Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

n
X
X
X
Y
. 
Sxemin ayrı-ayrı elementlərinin təyinatına baxaq. 
Çıxış kaskadının iki taktlı sxem üzrə yaradılması eyni zamanda elementin 
cəldliyinin artırılması və enerji sərfinin azaldılması kimi iki məsələni həll 
etməyə imkan verir. Belə ki, elementin yükü adətən tutum xarakterli olduğundan 
iki taktlı çıxış kaskadının istifadə olunması yükün tutumunun yenidən dolma 
cərəyanını artırmağa imkan verir və qərarlaşmış «0» məntiq rejimində çıxış 
kaskadından ancaq yük cərəyanı axır.
Çoxemitterli tranzistorun giriş dövrəsinə qoşulmuş əlavə VD
0 
-VD
n-1
diodları məntiq elementini, onun girişində yarana biləcək əks işarəli 
gərginlikdən qoruyur. 
R3, R4 və VT3 elementlərindən ibarət qeyri-xətti korrektə dövrəsi 
elementin cəldliyini artırır və amplitud keçid xarakteristikasının düzbucaqlı 
olmasına imkan yaradır. Bu dövrənin işi onun müqavimətinin VT5 tranzistoru-
nun vəziyyətindən olan asılılığına əsaslanmışdır. Əgər bu tranzistor bağlıdırsa, 
VT3 tranzistoru da bağlı olur. VT5 tranzistorunun emitter keçidini şuntlayan 
dövrənin ümumi müqaviməti, əsasən, R3 rezistorunun böyük olan müqaviməti 
ilə təyin olunur. Odur ki, elementin çıxışında «0» gərginlik səviyyəsinin 
formalaşdırılması prosesinin başlanğıc mərhələsində VT2 tranzistorunun bütün 
emitter cərəyanı VT5 tranzistorunun bazasına axır və onun qoşulmasını başa 
çatdırır. VT5 tranzistoru qoşulduqdan sonra VT3 tranzistoru doyma rejiminə 
keçərək VT5 tranzistorunun emitter keçidini aşağı Omlu (müqavimətli) R4 
rezistoru ilə şuntlayır. Bu VT5 tranzistorunun doyma dərəcəsini azaldır və onun 
sonrakı açılması zamanı baza oblastından artıq qeyri-əsas yükdaşıyıcıları kənar 
edən cərəyanı artırır. Hər iki amil VT5 tranzistorunda yükdaşıyıcıların sorulması 
müddətini azaldır ki, bu da elementin cəldliyini artırır. 
Məntiq elementinin çevrilməsi zamanı cərəyan bir başa onun çıxış 
dövrəsinə axır. Bu cərəyan bağlanan tranzistorun sorulması müddətində iki taktlı 
çıxış gücləndiricinin hər iki tranzistorunun doymuş vəziyyətləri ilə əlaqədardır. 
Bu zaman elementin enerji sərfi impuls xarakterli olur (şəkil 2.3). Odur ki, 
çevrilmə tezliyi artdıqca elementin sərf etdiyi cərəyanın orta qiyməti artır. 
Bundan əlavə, birləşdirici naqillərin yaratdığı induktivliyin təsiri ilə cərəyan 
impulslarının axması qonşu elementlərin səhvən işədüşmələrinin yaranmasına 
səbəb ola bilər. 
Bir başa axan cərəyanının qiymətinin məhdudlaşdırılması üçün VT4 
tranzistorunun kollektor dövrəsinə R5 rezistoru qoşulur. Lakin bu rezistorun 
müqavimətinin həddən çox böyük olması elementdə ayrılan gücün artmasına və 
onun yüklənmə qabiliyyətinin azalmasına səbəb olur. Odur ki, maneələrin 

