Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич 
физика-математика фанлари доктори, профессор 
 
Етакчи ташкилот:
 
Наманган муҳандислик технология институти

 
Диссертация ҳимояси Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар 
физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи 
DSс.03/30.12.2019.FM/T.01.12 рақамли Илмий кенгашнинг 2020 йил «___» _________ соат ______ 
даги мажлисида бўлиб ўтади (Манзил: 100057, Ўзбекистон,Тошкент шаҳри, Янги Олмазор кўчаси, 
20-уй. Тел. [phone], факс: [phone], e-mail: [e-mail], ЎзМУ қошидаги 
ЯФМ ИТИ мажлислар зали). 
Диссертация билан Ахборот технологияларини жорий этиш бўлимида танишиш мумкин.
(_____ рақам билан рўйхатга олинган). (Манзил: 100057, Ўзбекистон, Тошкент шаҳри, Янги 
Олмазор кўчаси, 20-уй. Тел.: [phone]; e-mail: 
[e-mail]
.)
Диссертация автореферати 2020 йил « 09 » 11 куни тарқатилди.
(2020 йил «___» _______ даги ____ рақамли реестр баённомаси).
 
Ш.Б. Утамурадова,  
Илмий даражалар берувчи Илмий кенгаш 
раиси, ф.-м.ф. д., профессор
 
 
Ж.Ж. Хамдамов,  
Илмий даражалар берувчи Илмий кенгаш 
илмий котиби, (PhD)
 
 
Х.К. Арипов,  
Илмий даражалар берувчи Илмий кенгаш
қошидаги илмий семинар раиси,
ф.-м.ф. д., профессор 

---

КИРИШ (Фалсафа доктори диссертациясининг (PhD) аннотацияси)
 
 
Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Сўнгги йилларда 
дунёда ҳажмий нанотузилмали яримўтказгич материалларни олиш ва 
уларнинг ҳусусиятларини тадқиқ этишга жуда катта эътибор қаратилмоқда. 
Бундай эътибор бу материалларни қўллаш имкониятлари одатдаги анъанавий 
яримўтказгич материалларга нисбатан анча истиқболли эканлиги билан 
асосланган. Шу билан бирга ҳажмий нанотузилмали бу материалар асосида 
микроэлектрон қурилмаларнинг тубдан янги синфини яратиш имконини 
берадиган бир қатор физикавий ҳодисалар кузатилган. Турли табиат ва 
ҳусусиятларга эга бўлган киришма атомларнинг нанокластерларини кремний 
кристалл панжарада шакллантириш кристалл панжарада нанотузилмалар 
ҳосил қилишнинг истиқболли усулларидан бири ҳисобланади.
Никел киришма атомларининг кластерларни (НКАК) шакллантириш ва 
уларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ этиш борасида сўнги йилларда 
С. Зайнабиддинов ҳамда М.К. Бахадирхановнинг илмий мактабларида бир 
қатор диссертация ишлари ҳимоя қилинган. Бироқ бу ишларда “зарарли” 
киришмаларни геттерлаш ҳамда термик ишлов вақтида бошқа киришма 
атомларнинг, айниқса, ўтиш гуруҳи элементларининг атомларини (ЎГЭА) 
таъсири, каби турли ташқи таъсирлар натижасида дастлабки материалнинг 
параметрларини барқарор қилишдаги муаммосига амалий жиҳатдан аҳамият 
берилмаган. 
Мазкур ҳолат ЎГЭАнинг кейинги технологик термоишловлар вақтида 
кремнийдаги термонуқсонлар ва турли хил рекомбинацион марказларнинг 
генерацияси (пайдо бўлиши)ни тезлаштириши мумкинлиги билан 
тушунтирилган. Бундай ҳолатлар дастлабки материалнинг электрофизик 
параметрларини жиддий тарзда ёмонлаштириши мумкин. Ушбу масалалар 
кремнийдаги “зарарли” киришмаларни НКАКлари билан геттерлаш 
механизмини етарлича тушунтириб беришда ва бундай материаллар асосида 
ташқи термик таъсирларга учрайдиган турли хил янги микроэлектрон 
асбобларни яратишдаги амалиётда қўллашда жуда муҳим ва долзарб 
ҳисобланади. 
Хусусан, нано ва микроэлектрониканинг энг муҳим вазифаларидан бири 
ташқи таъсирларга чидамли кремний ишлаб чиқариш бўлиб, ундан барқарор 
параметрларга эга яримўтказгичли қурилмаларни ясашда фойдаланиш 
мумкин. Ушбу йўналишда кремний кристалл панжарасида жойлашган ва 
турли хил термик ишлов вақтида фаоллашадиган бошқариб бўлмайдиган 
киришма атомларини геттерлаш имкониятини берувчи технологик усуллар 
ишлаб чиқилди. 
Диссертация ишида бажарилган ва тадқиқ қилинган илмий муаммолар 
маълум маънода Ўзбекистон Республикаси Президентининг № УП-4947- сон 
Фармонида кўзда тутилган вазифаларнинг ижросини таъминлашда хизмат 
қилади. “Ўзбекистон Республикасини ривожланиши бўйича ҳаракат 
стратегиясини 2017-2021 йиллар” 2017 йил 7-февралдаги Президентнинг 
Қарори, 
“Тошкент шаҳрида Федерал давлат автоном таълим олий муассасини 

---

олий таълимнинг “МИФИ” ядро универститети миллий тадқиқотини 2018 
йил 20-июндаги фаолиятини ташкил қилиш ва яратиш тўғрисида”ги 
№ ПП-
3875-сон
, 
“Олий маълумотга эга бўлган мутахасисларни тайёрлашнинг 
сифатини иқтисод соҳасида ва уларни турли соҳаларида иштирокини 
кенгайтириш чоралари ҳақида” ги 2017 йил 27-июлдаги, № ПП-3151-сон, 
“Илмий тадқиқот муассасаларини инфраструктурасини мустаҳкамлаш ва 
инновацион фаолиятни ривожлантириш чоралари тўғрисида”ги 2017-йил 1-
ноябрдаги № ПП-3365 –сон ва “Илмий ва инновацион фаолиятни интеграция 
тизимини эффективлигини ошириш чоралар тўғрисида” ги 2018 йил 6 
августдаги № ПП-3899-сон Қарорлари, шунингдек, физика соҳасида чуқур 
фундаментал ва амалий тадқиқотларни ўтказиш вазифалар ва инновацион 
технологияларни ишлаб чиқаришда мамлакатимиз реал иқтисод секторининг 
талабларидан келиб чиқиб, ёш олим ва талабаларни илмий жараёнга кенг 
жалб қилиш ҳақидаги Қарорларнинг ижросини таъминлашга хизмат қилади.