Bekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta‘lim vazirligi qarshi muhandislik – iqtisodiyot instituti
Download 0.82 Mb. Pdf ko'rish
|
Kitob 6787 uzsmart.uz
bu yorda d э - elektrod simi diametri mm. V э.у. – elektrodni o’zatish tezligi, m/soat. К – suyuqlantirib qoplash koeffitsienti, 0,85…0,9 ga tyong. H - qoplangan qatlam qalinligi, mm (yoyilganlik qiymatig’a qarab, 1…4 mm gacha qabul qilinadi). S - suyuqlantirib qoplash qadami, mm. Elektrodni o’zatish tezligi quyidagi formuladan aniqlanadi: 45 n * h * S * D V э.у = ------------- , 250* d э 2 * K bu yerda n – qoplanadigan detalning aylanish chastotasi, min –1 . D- qoplanadigan detal diametri, mm. Suyuqlantirib qoplash tezligi (Vs.k) va detal diametri (D) ga ko’ra detalning aylanish chastotasi (n) quyidagicha aniqlanadi: 60 * V с.к n = ------------- ; π(D+2h) 8.1. Jadval Silindrik detallarni suyuqlantirib qoplashda tok kuchining elektrod simi va detal diametriga bog’’liqligi. 8.2-Jadval. Silindrik detallarni suyuqlantirib qoplashda elektrod simini o’zatish tezligini tanlash. Detal diametri, mm Elektrod simi dia- metri, mm Elektrodnio’z atish tez- ligi, m/min Detal diametri, mm Elektrod simi diametri, mm Elektrodni o’zatish tez- ligi, m/min 40 50 1,2 1,2 1,66 1,9 120 160 2 2 2 2 Diametr, mm Tok kuchi, A Diametr, mm Tok kuchi, A Detal Elektrod Simi Detal Elektrod Simi 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 1,2 1,2 1,2 1,2 1,6 1,6 1,8 2 2 2 100…120 110…120 120…140 120…140 140…180 150…180 200…200 200…240 200…240 240…270 150 200 250 350 400 450 500 600 700 800 2,0 2,5 2,5 3 4 4 4 4 5 5 240…270 270…300 270…300 300…400 500…700 500…700 400…700 600…1000 600…1000 700…1000 46 60 70 75 1,2 1,2 1,2 2 2,16 2,16 200 250 400 2 2 2 2 2 2,3 8.2. Himoya gazlari muhitida avtomatik suyuqlantirib qoplash. Flyus qatlami ostida payvandlash qiyin bo’lgan, mumkin bo’lmagan yoki juda qimmatga to’shadigan ko’p hollarda flyus o’rniga boshqa himoya vositalari: argon, karbonat angidrid gazi, suv bugi kabilar ishlatiladi. Mashinalarni remnot qilishda karbonat angidrid muhitida payvandlash va suyuqlantirib qoplash usuli ko’proq qo’llaniladi. Karbonat angidrid muhitida suyuqlantirib qoplash jarayonining mohiyati quyidagicha. Karbonat angidrid gazi yoyning zonasiga ballondan naycha bo’ylab, mundshto’qka bolt bilan biriktirilgan gorelka orqali 0,05…2,0 Mpa bosim bilan o’zatiladi. Karbonat angidrid gazi uchlik va elektrod sim atrofidan (oqib) o’tib, yoyning yonish zonasidan havoni siqib chiqaradi va metallni oksidlanishdan himoyalaydi. Bu usulning afzalliklari: payvandlanadigan joyning ko’rinuvchanligi, shlak qobiqning bo’lmasligi, karbonat angidridning flyusga nisbatan arzonligi va noqulay holatdagi choklarni (ship holatidagi) payvandlash mumkinligidir. Qalinligi 0,5…1,2 mm bo’lgan ingichka elektrod simni kichik toklar yordamida ishlatish va jarayonning ko’rinuvchanligi bu usulni yupqa detallarni (kabina va qanotlarni) remont qilishda keng qo’llash imkonini berdi. Suyuqlantirib qoplangan qatlamda darzlar paydo bo’lishga, legirlovchi elemyontlarning yonishga moyilligi bu usulning kamchiligi hisoblanadi. Download 0.82 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling