Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

 
6.8. Yandırılan DYQ 
Yandırılan DYQ bir dəfəlik proqramlaşdırılan yaddaş qurğusudur. 
Proqramlaşdırma adətən istehlakçı tərəfindən bir dəfə, onun həll edəcəyi 
məsələyə uyğun yerinə yetirilir. Bu tip DYQ birölçülü ünvanlanma strukturuna 
malikdir və lazım olan uzunluğa malik çıxış informasiya sözünü (kodunu) 
ayırmaq üçün çıxış selektorundan istifadə edilir. Yandırılan DYQ-nun struktur 
sxemi şəkil 6.6-da göstərilmişdir. 
Şəkil 6.6. Yandırılan DYQ-nun struktur sxemi 
 
 
Burada ilkin vəziyyətdə bütün ünvanlar üzrə 0 və yaxud 1 siqnalı yazılır. 
İstismarçı, öz istədiyi kimi, lazım olan ünvanlara ilkin vəziyyətdən fərqli məntiq 
sabitlərini (konstantlar) yazır. Yazma prosesi fiziki olaraq, deşifrasiya olunmuş 
ünvan və çıxış ucları şinləri arasında nəzərdə tutulmuş bəndləri yandırma yolu 
ilə həyata keçirilir. Belə bəndlər nixrom və ya titanatdan hazırlanır və bir neçə 
10 om xüsusi müqavimətə malik olur. Bəndlər adətən emitter dövrələrinə 
qoşulur. Proqramlaşdırma zamanı belə bəndləri yandırmaq üçün tranzistordan 
davametmə müddəti 1msan olan 20-30 mA cərəyan impulsu buraxmaq 

---

108
kifayətdir. Yazmaq üçün lazım olan cərəyan impulsu qida gərginliyini qısa 
müddət ərzində artırmaq yolu ilə təmin edilir. 
Normal iş rejimində sxemdəki cərəyanlar proqramlaşdırma cərəyanından 
kifayət qədər az olur. Odur ki, YE-də yazılmış informasiya oxunma zamanı 
silinmir. 
 
6.9. Yenidən proqramlaşdırıla bilən DYQ 
Yenidən proqramlaşdırıla bilən DYQ (YPDYQ) mahiyyətcə elektrostatik 
YQ-dır. Burada YE-nin yaradılması dinamiki OYQ-da olduğu kimidir. Fərq 
ancaq ondadır ki, burada informasiya daşıyıcısı kondensator yox, xüsusi sahə 
(MDY) tranzistorudur. Bu tranzistorların növündən asılı olaraq iki növ YPDYQ 
mövcuddur: yaddaş elementi «üzən» zatvora malik tranzistorda yaradılan YQ 
və yaddaş elementi ikiqatlı dielektrikə malik tranzistorda yaradılan YQ. Bun-
ların hər ikisi tez oxuma ilə bərabər bir neçə dəfə yenidən yazma imkanına 
malikdirlər. İnformasiyanın yenidən yazılması üçün İS- kristal rəqəm 
qurğusundan kənar edilir və xüsusi avadanlıqdan istifadə edilir. Bu YQ – nun 
fərqi cəhətləri proqramlaşdırmanın müxtəlif üsullarından istifadə 
edilməsindədir.
Birölçülü ünvanlanmaya malik YPDYQ-nun YE-nin sxemi şəkil 6.7-də 
göstərilmişdir. 
Şəkil 6.7. Birölçülü ünvanlamaya malik yenidən proqramlaşdırıla
bilən DYQ - nun elementar yaddaş qurğusu 
VT1 tranzistoru deşifratorun çıxış siqnalına əsasən uyğun YE-nin yaddaş 
tranzistorunu seçmək üçündür. Məlumat şini məhdudlaşdırıcı R1 müqaviməti 
vasitəsilə qida mənbəyinə qoşulur. VT1 tranzistorunun açılması zamanı onun 
stokundan (mənsəbindən) axan cərəyan VT2 tranzistorunun vəziyyətindən 
asılıdır. Cərəyanın olması və ya olmaması 0 və ya 1 siqnallarının yadda 
saxlanması kimi başa düşülür. Adətən, VT2 tranzistorunun stokundan cərəyanın 

