J. I. A L im j o n o V a, A. A. Is m a t o V

10- §.  Si -  О   va  Si -  О  -  Si 
kimyoviy  bog‘lari
S ilik a tla r   t u z i lis h i n i n g   a s o s id a   h i m o y a l a n g a n   yoki  b i r-b iri 
b i l a n   k i s l o r o d   a t o m i   y o r d a m i d a   b i r i k k a n   k r e m n i y   k is lo ro d li 
t e t r a e d r   g r u p p a s i   [ S i O J 4-  y o ta d i.  U l a r d a   Si  —  О   va  Si  —  О   —  Si 
b o g 'l a r i   m a v j u d   b o ‘lib,  Si  —  О   —  Si  b o g ‘i 
siloksan  b o g ‘i
  d e b  
ataladi.
A w a l l a r i   Si  —  О   b o g ‘i  t o z a   h o l d a   io n   b o g ‘iga  tegishli  d e b  
q a r a l a r   ed i.  S h u   s a b a b d a n ,   s ilik a tla r  [ S i O J 4-  k o m p l e k s   ioni 
a s o s i d a   ho sil  b o 'l g a n   ionli  b i r i k m a l a r   d e b   t u s h u n i l a r   edi.  H o z i r ­
gi  z a m o n   t a l q i n i g a   k o 'r a ,   Si  —  О   b o g 'i 
k o valen t-ion   b o g ‘
  d e b  
q a r a l a d i ,   b u n d a n   t a s h q a r i ,   u n d a   k o v a l e n t   b o g ' i n i n g   u lu s h i 
k o ' p r o q ,   d e b   q a b u l   q ilin g a n .  P o lin g   b o ' y i c h a   S iO ,  d a   io n   b o g ‘- 
l a n i s h n i n g   u l u s h i   35  %  ga  ten g .  S i—О   b o g 4 d a   k o 'p r o q   k o v a - 
I e n tlilik   b o r l i g i n i   q u m t u p r o q d a g i   va  b a ’zi  b i r   s il ik a t l a r d a g i  
k r e m n i y   va  k is lo ro d   a t o m l a r i n i n g   ta jrib a v iy   va  n a z a r i y   h is o b -  
l a s h l a r   a s o s i d a   t o p i lg a n   efifektiv  z a r y a d l a r i   is b o tla b   b e r a d i.  B u n -

dan  tashqari,  elektron  zichligining  taqsimlanishi  haqidagi  m a ’lu- 
motlar,  term okim yoviy  izlanishlar,  S i 0 2  ning  kristall  m od ifi- 
katsiyalari  va  kvars  shishasida,  hattoki  suyuqlanish  tem peratu- 
rasidan  ham  yuqori  sharoitda  elektr  o'tkazuvchanlikning  sezi- 
larli  darajada  mavjud  em asligi  va  ion  bogManish  darajasining 
ba’zi  bir  kvant-m exanik  hisoblashlar  ham  kovalent  bogManish- 
ning  ustunligini  k o ‘rsatadi.
14-elem ent  —  krem niy  atom ining  normal  holatdagi  e le k ­
tro n   tu z ilis h i 
\ s 22 s22 p b3 s23 p 2,  q o ‘z g ‘a tilg a n   h o la td a   esa 
l522s22/?63s'3p3  boMadi,  ya’ni  q o ‘z g ‘atilgan  holatda  4  ta  juftlan- 
magan  elektronlarga  ega  b o ‘lib,  ulardan  bittasi  3s  orbitalida, 
uchtasi  esa  3p  orbitalida  joylashadi.  BogMar  hosil  boMganda 
kremniy  atom i  uchun  ushbu  orbitallarning  sp} 
gibridlanishi 
xos  b o ‘lib,  bunda  fazoda  t o ‘g ‘ri  tetraedrning  t o ‘rtta  uchiga 
109°28'  burchak  ostida  y o ‘naltirilgan  to ‘rtta  bir  xil  gibridli  s p 1 
orbitallari  hosil  boMadi.  Bundan  tashqari,  kremniy  atom ining 
uchinchi  elektron  qavatida  (n  =   3,  elektronlarning  m aksim al 
soni  2n l =  18)  barcha  3 d   orbitallari  b o ‘sh  qoladi.
Kislorod  atomidagi  2s  va  2/?-orbitallarining  energetik  sathlari 
bir-biriga  yaqinligi  ularning  gibridlanishiga  sabab  b o ia d i.  Bunda 
orbitallarning  sp\   sp2  va  s/bgibridlanishi  kuzatiladi,  bogMarning 
hosil  boMishida  tashqi  ikkinchi  elektron  qavatining  barcha  oltita 
elektroni  ishtirok  etishi  m um kin.  Ushbu  qavatda  2  ta  juftlanm a- 
gan  elektronlar  (ular  alm ashinish  m exanizm i  bo'yicha  bog'lar 
hosil  qilishi  m um kin)  va  2  ta  juftlangan  elektronlar  mavjud. 
Juftlangan  elektronlar  d o n o r -a k se p to r   m exan izm i  b o ‘yich a  
b o g ‘  hosil  qilishi  m um kin,  lekin  buning  uchun  bogManayotgan 
atom d a  kislorod  ato m in in g   ju ftlan gan   elektronlarini  qabul 
qiluvchi  b o ‘sh  orbitallar  mavjud  b o ‘lishi  shart.  Kremniy  ato­
midagi  b o ‘sh  3d  
orbitallari  esa  ana  shunday  orbitallar  boMib 
xizmat  qiladi.
Kislorod  bilan  bog‘  hosil  qilganda  kremniy  atom i  fazoda 
tetraedrik  tarzda joylashgan  4  gibridli  sps  - orbitaldan  foydalanadi. 
Ushbu  orbitallarning  kislorod  atom in in g  juftlanm agan  e le k ­
tronli  ikkita  2p -  orbitallaridan  biri  bilan  tutashib  ketishi  hisobiga 
to ‘rtta  barobar  qiym atga  ega  b o ‘lgan  yakka  ct  bog'lari  vujudga 
keladi,  ya’ni  Si  —  О  bog'  burchagi  109°28'  boMgan  tetraedrik

