I. A. Karimov nomidagi tdtu qo‘qon filiali Elektronika va elektr texnikasi fakulteti 20 myamt guruhi talabasi

NaAlH4+SiF4  SiH4+NaAlF4
Ajratib olingan silan oddiy proliz yo‘li bilan qayta tozalanadi:
SiH4  Si+2H2
So‘ngra, 28Si-99,95%, 29Si-99,5% va 30Si-99,9% li izotoplar yordamida yuqori tozalikdagi kremniy olishga erishiladi. Bunday usul bilan olingan kremniy bo‘laklarining shakli murakkab bo‘lib, o‘lchamlari 0,3÷0,5 nm ni tashkil qiladi. Natijaviy kremniyda kirishmalarning umumiy tarkibi 10-3 at% dan oshmasligi aniqlangan.
Malumki, turli kirishma atomlarini kristal sirtiga yoki hajmiga kiritish usullaridan biri diffuziya usuli hisoblanadi. Diffuziya usuli yordamida kirishmalarni kristal sirti yoki hajmiga kiritish vakuum, atmosfera va boshqa sharoitlarda amalga oshirilishi mumkin.
Bu usulda maxsus idishlarga (tigellarga) yarimo‘tkazgich kristali, u bilan birga kiritiladigan moddaning tayinli miqdori ham joylashadi, so‘ng diffuziya pechida (kristalning suyilish temperaturasidan past bo‘lgan) yuqori temperaturagacha qizdiriladi, kirishma modda bug‘lanadi va uning atomlari kristall ichiga diffuziyalanib kira boradi. Bu atomlar yo asosiy atomlardan bo‘shab qolgan tugunlarga yoki tugunlar orasiga joylashib oladi.
Masalan, kremniyga fosforni ~1200 С temperaturada diffuziyalanadi, chunki kremniyning suyilish temperaturasi taxminan 1410 С bo‘lgani uchun u o‘zining qattiq holatini saqlaydi, ammo atomlar issiqlik harakati kuchayishidan vakansiyalar ko‘payib ketadi, fosfor va kremniy atomlari radiuslari bir-biriga yaqin bo‘lgani uchun fosfor atomlari kremniy kristali tugunlariga joylashib, o‘rinbosar kirishma hosil qiladi.
Diffuziya jarayonida kristall ichida kirishma atomlar taqsimoti Fik qonunlaridan kelib chiqadigan diffuziya tenglamasini yechish orqali aniqlanadi. Diffuziya tenglamasining cheksiz (doimiy) manba holidagi (kristall sirtida kirishma zichligi N0 deb olingandagi) yechimi ko‘rinishida bo‘ladi.
2. Fazaviy tarkibini, elementlarini va tuzilishini aniqlash.
Bu holda kristall sirti yaqinida kirishma bilan to‘yingan yupqa qatlam hosil bo‘ladi. Bu qatlamdagi kirishma zichligi imkoni boricha katta qilib olinadi. Bu bosqichni kirishma kiritish bosqichi deyiladi. So‘ngra tashqaridan kirishma kiritish bartaraf qilinib (manba uzoqlashtirilib), kristallga kirib bo‘lgan kirishma yuqori temperaturada qayta taqsimlanishga duchor qilinadi.Bu bosqich kirishmani (kristall ichiga) haydash deyiladi. U chekli kirishma manbaidan diffuziyalanish holiga mos keladi. Quyidagi yupqa plyonkalar olish bo’yicha namunalar keltirilgan (2.10-rasm).