Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

2.6. Emitter əlaqəli məntiqli baza məntiq elementləri 
 
Emitter əlaqəli məntiqli (EƏM) baza məntiq elementlərinin yaranması 
rəqəm qurğularının cəldliyinin artırılması lüzumu ilə əlaqədar olmuşdur. Məlum 
olduğu kimi, bipolyar tranzistorlarda yaradılan açarların ətalətliliyi qeyri-əsas 
yükdaşıyıcıların baza oblastından sorulması müddəti və çıxış tutumunun 
yenidən dolması prosesinin zaman sabiti ilə təyin edilir. Tranzistorun aktiv 
rejimdə işləməsi ilə sorulma müddətini tam aradan qaldırmaq mümkün olsa da, 
saman sabitini tam aradan qaldırmaq mümkün olmur. Zaman sabitinin təsirini 
ancaq tranzistorun kollektor cərəyanının artırılması ilə qismən aradan qaldırmaq 
olar. Tranzistorun çıxış tutumunun dolmasının dəyişməz sabit cərəyanı halında, 
onun bir məntiq səviyyəsindən digərinə və əksinə keçməsi müddətini azaltmaq 
üçün məntiq səviyyələri arasındakı gərginlik fərqini azaltmaq lazım gəlir. Bu 
halda çevrilmə cəldliyi artırsa da, sxemin maneədavamlılığı azalır.
EƏM baza ME–nin əsasını iki tranzistorda yaradılan cərəyan açarı təşkil 
edir (şəkil 2.8). Bu tranzistorlardan birinin, məsələn VT2 tranzistorunun baza-
sına müəyyən sabit U
d
dayaq gərginliyi verilir. X
0
girişinə verilən gərginliyin U
d
gərginliyindən aşağı və ya yuxarı dəyişməsi cərəyan stabilləşdirici R
e
rezistoru 
ilə verilən sabit İ
e
cərəyanının VT1 və VT2 tranzistorları arasında paylanmasına 
gətirib çıxarır. Bu zaman tranzistorlar doyma rejiminə keçə bilmirlər və bu 
səbəbdən açarda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların sorulma müddəti azalır. Beləliklə, 
EƏM baza ME –nin xüsusiyyəti açarın, çıxış siqnalının qiymətindən asılı 
olmayaraq, daimi cərəyan tələb etməsindədir. 
Şəkil 2.8. Cərəyan açarının sxemi 

---

53
EƏM baza ME – də ümumi şin +U
q
  şini olur, yəni sxemin nöqtələrinin 
bütün potensialları ümumi şinə nəzərən mənfi olur. Buna baxmayaraq cərəyan 
açarında, TTM sxemlərində olduğu kimi, müsbət məntiq prinsipi həyata 
keçirilir, yəni “1” səviyyəsinə yüksək, ”0” səviyyəsinə isə aşağı potensial uyğun 
gəlir. 
Cərəyan açarından eyni zamanda iki siqnal - düzünə və invers siqnallar 
götürülür: 
y
1
 = x
0
 , y
0
 = 
0
x
. 
Cərəyan açarının sxemi sxemotexnika cəhətdən, göründüyü kimi, 
diferensial sabit cərəyan gücləndiricisinə uyğun gəlir. 
EƏM baza ME - də çıxışlardan götürülən gərginliklər həmişə dayaq 
gərginliyindən böyük olurlar, çünki VT1 və VT2 tranzistorları həmişə aktiv - 
doymamış rejimdə işləyirlər. Bu səbəbdən bir neçə belə açarları ardıcıl qoşmaq 
mümkün deyildir. Belə açarları ardıcıl qoşmaq üçün razılaşdırıcı kaskad istifadə 
edilir. Belə kaskad kimi emitter təkrarlayıcısından istifadə edilir. Emitter 
təkrarlayıcısı açarın çıxışları ilə məntiq elementinin çıxışları arasına qoşulur. 
EƏM baza ME-nin tam sxemlərindən biri şəkil 2.9-da göstərilmişdir.
 
Şəkil 2.9. EƏM baza ME-nin prinsipial elektrik sxemi 
Baza elementi açarın giriş VT1 tranzistorunu paralel qoşulmuş VT1-VT
n
tranzistorları ilə əvəzləməklə yaradılmışdır. Sxemi 3 düyünə ayırmaq olar:
- VT1-VT
n+1
tranzistorlarındakı cərəyan açarı və R
n+2
rezistoru; 
- R
n+4
, VD1, VD2, R
n+5
elementlərində yaradılan parametrik stabilizator
və VT
n+2
və R
n+3
elementlərində yaradılan emitter təkrarlayıcısı qoşulmuş etalon 
gərginlik mənbəyi; 
- VT
n+3
və VT
n+4
tranzistorlarında yaradılan çıxış emitter təkrarlayıcıları. 
VT
n+3
və VT
n+4
tranzistorlarının yük dövrələri sxemdən kənara çıxarılır. 
Bu isə sxemdə səpələnən gücü azaldır və sxemin funksional imkanlarını 
genişləndirir. Etalon gərginlik mənbəyinin verici dövrəsindəki VD1 və VD2 
diodları U
d
gərginliyinin termokompensasiyası üçündür.

---

54