Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Внедрение результатов исследования. Основные результаты нового и 
оригинального способа диффузионного легирования кристаллов кремния 
никелем, не приводящего к изменению их исходных электрических и 
рекомбинационных параметров и позволяющего сохранить данные 
параметры при последующих дополнительных термоотжигах в широком 
интервале температур от 100 ºС до 1100 ºС, используя впервые открытый 
эффект геттерирования кластерами атомов никеля различных «вредных» 
дефектов и неконтролируемых примесных атомов (Fe, Mn, O
2
и др), были 

---

внедрены и использованы в АО «ФОТОН» (справка за № 04-1/1425 от 4 
августа 2020 года дана акционерной компании «Ўзэлтехсаноат»). 
Использование научных результатов позволило повысить термостабильность 
и увеличить выход годных с одинаковыми параметрами изготавливаемых 
кремниевых диодных структур. 
Разработанный новый способ стабилизации времени жизни неосновных 
носителей заряда в кремнии, не зависимо от его типа проводимости и 
концентрации исходных примесных атомов в широкой области температур 
до 1200 °С, на основе предварительного легирования кремния никелем при 
температуре Т=1100÷1200 °С в течении t=30÷60 минут на уровне 
образования кластеров, позволил оптимизировать технологический процесс 
низкотемпературного 
корректирующего 
отжига 
при 
производстве 
кремниевых низковольтных стабилитронов и ограничителей напряжения в 
АО «НЗПП с ОКБ» (Справка № 04/401-225 АО «НЗПП с ОКБ» от 23 июля 
2020 года). Использование разработанного технологического решения в АО 
«НЗПП с ОКБ» в целом имеет особенно большую практическую значимость 
при производстве диодных p-n структур, требующих предельных уровней 
концентрации легирующих примесей, полученных диффузионным способом. 
В процессе выполнения в период 2012-2016 гг. фундаментального 
проекта ОТ-Ф-2-41 «Теоретические и экспериментальные исследования 
процессов распыления, внедрения атомов, образования наноразмерных 
структур и напряженных слоев при имплантации ионов в материалы 
различной природы (металлы, полупроводники и диэлектрики)», были 
использованы результаты данной диссертационной работы.
Использование данных научных результатов позволило получить 
полупроводниковый материал с управляемой наноразмерной структурой со 
стабильными электрофизическими параметрами, что в целом повысило 
эффективность 
проводимых 
фундаментальных 
экспериментальных 
исследований процессов распыления, внедрения атомов, образования 
наноразмерных структур и напряженных слоев при имплантации ионов в 
полупроводники. (Справка № 89-03-2651, 27 июля, 2020 года, Министерства 
высшего и среднего специального образования РУз). Полученные результаты 
также могут быть успешно применены при мелкосерийном производстве, а 
также при изготовлении более эффективных кремниевых солнечных 
элементов, как в промышленном масштабе, так и в научных лабораториях 
АН и ВУЗов.