Глава I исследование электрофизических свойств и Анализ методов получения пленок (ZnSe) Х (SnSe ) 1-х §

1.3.2. химические методы
В химических методах химического осаждения ванны (CBD), химического осаждения из паровой фазы, спрей пиролиза следовали расти SnSe тонких пленок на сегодняшний день.
Осаждение химических ванн (CBD). Осаждение химических ванн является относительно недорогим, простым и удобным для осаждения больших площадей и наиболее популярным методом осаждения тонких пленок, особенно для осаждения тонких пленок халькогенида металла. Имеется несколько докладов о подготовке пленок SnSe методом химического осаждения из ванн (CBD). Низложение чувства пленки КБР был впервые предложен и разработан Праманик и др. [92] в 1988 году. Их осажденные пленок SnSe показали орторомбическую структуру и проводимость n-типа с оптической запрещенной зоной 0,95 эВ. После длительного периода, Заинал и др.[93] осажденные пленок SnSe p-типа с использованием SnCl₂, сульфоселенированной и NaOH в 2004 году . Эти пленки имели прямую запрещенную зону оптической энергии 1,25 ЭВ и лучше реагировали на подложки Ито.
Проведено сравнение морфологических и оптических свойств нанокристаллического порошка SnSe, осажденного в химической ванне, и тонких пленок. [96]. Их пленки показали равномерное распределение размеров зерен по подложке с компактной и мелкозернистой морфологией и показал орторомбическую кристаллическую структуру с (410) предпочтительной ориентацией. Средний размер кристаллитов рассчитывали как 14.92 Нм (порошок) и 46.94 Нм (тонкая пленка). Они получили сразу оптически зона диапазона 2,14 и 1,89 EV или порошка чувства и тонких фильмов, соответственно.
Окереке и др. [97-99] и Нанери [100] сообщили о влиянии рН (при 10 и 11) и времени осаждения на структурные и оптические свойства пленок SnSe, осажденных с использованием нового селенового источника K₂SeO₄ и ЭДТА в качестве комплексообразователя. Эти фильмы показали характер поликристаллов со структурой ромбической, высокий коэффициент поглощения, проводимости high optical и низкого коэффициента ослабления значения. Показатель преломления и величина энергетической запрещенной зоны варьировались в диапазоне 2,05–2,63 и 1,20-1,70 эВ соответственно. Салгадо и др. [101] продемонстрированы химические осажденные пленки SnSe по толщине и температуре отжига. Их пленки SnSe имели оптическую запрещенную зону 0,95-1,14 ЭВ и имели природу p-типа с электропроводностью 0,1–10 (X-cm)^-1. Эти параметры показали небольшое изменение с толщиной пленки и термической обработкой. Это был первый отчет о производительности солнечных батарей SnSe, который обрабатывался методом Осаждение химических ванн (CBD).