I. A. Karimov nomidagi tdtu qo‘qon filiali Elektronika va elektr texnikasi fakulteti 20 myamt guruhi talabasi

1. O‘lchamli xarakteristikalarni o‘rganish
Natijada monokristal taglik (5) sirtida tuzilma (6) hosil bo’ladi. Bu jarayonlar termik usulda bug‘lash yoki katodli sochish usullari orqali amalga oshirilishi mumkin. Yuqori temperaturalarda kristal tarkibidagi kirishmalarning o‘zaro reaksiyalari yuz berib, ularning kristallanish jarayonida qayta taqsimlanishi kristalning tuzilishi va elektrik xarakteristikalariga salbiy ta’sir ko‘rsatadi. Vakuum yoki kimyoviy usullar qo‘llanilishi yupqa pardali tuzilmalar o‘stirish temperaturasini 1100C dan 600÷800C gacha kamaytiradi. Past temperatura yoki kimyoviy usullarni qo‘llanilishi ko‘zlangan tuzilmalar olish imkonini beradi.
2.9 – rasm. Yupqa pardali tuzilmalar olishning soddalashtirilgan sxemasi.
1 – kirishmalar uchun sevatcha, 2 – kirishma, 3 – qizdirish spirali,
4 – elektr manba, 5 – monokristal taglik, 6 – polikristal tuzilma.
Molekulalar bog‘larini hosil qilish reaksiyasi turli birikmalarni termik ajratish yoki qayta tiklashga asoslangan. Yupqa pardali kremniy olish uchun kremniyli birikmalar qo‘llanilganda trixlorsilan yoki monosilan texnologiyalarida yuz beruvchi reaksiyalar kuzatilishi mumkin. Bu jarayonda maxsus kiritilgan yoki tashqi muhit tomonidan kirib qoluvchi kirishma atomlari termodinamik o‘zgarish yoki boshqa sabablarga bog‘liq holda turli reogentlar hosil qilishi yupqa pardali kremniy kristallanishiga sezilarli ta’sir ko‘rsatadi. Pirson va Treuting kirishmali markazlarda turli to‘plamlar hosil bo‘lishini ko‘rsatib berishgan. Bunday to‘plamlarning hosil bo‘lishi kristallanishga salbiy yoki ijobiy ta’sir ko‘rsatadi. Masalan, SiCl4 ni vodorodli tiklash reaksiyasini quyidagicha yozish mumkin:
Cl2+H2Si+2HCl
Si past temperaturalarda vodorod tarkibidagi H2O yoki O2 SiCl2 ga ta’siri natijasida Si10Cl2(OH)2 murakkab tipdagi qattiq polimer birikmalar hosil bo‘lib, kristalning o‘sishiga salbiy ta’sir ko‘rsatadi. Shuningdek, qolgan chiqindilar ham xlor va vodorod bilan o‘zaro ta’siri natijasida SiO2 yoki SiCl(OH)2 bulut shaklidagi bug‘li birikmalar hosil bo‘lib, kristal sirtigacha nuqsonlarning hosil bo‘lishini kuchaytiradi. Bunday kimyoviy hodisalar donadorlikning o‘sishiga va elektrik xossalariga kuchli ta’sir qiladi.
Keyingi yillarda, yupqa pardali kremniy olishning xlorli silanlaridan tashqari boshqa kirishmalardan foydalanish usullari ishlab chiqilgan. Bulardan biri kristal sirtida temir disilisidlarini hosil qilish. Polikristal tuzilmali yupqa disilisidli fotopryomnik va nurlantirgichlar tayyorlash kremniy texnologiyasida muhim ahamiyatga ega. Bu usul yordamida kristal sirtida 0,04 nanometr dan 200 nanometrgacha qalinlikdagi, taqiqlangan zona kengligi Eg0,8÷0,9 eV bo‘lgan kremniy olish imkoniyatlari o‘rganilgan. Kremniy sirtida yupqa pardali kremniy olish jarayoni yuqori 10-9 Torr vakuum tozaligida olib boriladi. Bu jarayonda, kremniy sirti yuqori vakuum sharoiti va temperaturalarda turli ifloslik va oksidlardan tozalanadi. So‘ngra, manbadan ajralib chiqqan Fe, Si molekulalari monokristal kremniy sirtida o‘stiriladi. Natijada monokristal kremniy sirtida kerakli qalinlikdagi polikristal tuzilma hosil bo‘ladi. Shundek olimlar tomonidan nikelni kremniy sirtiga kiritish orqali 500÷1200 Å qalinlikdagi yupqa pardali kremniy olish imkoniyatlari o‘rganilgan. Termik ishlov berish temperaturasi ortib borishi bilan qarshilikning kamayishi aniqlangan. Yupqa pardali kremniy olish usullaridan yana biri kremniy izotoplaridan foydalanishdir. Kremniy izotoplarini ajratish yuqori tozalikdagi kremniy olish imkoniyatini beradi. Bu usulda SiF4 qayta ishlanib quyidagi reaksiya asosida silan ajratib olinadi.