Elektronika va sxemotexnika

6.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar 
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – 
tranzistorlar qo‗llaniladi, chunki ularda U
ZI
nolga teng bo‗lganda uzilgan kalit 
holati ta‘minlanadi (tranzistor berk). 
Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv 
element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va 
yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‗tkazuvchanlik turiga ega bo‗lgan 
kanaldan tashkil topgan bo‗lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori 
potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-
100 mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga 
oshiriladi. 
Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. 64 – rasmda 
n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi 
keltirilgan. 
64 – rasm. 
VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan 
tranzistorlar asosi qobiqda qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi 
tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. Ye
M
 = 3U
BO‘S
tanlanadi, bu yerda U
BO‘S
– tranzistor ochiladigan kuchlanish. Demak, yuqoridagi tranzistor doim ochiq 
holatda bo‗lib to‗yinish rejimida bo‗ladi va invertor tokini cheklash uchun xizmat 
qiladi (dinamik yuklama). VT0 stok toki kattaligi quyidagi formula bilan 
aniqlanadi 
2
0
0
0
0
)
(
2
1
БЎС
СИ
C
U
U
B
I


(6.7) . 
Agar kalit kirishi X ga U
0
KIR

U
BO‘S
kuchlanish berilsa (mantiqiy nol), VT1 
tranzistor berk bo‗ladi, kalit orqali 10
-9
-10
-10
A tok oqib o‗tadi, chiqishdagi 
kuchlanish esa 
x
y

bo‗lib kuchlanish manbai qiymatiga yaqin bo‗ladi: 
U
ChIQ

E
M
(mantiqiy bir). 

---

93 
93 
Agar kalit kirishi X ga U
0
KIR

U
BO‘S
kuchlanish berilsa, u holda VT1 
tranzistor ochiladi va to‗yinish rejimiga o‗tadi, bu vaqtda stok toki I
S1
(6.7) ifoda 
orqali aniqlanadi, faqat U
SI0
=E
M
deb olinadi. 
2
1
1
1
)
(
2
1
БЎС
М
C
U
Е
B
I


(6.8) . 
VT1 tranzistorning to‗yinish rejimidagi kanal qarshiligi
)
(
1
)
(
1
1
1
1
1
1
БЎС
КИР
БЎС
ЗИ
U
U
B
U
U
B
R




. 
I
S1
tokni kanal qarshiligi R ga ko‗paytirib, chiqish kuchlanishini olamiz 
1
2
0
1
0
1
1
2
0
1
0
)
(
2
)
(
2
БЎС
М
БЎС
М
БЎС
КИР
БЎС
М
ЧИК
U
Е
U
Е
В
В
U
U
U
Е
В
В
U






(6.9) . 
Amaliyotda U
1
KIR

E
M
(6.9) dan ko‗rinib turibdiki, kichik chiqish kuchlanishi 
qiymatini U
ChIQ
ta‘minlash uchun V
0

V
1
nisbat bajarilishi kerak. V kattaligi kanal 
kengligini uning uzunligiga nisbati bilan aniqlanadi (Z/L). 
Bu kalit kichik tezkorlikka ega, chunki chiqish impulsining fronti tranzistor 
parametrlari bilan emas, balki chiqish sig‗imi zaryadini nochiziqli yuklama 
tranzistoridan chiqishi bilan aniqlanadi, bu qarshilik qiymati esa yuzlab kOmlarga 
yetadi.