B. X. Shaymatov, M. Q. Jo‘raev elektrotexnik materiallar

Sitallar.
Sitallar – shisha kristall materiallar bo‘lib, shishani kristallashtirishni jadallashtirish yo‘li bilan olinadi.Kristallatirishni katalizlash maqsadida shisha massasiga organik eruvchan aralashmalar yoki yengil kristallanuvchi materiallar kiritiladi. Bularga TiO2, FeS, B2O3, Cr2O3, V2O5, ftoridlar va ishqorlarning fosfatlari va ishqoriy yer metallari kiradi.
Sitallarni olish texnologiyasi quyidagilardan tashkil topadi:
1. Mahsulotni shisha massasida oddiy shishani olish kabi usuldan foydalanish.
2. Kristallanish fazasidagi mahsulotni olish uchun shisha massasini 500...700°C da toblash.
3. Kristallanish fazasini o‘stirish uchun 900...1000°C da shisha massasini toblash.
Kristallanish markazlarini shakllantirish termositallar va fotositallar usuliga bo‘linadi. Termositallarda kristallanish fazasi ikki karra toblash jarayonida yuzaga keladi. Fotositallarda kristallanish markazlarini hosil qilishda shisha massasiga Au, Ag, Pt yoki Cu elementlari qo‘shiladi. Kristallanish jarayoni ultrabinafsha nurlatish ostida olib boriladi. Sitallarning tarkibi 0,1...1 mkm o‘lchamli mayda aralashmalar va tartibsiz yo‘naltirilgan (60...95% kristallik fazasidagi) kristallar, o‘lchamlari 5...40% amorf fazasidagi qoldiq shisha aralashmalaridan tashkil topadi. Tuzilishi bo‘yicha sitallar shisha va keramika orasidagi o‘rinni egallaydi. Sitallar shishadan krisstallik tuzilishi bilan farq qiladi keramikadan esa kichik o‘lchamdagi kristallardan tashkil topganligi bilan farq qiladi.
Tashqi ko‘rinish bo‘yicha sitallar oq rangdan, och jigarrang (sarg‘ish) va jigarranggacha bo‘ladi. Ular harorat 700...900°C yetganda ham yuqori mexanik mustahkamlikka egaligi bilan ajralib turadi. Sitallarning dielektrik isroflari ko‘pchilik hollarda qoldiq faza xususiyati bilan belgilanadi.
Sitallar quyidagi dielektrik xususiyatlarga ega:
• ε = 5…7;
• tgδ = (10…800)•10-4 (f = 106 Gts da);
• ρ = 108 ...1012 Om·m;
• Yemust = 25...75 MV/m.
Sitallarning oqish harorati Toq = 1300 °C harorat ostidagi chiziqli kengayish koeffitsiyenti αl = (1,2…12) •10-6 K-1 ga teng.
Aksariyat sitallar (HF dan tashqari) kuchli kislotalar va ishqorlarga turg‘unlik xususiyatiga ega. Mahsolotning ko‘pligi va sodda texnologiya mahsulotning tannarxini arzon bo‘lishini ta’minlaydi.
Sitallar, gibrid integral sxemalarning asosi sifatida, yupqa plastinali rezistorlar, chuqur vakuum holatida ishlovchi elektrovakuum asboblarning detallari, o‘ta yuqori chastotali qurilmalarning detallari, kondensatorlarda keng qo‘llaniladi.