Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi


Download 5.01 Kb.
Pdf ko'rish
bet19/157
Sana21.11.2023
Hajmi5.01 Kb.
#1792576
1   ...   15   16   17   18   19   20   21   22   ...   157
Bog'liq
2014-2730 (2)

2.3. Baza ME-nin təsnifatı 
Hazırda İMS aşağıdakı strukturlar əsasında yaradılır: 

tranzistor-tranzistor məntiqli; 

emitter əlaqəli məntiqli; 

inteqral-injeksiyalı məntiqli; 


44

eyni tipli sahə tranzistor məntiqli; 

komplementar sahə tranzistor məntiqli. 
Hazırda tranzistor-tranzistor məntiqli (TTM) struktura malik İMS daha 
geniş yayılmışlar. Onlar orta cəldliyə və orta enerji sərfinə malikdirlər.
Emitter əlaqəli məntiqli İMS daha cəld işləyirlər, lakin onların sərf 
etdikləri enerji TTM-lərə nəzərən çoxdur. Onların sxemotexniki həllərinin 
çevikliyi mürəkkəb məntiq funksiyalarını asanlıqla yaratmağa imkan verir.
İnteqral-injeksiyalı məntiqli (İ
2
M) İMS BİS-də istifadə etmək üçün 
yaradılmışdır. Bu İMS -n vahid həcmindəki elementlərin sıxlığı TTM və ESM 
İMS-lərə nəzərən daha yüksəkdir. Qida gərginliyi aşağıdır və TTM İMS-lərlə 
razılaşması çox sadədir. Bu İMS-lərin cəldliyini sərf olunan gücü dəyişməklə 
geniş diapazonda tənzimləmək olar. 
Sahə tranzistorlarında yaradılan İS-lər az güc sərf edirlər, onların vahid 
həcmdəki sıxlığı böyükdür, ölçüləri kiçikdir, hazırlanma texnologiyası daha 
sadədir. İşləmə cəldliyi hələlik bipolyar tranzistorlardan aşağıdır. Yaxın 
gələcəkdə onların, xüsusən də komplementar sahə tranzistorlu İMS-lərin 
istehsalı və tətbiqi daha kütləvi xarakter alacaqdır. 
2.4. TTM baza İMS-lərin tərkibi, sxemotexnikası və işləmə prinsipi 
TTM seriyasına daxil olan İMS-in çoxu sxemotexniki cəhətdən «VƏ - 
YOX» (Şeffer ştrixi) və «VƏ YAXUD» (genişləndirici) kimi iki baza sxeminin 
kombinasiyası əsasında yaradılır. «VƏ-YOX» elementi ardıcıl qoşulmuş üç 
kaskaddan: bazasına R1 rezistoru qoşulmuş çoxemitterli tranzistor və diodlardan 
ibarət və «VƏ» məntiq əməliyyatını yerinə yetirən giriş kaskadından; VT2 
tranzistoru, R2 rezistoru və R3, R4 və VT3 elementlərində yaradılan qeyri-xətti 
korreksiya dövrəsi daxil olan faza ayırıcı kaskaddan və VT4 və VT5 
tranzistorları, R5 rezistoru, VD
n
diodu daxil olan ikitkatlı çıxış gücləndirici 
kaskaddan ibarətdir (şəkil 2.2). 
«VƏ-YOX» elementinin iş prinsipi aşağıdakından ibarətdir. Fərz edək ki, 
elementin heç olmasa bir girişi bilavasitə ümumi şinə qoşulmuşdur, yəni ona 
«0» səviyyəli siqnal verilmişdir. Bu halda çoxemitterli VT1 tranzistoru R1 
rezistoru vasitəsilə mənbədən axan cərəyanla doymuş vəziyyətdədir. Onun 
kollektorundakı gərginlik «sıfır» gərginliyindən az fərqlənir. Odur ki, faza 
ayırıcısının VT2 tranzistoru bağlı vəziyyətdədir. VT2 tranzistorunun emitter 
cərəyanı sıfıra bərabər olduğundan VT5 tranzistoru da bağlı vəziyyətdə olur. R2 
rezistorundan axan cərəyan VT4 tranzistorunun bazasına axır və onu 
doydurmağa çalışır. Bu halda VT5 tranzistorunun kollektorunda, yəni məntiq 
elementinin çıxışında


45
U
1
çıx
=U
q

çıx
R
5
-U
ke VT4
-U
VDn
ifadəsi ilə təyin olunan yüksək potensial yaranır. Beləliklə, sxemin 
istənilən girişlərindən birində aşağı səviyyəli gərginlik olduqda, onun çıxışında 
yüksək səviyyəli gərginlik alınır. 
Şəkil 2.2. «Və - yox» TTM elementin prinsipial elektrik sxemi 
Fərz edək ki, sxemin bütün girişlərinə eyni zamanda yüksək səviyyəli 
gərginlik verilir. Bu halda çoxemitterli tranzistorun bütün emitter keçidləri bağlı 
vəziyyətdə olur və onun kollektor keçidi düz istiqamətdə sürüşür. Bu zaman R1 
rezistorundan, VT1 tranzistorunun kollektor keçidindən və VT2 və VT5 
tranzistorlarının ardıcıl qoşulmuş emitter keçidlərindən ibarət dövrə ilə cərəyan 
axacaqdır. Bu cərəyan VT2 və VT5 tranzistorlarını doydurur və nəticədə 
elementin Y çıxışında aşağı səviyyəli gərginlik qərarlaşır. Bu gərginlik qiymətcə 
VT5 tranzistorunun doyma gərginliyinə bərabərdir: 
U
0
çıx
= U
KE VT5

çıx
r
çıxVT5

VT2 tranzistoru doymuş olduğundan onun kollektorundakı gərginlik iki 
ardıcıl qoşulmuş p-n keçidlərinin (VT4 tranzistorunun emitter keçidi və VD
n

düzünə sürüşməsi üçün lazım olan gərginliyi təmin edə bilmir. VT4 tranzistoru 
bağlıdır. Beləliklə, əgər sxemin bütün girişlərində yüksək səviyyəli gərginlik 
olarsa, sxemin çıxışında aşağı səviyyəli gərginlik olacaqdır. 
Müsbət məntiq halında «VƏ-YOX» elementinin təsvir olunan iş alqoritmi 
«VƏ-YOX» əməliyyatını yerinə yetirir:


46
1
2
1






Download 5.01 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   15   16   17   18   19   20   21   22   ...   157




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling