Qidiruv: ясалган
Мельхиордан ясалган пичок ва вилкаларнннг асосин тавсифи-
VII. Қимматбаҳо металлардан ва қимматбаҳо тошлардан ясалган буюмлар билан чакана савдо қилиш хусусиятлари
- Иқтисодиёт / Савдо ва хизматлар кўрсатиш]
-расм.Сирти силлиқ қувурлардан ясалган иситиш асбоблари
- Маъруза № Иситиш асбобларининг классификацияси. Режа
қоғоздан ясалган гул
- «otam haqida» kitobidan habibulla Qodiriy begona mehmonlar
Резерфорд, шогирди Чадвик билан мис, олтин ва платина металларидан ясалган пластинкалар (калинлиги тахминан 0,0005 мм) сиртига (-заррачалар ёгдириб, уларнинг металдан утиш йулларини текширди)
- Атом тузилиши
Жиҳозлар: ҳалқа, конуслар, 9 та мослама (150 гр матодан тикилган ёки ёғочдан ясалган бўлади) Жамоалар таркиби
- 1-ўйин “Ким чаққон” Жиҳозлар
Рўзғор буюмлари ва озиқ-овқат номларидан ясалган номинациялар
- 3 1- боб. Баҳолаш кaтегориясининг тилшуносликдаги янги ёндашувлардаги талқини
-расм. БТда ясалган УЭ кучайтиргич схемаси
- 2– лаборатория иши бтда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
У7 углеродли пулатдан ясалган пармаларни термик ишлаш жараёнига мангит майдонини урганиш
- Ислом каримов номидаги тошкент давлат техника университети
-расм. Гофрир картонлардан ясалган қутилар
- Юкларнинг транспорт тавсифномасининг тушинчаси. Юкларнинг таснифи Юкларнинг транспорт тавсифномаси
БТда ясалган калитни узатиш характеристикасини тадқиқ этиш
- Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish. Operatsion kuchaytirgich asosidagi analog qurilmalarni tadqiq
Комплементар МДЯ - транзисторларда ясалган мантиқий элементлар (КМДЯМ)
- Электроника ва
Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган мантиқий елементлар (КМДЯМ)
- Мдя (металл диэлектрик яримўтказгичли) транзисторларда ясалган мантиқий элементлар
 | 8– лаборатория иши майдоний транзисторларда ясалган калит схемаларни тадқиқ этиш Ишнинг мақсади U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади 48.02 Kb.  2 | o'qib |
| 7- лаборатория иши майдоний транзисторларда ясалган калит схемаларни тадқиқ этиш Ишнинг мақсади U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади 48.01 Kb. 2 | o'qib |
 | 13– лаборатория иши майдоний транзисторларда ясалган калит схемаларни тадқиқ этиш Ишнинг мақсади U0 ҳамда мантиқий бир U1 сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади 61 Kb. 2 | o'qib |
| 7 маъруза: Эмиттерлари боғланган мантиқ. Мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар Vt2 таянч деб аталувчи доимий кучланиш манбаи U0 га уланган. Ток I0 қиймати транзисторнинг актив иш режимига мос келади ва эбм негиз элементларида I0 = 0 105.77 Kb. 3 | o'qib |
| 3- лаборатоия иши бтда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Ишнининг мақсади R1=1 кОм, R2=11 кОм, R3 кОм, R4 кОм, R5 кОм, R6=47 кОм, R7=20 Ом, R8=510 Ом, R9 6 кОм, R10=10кОм 65.67 Kb. 2 | o'qib |
| 5 лаборатория иши. Бтда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш Ишнинг мақсади R0, ҳамда диод уланиш схемасидаги vt1 транзистор vt2 транзистор сокинлик режимини таъминлаш ва барқарорлаш учун ҳизмат қилади 72.57 Kb. 1 | o'qib |
| 5 лаборатория иши. Бтда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш Ишнинг мақсади R0, ҳамда диод уланиш схемасидаги vt1 транзистор vt2 транзистор сокинлик режимини таъминлаш ва барқарорлаш учун ҳизмат қилади 21.61 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 116.65 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 197.51 Kb. 1 | o'qib |
| 3 – Амалий машғулот Аралаштиргичлар, уларнинг турлари, конструкцияси ва лойиҳаси I дан; 1200х50х50 мм ўлчамли иккита вертикал парраклар II дан; 50х50 мм ўлчамли бучак пўлатдан ясалган R2=1000 мм радиусли сфера (таянч) қисм III дан 34.84 Kb. 1 | o'qib |
| 3-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Ss улаб-узгич мавжуд бўлиб, улар ёрдамида 1 мА ёки 10 мА га тенг бўлган эмиттера токи iэ ўрнатилади. Амперметр А1 ва вольтметр V1 коллектор токи ва кучланишини ўлчаш учун хизмат қилади 53.54 Kb. 2 | o'qib |
| 3-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уб кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Ss улаб-узгич мавжуд бўлиб, улар ёрдамида 1 мА ёки 10 мА га тенг бўлган эмиттера токи iэ ўрнатилади. Амперметр А1 ва вольтметр V1 коллектор токи ва кучланишини ўлчаш учун хизмат қилади 273 Kb. 1 | o'qib |
| 2 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 22.31 Kb. 1 | o'qib |
| 3 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 188 Kb. 1 | o'qib |
| 11-Мавзу: Керамика ва сопол товарлари. Режа. Керамика товарларини туркумланиши, таркиби ва тузилиши. Истеъмол хоссалари ва шакллантирувчи омиллар «keramos» лой, «keramike» қўлоллик санъати сўзларндан олннган бўлиб, лойга минерал қўшимчалар қўшиб, тошдек холатгача қўйдириб ясалган буюмлар керамика товарлари дейилади 18.13 Kb. 1 | o'qib |