Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

2.8. MDY- tranzistorlar əsasında baza məntiq elementləri 
 
Planar texnologiyadan istifadə etməklə ilk izolə edilmiş zatvora malik 
MDY –tranzistor 1962-ci ildə yaradılmışdır. Bu tip tranzistorların geniş 
yayılmasına onun aşağıdakı xüsusiyyətləri səbəb olmuşdur: 
- hazırlanma texnologiyasının sadəliyi; 

---

56
- həndəsi ölçülərinin kiçikliyi və daha sadə sxemotexniki həll; 
- vahid sahəyə malik kristalda bipolyar İS-ə nəzərən daha mürəkkəb 
sxemlərin yaradılması mümkünlüyü; 
- yüksək omlu yükdən istifadə olunması ilə əlaqədar açarda səpələnən 
gücün azalması.
MDY- tranzistorlarda baza məntiq elementləri yaradılarkən aşağıdakı 
xüsusiyyətləri nəzərə almaq lazım gəlir: 
- MDY –tranzistor bipolyar tranzistora nəzərən daha zəif açar 
xüsusiyyətlərinə malikdir (bu böyük çıxış müqavimətinə və bununla bərabər 
qoşulmuş vəziyyətdə böyük qalıq gərginliyinə malik olması ilə əlaqədar);
- MDY –tranzistorun çıxış xarakteristikasının dU
S
/dU
Sİ
törəməsi, U
si
gərginliyinin kiçik qiymətlərində, U
Zİ
gərginliyindən hiss olunacaq asılılığa 
malikdir. Bunun nəticəsində MDY – tranzistorun qoşulmuş vəziyyətindəki qalıq 
gərginliyi idarəedici gərginlikdən güclü asılı olur (“0” səviyyəsi “1” 
səviyyəsindən güclü asılı olur); 
- fiksə olunmuş tutum halında yüksəkomlu yükün tətbiqi çıxış 
gərginliyinin ön və arxa cəbhələrinin davametmə müddətini təyin edən zaman 
sabitini artırır; 
- maneədavamlılığı artırmaq üçün səviyyələr arasındakı potensial fərqini 
artırmaq lazım gəlir ki, bu da elementin cəldliyini aşağı salır. 
Göstərilən çatışmazlıqları aradan qaldırmaq üçün yük rezistoru əvəzinə 
yük MDY - tranzistorundan istifadə edilir. Bu əlavə olaraq İS hazırlanma 
texnologiyasını bir qədər də sadələşdirir. MDY-tranzistorlu İS-də passiv 
elementlər olmur. İstifadə olunan tranzistorun növündən asılı olaraq İS nMDY 
və pMDY tipli olurlar. nMDY-tranzistorlu yükə malik açar sxemi şəkil 2.12,a-
da göstərilmişdir. Sxem 2Və-Yox əməliyyatını yerinə yetirir. Sxemdəki VT1 
tranzistoru aktiv müqavimət rolunu oynayır. VT2 və VT3 tranzistorları isə 
bilavasitə məntiq əməliyyatını yerinə yetirən açar rolunu oynayırlar. Bu 
sxemlərin xüsusiyyəti VT2 tranzistorunun real müqavimətinin VT1 
tranzistorunun iş rejimindən asılılığındadır.
MDY İS-in cəldliyini artırmaq üçün yük tutumunun dolma cərəyanını 
artırmaq lazım gəlir. Lakin cərəyanın artması sərf olunan gücün və çıxış məntiq 
səviyyələrinin qeyri-stabilliyinin artmasına səbəb olur. Bu ziddiyyətliliyi ya 
texnoloji yolla - kiçik giriş tutumlu tranzistorların yaradılması ilə, ya da 
sxemotexniki yolla – açar sxemini müxtəlif növ kanal keçiriciliyinə malik 
tranzistorlarda (komplementar tranzistorlar) yaratmaqla aradan qaldırmaq olar.
Komplementar tranzistorlarda (KMDY) yaradılan açarlar statik rejimdə qida 
mənbəyindən güc işlətmir. Statik rejimdə elementin sərf etdiyi güc onun yükə 

---

57
verdiyi güclə eyni olur. Sxemotexniki cəhətdən KMDY İS n-MDY (p-MOY) –
növ İS-in sxemini təkrarlayır. Fərq həmişə iki tranzistordan istifadə 
olunmasındadır. Verilmiş məntiq funksiyasını yerinə yetirmək üçün n-MDY 
tranzistorları ardıcıl, onun digər cütü olan p-MDY tranzistorlar paralel 
qoşulurlar və əksinə. Nümunə kimi, 2Və-Yox məntiq funksiyasını yerinə yetirən 
məntiq elementinin prinsipial elektrik sxemi şəkil 2.12,b-də göstərilmişdir.
Şəkil 2.12. MDY (a) və KMDY (b) tranzistorlarda 2Və-Yox məntiq elementi