Bajardi: 691-21 guruh talabasi Ma’rufjonov. M. M

---

 
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI 
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI 
UNIVERSITETI FARG’ONA FILIALI 
“KOMPYUTER INJINIRING” 
FAKULTETI 
 
 
 
 
Bajardi: 691-21 guruh talabasi 
Ma’rufjonov .M.M 
Qabul qildi:
Ergashev SH. U. 
K
M

---

Mavzu; KMDYA,markalanishi xarakteristikalari. 
Reja: 
1. Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar. 
2. KMDYA-tranzistorlarda HAM-EMAS va YOKI-EMAS. 
3. Stok-zatvor xarakteristikalar oilasi. 
4. Xulosa. 
Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar 
(KMDYaM). Ikki kirishli element sxemasi 1 – rasmda keltirilgan. Ikkala kirishga 
mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, 
r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi.
Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik (10
-10
A). Demak, manbadan 
tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial 
o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy 
bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida 
potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi.
Iste’mol quvvati 0,01-0,05 mVtni, tezkorligi esa 10-20 ns ni tashkil etadi.
1 – rasm.
Integral – injeksion mantiq elementi (I
2
M). Kalit komplementar bipolyar
tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor 
ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli 
tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok 
generatori vazifasini bajaradi (2 – rasm.)

---

a) b)  
2– rasm.
VT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal 
manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga 
mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va 
to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos 
keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 
tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki I
Q
(qayta ulanish toki) VT1 
tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida 
VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali 
hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor 
vazifasini bajaradi. Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall 
simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 70 b – rasmda HAM amalini 
bajarish usuli ko‘rsatilgan. Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga 
yuqori potensial berilsa U
1
KIR
, natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past 
potensial hosil bo‘ladi U
0
. Natijada 
x
1
va 
x
2 
invers o‘zgaruvchilarning 
kon’yuksiyasi bajariladi. Ular VT1 va VT3 invertor chiqishlarida hosil bo‘ladi: y 
x1 x2 . I2M elementining tezkorligi 10-100 ns va iste’mol quvvati 0,01-0,1 mVt. 
Kristallda bitta I
2
M elementi KMDYa –elmentga nisbatan 3-4 marta kichik, TTM 
– elementiga nisbatan esa 5-10 marta kichik yuzani egallaydi.
- 
qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‘rtacha kechikish vaqti -