристаллической решетке (КР), при определенных термодинамических усло-
виях и предложена модель его структуры; 
впервые предложен механизм упорядочения КПАН за счет синхронной 
и одновременной миграции всех атомов никеля в кластерах, находящихся в 
междоузельном положении в КР; 
впервые обнаружено новое явление коллективное перемещение КПАН в 
решетке кремния и определен коэффициент миграции данных кластеров, 
который на 1,5÷2 порядка меньше, чем коэффициент диффузии атомов 
никеля;
установлен эффект геттерирования КПАН различных специально 
введенных “вредных” дефектов и неконтролируемых ПА (O
2
, Fe, Mn и др); 
установлено, что эффективное взаимодействие атомов кислорода с 
КПАН существенно подавляет генерацию термодоноров, возникающих при 
различных условиях термообработки материала; 
впервые экспериментально показано, что формирование КПАН в 
полупроводниковых материалах, в том числе в КР кремния, позволяет 
получить объемно нано и микро структурированный материал - как новый 
класс полупроводникового материала с уникальными функциональными 
возможностями для электроники, оптоэлектроники и фотоэнергетики.