---

47
təsirini aradan qaldırmaq üçün qida şininin məxsusi induktivliyi kiçik olmalıdır 
və bütün xətt boyunca kiçik parazit induktivliyə malik əlavə kondensatorlarla 
şuntlama aparmaq lazımdır (şəkil 2.4). Bu cür texniki həllin istifadə olunması 
daxili maneələrin qurğuya təsirini minimuma qədər azaltmağa imkan verir. 
Şəkil 2.3. TTM elementinin qida gərginliyinin
və cərəyan sərfinin zaman diaqramları. 
Şəkil 2.4. TTM elementinin qida şininin kondensatorla şuntlanması. 
TTM məntiq baza elementlərinin istifadə edilməsi zamanı bir xüsusiyyətə 
də fikir vermək lazımdır. Elementin iş prinsipindən görünür ki, sxemin girişi 
siqnal mənbəyinə qoşulmayan halda, hesab etmək olar ki, onun girişinə «1» 
məntiq siqnalı verilir. Odur ki, təcrübədə, istifadə olunmayan girişlərin əlavə 
rezistor R
əlavə
ilə +U
qida
çıxışına qoşulması tövsiyə olunur. Əks halda, «1» 
məntiq siqnalı halında element böyük giriş müqavimətinə malik olduğundan, 

---

48
maneələrin ona təsir etmə ehtimalı kəskin artır, elementin etibarlılığı aşağı 
düşür. Əlavə müqavimətin qiyməti aşağıdakı şərtdən təyin edilə bilər: 
R
əlavə
< (U
qida
– U
1
gir. min
)/nİ
1
gir.max
, 
n – məntiq elementinin rezistora qoşulan girişlərinin sayıdır. 
Son zamanlar TTM seriyasına açıq kollektorlu və üç vəziyyətə malik
xüsusi sxemlər də daxil edilmişdir. 
Açıq kollektorlu «VƏ-YOX» elementi məntiq sxemlərini xarici icra və 
indikator qurğuları (işıq diodları, közərti lampası, rele sarğısı və s.) ilə 
razılaşdırılması üçün istifadə edilir. Bu sxem öz yükünə malik olmayan bir taktlı 
çıxış güc gücləndiricisi sxemi üzrə yaradılır. Belə sxemə malik məntiq elementi 
şəkil 2.5 - də göstərilmişdir. Bu element məntiq qurğusunun çıxışında 
yerləşdirildiyindən onda korreksiya dövrəsi olmur. Sxemin açıq kollektorlu 
tranzistoru (VT3), adətən, kollektor cərəyanının və gərginliyinin böyük buraxıla 
bilən qiymətinə hesablanır. 
Şəkil 2.5. Açıq kollektorlu «Və - yox» TTM
elementinin prinsipial elektrik sxemi 
Standart TTM elementlərindən fərqli olaraq, burada çıxış uclarının paralel 
qoşulmasına icazə verilir. Bu halda hər bir element çıxış siqnalına nəzərən 
«VƏ» məntiq əməliyyatını yerinə yetirir: Y=y
1
y
2
…y
n
. Bu, iki məsələni həll 
etməyə imkan verir: 
- «VƏ» əməliyyatını yerinə yetirən əlavə elementlərin aradan götürülməsi 
hesabına qurğunun sxemi sadələşir. 
- 
bir neçə çıxışın bir şinə işləməsinə imkan verir, yəni məlumatın 
zamana görə ayrılması rejimini həyata keçirir. 
Üçüncü vəziyyətə (yüksək impedanslı) malik «VƏ-YOX» məntiq 
elementi ümumi şinə bir neçə elementin birgə işləməsini təmin etmək üçün 

