3 – Amaliy mashg’ulot. Yarimo’tkazgichli maydon tranzistor parametrlarini hisoblash

3 – Amaliy mashg’ulot. Yarimo’tkazgichli maydon tranzistor parametrlarini hisoblash

Maydonli tranzistorlar
M aydonli tranzistorlar deb boshlangich elektrod (istok) va zatvor oraligiga tashqaridan kuchlanish berilganda ularning kanalidav utayotgan tok elektr maydon orqali boshqariladigan yarim o’tkazgich asbobga aytiladi. Maydonli tranzistorlardagi ish toki bir xil ishorali eltuvchilar tomonidan yuzaga keladi. SHuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ham nomlanadi. Bunday tranzistorlar ikki xil bo’ladi. p—r- o’tishli boshqaruvchi maydonli tranzistor-lar va izolyasiya zatvorga ega bo’lgan (MDP — tranzistorlar) maydonli tranzistorlar (MDP — metall, dielektrik va yarim o’tkazgich ma’nosini bildiradi). MDP tranzistarlar uz navbatida ikki xil bo’ladi: a) ichida kanal hosil qilinib tayyorlangan, b) induksiyalangan kanalli (bunda tranzistor-ning doimiy kanali bulmaydi). Turli tipdagi maydonli tranzio torlarning tuzilishi 5.19-rasmda berilgan. Rasmdan ko’rinishicha, tranzistorning bir qancha sosalari va elektrodlari bor: boshlangich elektrod (istok)— yarim o’tkazgich kanal iga zaryad eltuvchilar haydaladigan elektrod; kanal — kristallning kesim yuzini uzgartirib zaryad eltuvchilar oqimini boshqaradigan soxji; oxirgi elektrod (stok) — zaryadlarni kanaldan chiqishda tuplaydigan elektrod. Bopo’aruv kuchlanishi esa zatvor deb ataladigan. elektrodga beriladi.


19-ras. Maydonli tranzistorlarning tuzilishi: a) boshqaruvchi p—r o’tish bilan, b) ichki kanalli MDP tranzistori, v) indutsirlan-gan kanalli. MDP tranzistori; J — istok, 2 — zatvor (tusiq), 3 — kanal, 4 — stok, 5 — dielektrik, 6 — taglik.

p—r- o’tish bilan bono’ariladigan tranzistorlarda kanal zatvor sohasida kichik kesim yuzaga ega bo’lgan p yarim o’tkazgich kristallining bir qismi bilan hosil qilingan (5.19- raem, a), p yarim o’tkazgichga bevosita r soha tegib turadi va natijada p—r o’tish hosil bo’ladi. Zatvor va istok orasida kuchlanishni uzgartirib (i_zi) r sohaning kesim yuzini uzgartirish, kristall o’tkazuvchanligini rostlash va asosiy zaryad tashuvchilar - elektronlarning dreyf harakati tomonidan hosil qilinayotgan, stokdan kanal orqali istokka utayotgan tokni boshqarish mumkin. 20- rasm, b da boshqaruv kanali bo’lgan tranzistorning VAX kursatilgan, MDP tran-zistorlari ishlaganda maydon effektы deb ataluvchi xrdisadan foydalaniladi. Buning mohiyati shuki, kristallda tashqi manba tomonidan uning ustki qatlamining elektr o’tkazuvchanligini o’zgartiruvchi elektr maydon xosil kilinadi. Ikki xil MDP tranzistorlarining zanjirlari va tuzilishi 5.21- rasmda kursatilgan.
Qalinligi 150 ... 200 mkm va solishtirma qarshiligi bir necha Om*sm bo’lgan MDP tranzistorining p tipli plastinkasida kovak-lar konsentratsiyam katta bo’lgan, r tipli ikkita soha (stok va istok) hosil k;ilinadi (5.21- raem, a). Sohalar orasidagi masofa (kanal uzunligi), qatlam chuqurligi 5 nm gacha olinganda 5 ... 50 mkm ni tashkil etadi. Kristall yuzida avval yupsa dielektrik qatlam(0,1 mk atrofida), kanalning pastki qismida esa, istok, zatvor va stok tomonlaridan metall kontaktli plyonka satlami hosil qilinadi.