Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

атомов никеля в кремнии и управление их параметрами» приводится 
технология получения образцов с кластерами примесных атомов, методика 
проводимых экспериментов, описываются используемые экспериментальные 
приборы и электрическая схема установки. Рассмотрены термодинамические 
и технологические условия формирования кластеров примесных атомов в 
полупроводниках. Методы исследования состояния примесных кластеров и 
их влияния на свойства образцов. Технология получения кремния с 
кластерами атомов никеля. Влияние типа и концентрации исходных 
примесей на состояние кластеров. Влияние условий легирования на 
состояние кластеров атомов никеля. 
В третей главе диссертации под названием «Миграция и 
геттерирующие свойства кластеров примесных атомов никеля в 
кристаллической решетке кремния» приведены результаты исследования 
состава и размера кластеров атомов никеля в кремнии легированном 
различными другими примесными атомами (марганца, железа и серы). 
Предложена физическая модель структуры кластеров примесных атомов 
никеля в кристаллической решетке кремния. 

---

Впервые установлено очень интересное и новое явление - миграция 
кластеров примесных атомов никеля, позволяющее управлять их положением 
и состоянием в кристаллической решетке кремния. Определено, что кластеры 
примесных атомов никеля диффундируют с аномально большим 
коэффициентом миграции. Рассчитан коэффициент миграции кластеров 
примесных атомов никеля, при температуре T=800 °C коэффициент 
миграции кластера D≈1,2·10
-8
÷10
-9
см
2
/c, это значение почти на 1,5÷2 порядка 
меньше, чем коэффициент диффузии атомов никеля при данной температуре.
Определены геттерирующие свойства кластеров примесных атомов 
никеля в кристаллической решетке кремния. Кластеры примесных атомов 
никеля в кристаллической решетке кремния могут геттерировать различные 
«вредные» загрязняющие объём полупроводника примеси, а также атомы 
кислорода, стимулирующие генерацию рекомбинационных центров и 
термодефектов.
Интересные результаты были обнаружены при T=800 °С, при этом, 
четко в определенном направлении происходит упорядочение кластеров и 
этот процесс заканчивается формированием кластерных цепочек длиной 
400÷450 мкм, состоящих из многочисленных кластеров (рис.1.б). Остальные 
части кристалла, как видно из рис.1.б, становятся полностью прозрачными, 
то есть в этой области образца, кластеры практически отсутствуют. 
Эти данные показывают, что при термообработке в области температур 
T=700÷800 °С происходит упорядочение кластеров. Это явление невозможно 
объяснить без смещения кластеров из своих исходных состояний, т.е. их 
миграции в решетке.