---

49
nəzərdə tutulmuşdur. Məlumdur ki, bir neçə standart TTM elementin çıxışlarını 
bilavasitə birləşdirmək mümkün deyildir. Əks halda, çıxış güc gücləndiricisinin 
tranzistorlarının sıradan çıxması baş verə bilər. Paralel qoşulmuş elementlərdən 
heç olmasa birinin çıxışında «0» məntiq siqnalının yaranması çıxışda «1» 
siqnalı formalaşdırmağa çalışır və qalan elementləri çıxışa nəzərən qısa 
qapanma rejiminə keçirir. Buna isə icazə verilmir.
Çıxışa nəzərən üçüncü vəziyyətə (yüksək impedanslı) malik «VƏ-YOX» 
elementinin prinsipial elektrik sxemi şəkil 2.6-da göstərilmişdir. 
Bu sxem əsasən standart «VƏ-YOX» elementinin sxem texnikasını 
təkrarlayır. Üçüncü çıxış vəziyyətini təşkil etmək üçün «VƏ» əməliyyatını 
yerinə yetirən çoxemitterli VT1 tranzistoru, VT6 tranzistorunda yaradılan 
tranzistor açarı vasitəsilə ümumi şinə qoşulan, n-ci emitterlə təchiz olunur. Açarı 
idarə etmək üçün standart TTM elementinin giriş kaskadını təkrarlayan sxemdən 
istifadə edilir. Bu sxemə giriş VT7 tranzistoru və VT8 tranzistorundakı 
gücləndirici daxildir. Gücləndirici emitter təkrarlayıcısı sxemi üzrə qoşulur. VT7 
tranzistorunun emitteri elementin üçüncü vəziyyətini idarə edən giriş olur (giriş 
z). Onun bazası R8 rezistoru vasitəsilə qida şininə, kollektoru isə VT8 
tranzistorundakı gücləndiricinin girişinə qoşulur. R6 rezistorundan götürülən 
siqnal VT6 tranzistor açarının vəziyyətini idarə edir. VT6 tranzistorunun 
kollektoru əlavə olaraq, VD
n+1
diodu vasitəsilə çıxış güc gücləndiricisinin VT4 
tranzistorunun bazasına qoşulur. 
Z girişindəki idarəedici siqnalın müxtəlif qiymətlərində bu elementin iş 
prinsipinə baxaq. 
Z=1 olan halda, VT7 tranzistorunun emitter keçidi əks, kollektor keçidi 
isə düz istiqamətdə sürüşmüş olur. Cərəyan qida şinindən R8 rezistoru vasitəsilə 
VT8 tranzistorunun bazasına axaraq onu doyma rejiminə keçirir. Eyni zamanda 
VT6 tranzistor açarı da doyur. Bu zaman çoxemitterli VT1 tranzistorunun 
emitterlərindən biri ümumi şinə qoşulur. Bu, elementin girişinə «0» siqnalının 
verilməsinə ekvivalent olur. Odur ki, digər giriş siqnallarının qiymətlərindən 
asılı olmayaraq, element çıxışında «1» siqnalı formalaşdırmağa çalışır, yəni VT2 
və VT5 tranzistorları bağlanır. VT4 tranzistoru da, onun giriş dövrəsi ardıcıl 
qoşulmuş və düzünə sürüşmüş VD
n+1
diodu və doymuş VT6 tranzistoru 
vasitəsilə şuntlandığından, bağlı olur. Odur ki, Z=1 olduqda çıxış ikitaktlı 
kaskadın hər iki tranzistoru bağlı olur və element çıxış ucundan aralanmış olur. 
Bu vəziyyət yüksək impedanslı vəziyyətə uyğun gəlir. Bu vəziyyətdə elementin 
çıxış siqnalı onun giriş siqnallarının istənilən kombinasiyasında çıxış ucuna 
ötürülə bilmir. 
Z=0 olan halda, R8 rezistorunun cərəyanı VT7 tranzistorunu doyma 
rejiminə keçirir. VT8 və VT6 tranzistorları bağlı olurlar. Çoxemitterli VT1 

---

50
tranzistorunun əlavə girişinə verilən siqnal elementin işinə təsir etmir. Bu halda 
çıxış siqnalı ancaq x
0
, x
1
, … x
n-1
girişlərində olan məntiq dəyişənlərinin 
kombinasiyası ilə təyin olunur. Bu halda elementin işi standart TTM elementinin 
işinə uyğun olur. 
Şəkil 2.6. Üç vəziyyətə malik «Və - Yox»
TTM elementinin prinsipial elektrik sxemi