Fizika fakulteti

2. 2 Baylanıslardı alıw

Quramlar teń muǵdardaǵı kontsentratsiya daǵı elementlerdi óz ishine alǵan eritpeden (baslanǵısh komponentlerdiń qosılıwı ) yamasa III gruppa elementinen artıq bolǵan birikpe eritpesinen alınadı. Keyingi texnologiyalıq processler (kristallanishni tazalaw, bir kristallarni kóbeytiw, eritpe) germaniy islep shıǵarıw texnologiyasında qollanılatuǵınlardan tupten parq etpeydi.

Ultra taza birden-bir kristallarni etiwtirishning tiykarǵı usılları bul zonalardı eritiwi hám baǵdarlanǵan kristallanish bolıp tabıladı. Bóleklenetuǵın birikpeler kristallari alınsa, texnologiyalıq úskeneler jáne de quramalılasadı. Uchuvchan komponenttiń puwlanıwına jol qoymaw ushın sintez hám kristallanish jabıq isitiladigan kólemde atqarılıwı kerek.

Eritpeden tartıp olinayotganda, inert aǵıs qatlamı astından urug 'ustiga tartıw ámelge asıriladı, bul bolsa eritpeden ushqısh elementtiń puwlanıwın bostiradi. B2 O3 eritpesi jabıwtiruvchi suyıqlıq retinde isletiledi; aǵımdıń qalıńlıǵı shama menen 1 sm. Eritpeden tartıp alınatuǵın birden-bir kristallar etarli dárejede joqarı ximiyalıq tazalıǵina iye emes, quramında júdá kóp muǵdardaǵı nuqsanlı dúzılıw kemshilikleri ámeldegi bolıp, olar nátiyjeli rekombinatsiya orayları esaplanadı. Sol sebepli kóp yarım ótkezgishli apparatlar suyıq yamasa gazsimon fazalardan jatqızılǵan epitaksial qatlamlar tiykarında islep shiǵarıladı. Ámeldegi substratlar belgili kristalografik jóneliste bir kristallı ingotlardan kesilgen plitalar bolıp tabıladı. Eń kóp isletiletuǵın usıl - bul suyıq fazalı epitaktsiya: eritpe belgili bir temperatura aralıǵinda aste soviganida payda boladı.