---

109
axması yaddaş yuvasında 0 siqnalının; cərəyanın axmayan halı isə 1 siqnalının 
yazılmasına uyğun gəlir. 
«Üzən» zatvora malik tranzistorda informasiyanın yenidən yazılması 
strukturuna və üsuluna baxaq. Bu tranzistor adi MDY tranzistordur. Onun 
zatvoru cihazın digər hissələrindən dielektrik qatı ilə ayrılmış keçirici oblasta 
malikdir. Əlaqələrin olmaması zatvora kifayət qədər böyük elektrik yükünü 
uzun müddət yadda saxlamaq imkanı verir. Bu yükün təsiri altında n-
yarımkeçiricidə keçirici kanal yaranır. Əgər zatvorda yük varsa, tranzistordan 
müəyyən cərəyan keçə bilər (tranzistor açıqdır). Əgər zatvorda yük yoxdursa 
tranzistorun stok cərəyanı sıfıra bərabərdir. (tranzistor bağlıdır). Bu 0 və ya 1 
siqnalının olmasına uyğun qiymətləndirilir (şəkil 6.8). 
Şəkil 6.8. «Üzən» zatvora malik MDY tranzistorun strukturu 
Tranzistora informasiyanın yazılması iki mərhələdə yerinə yetirilir: 
əvvəlcə ilkin yazılmış informasiya silinir, sonra isə yeni informasiya yazılır. 
Birinci mərhələdə yarımkeçirici materialın tranzistorlar yerləşmiş səthi ultra-
bənövşəyi şüalarla 15-20 dəqiqə ərzində şüalandırılır. Bununla zatvorlarda 
yığılmış yüklər kənar edilir. Bu səbəbdən bəzən bu tip DYQ-ı ultrabənövşəyi 
silinməyə malik DYQ-ı adlanır. 
İkinci mərhələdə yeni informasiyanın yazılması üçün stokla altlıq arasında 
yaradılan p-n keçid əks istiqamətdə sürüşdürülür. Bu zaman tətbiq olunan 
gərginlik keçidin elektrik deşilməsi üçün kifayət qədər olmalıdır. Deşilmə 
zamanı yaranan yükdaşıyıcıların bir hissəsi yarımkeçirici ilə dielektrik 
arasındakı potensial çəpəri keçmək üçün lazım olan enerjiyə malik olurlar. 
Dielektrikə injeksiya olunan yükdaşıyıcılar «üzən» zatvor istiqamətində dreyf 
edərək tutulurlar (rekombinasiya olunurlar) və zatvorun yükünə çevrilirlər. Bu 
cür toplanmış yük informasiyanın yazılması müddətinə mütənasib olur.
İkiqatlı dielektrikə malik MDY tranzistorlar daha mürəkkəb struktura 
(metal-silisium nitrid – oksid - yarımkeçirici) malik olurlar. Metal zatvorla 
yarımkeçirici arasında iki müxtəlif dielektrik qatı olur. Bu növ strukturlarda 

---

110
dielektrik qatların ayrılma sərhədində elektrik yükü ola bilər. Bu yükün 
tranzistorun keçiriciliyinə təsiri və tranzistorlarda informasiyanın yazılması 
«üzən» zatvorlu tranzistorda olduğu kimidir. Onun üstün cəhəti informasiyanın 
silinməsinin elektrik üsulu ilə mümkün olmasındadır. 
Qeyd etmək lazımdır ki, elektrik yükləri hər iki tranzistorda zaman 
keçdikcə azalır. Odur ki, müəyyən müddətdən sonra bu tip DYQ-da yazılmış 
informasiya itir.