guruh  [S iO J 4-  hosil  boMadi.  Bunda  har  bir  kislorod  atom i 
ushbu  b og1  uchun  2p -  orbitalidagi  juftlanm agan  elektronlardan 
birini  sarflaydi.
Si  —  О  —  Si  bogMarining  hosil  boMishida,  ya’ni  [ S i0 4]4 
tetraedrik  guruhlari  bir-biri  bilan  um um iy  kislorod  atomi  orqali 
birikkanda,  kislorod  atom i  ikkinchi  kremniy  atom i  bilan  bog‘- 
lanish  uchun  aw alam bor  2p  
orbitalidagi  o ‘zining  ikkinchi 
juftlanmagan  elektronini  beradi.  Turli  p   -  orbitallari  fazoda  bir- 
biriga  nisbatan  90°  burchak  ostida joylashgani  sababli,  Si  —  О —  Si 
bogMarining  burchagi  bu  holda  t o ‘g ‘ri  boMishi  kerak.
Lekin,  k o‘p  sonli  rentgenografiya  va  neytronografiya  tadqi- 
qotlarining  natijalariga  ko‘ra,  Si  —  О  —  Si  bogMarining  burchagi 
90°  ga  teng  em as,  u  qum tuproqning  turli  m odifikatsiyalarida 
ham da  kristall  va  shishasim on  holatdagi  silikatlarda  ancha  keng 
chegarada  —  120  dan  180°  gacha  o ‘zgaradi  (1 -jad va l).
/-  
j a d v a l
Qumtuproqning  turli  modifikatsiyalarida  Si —  О —  Si 
bogMarining  o ‘Ichamlari
Modiflkatsiya
Si  -  0   yadrolari 
orasidagi  masofa, 
nm
Si  -  О  -  Si 
bog'larining 
burchagi,  grad
P -  kvars  (past 
temperaturali)
0,  159...1,61
143...147
a   -  kvars  (yuqori 
tem peraturali)
0,162
146...155
P -   kristobalit  (past 
temperaturali)
0,159...0,162
147...150
a -   kristobalit  (yuqori 
tem peraturali)
0,154...0,169
152...180
Shishasimon  qum tuproq
0,162
120...180
U shbu  holat  juda  m uhim   h iso b la n a d i,  chunk i  bogMar 
burchagi  [ S i O J 4  tetraedrik  gruppalarning  fazod agi  o ‘zaro

joylashishini  aniqlab  beradi  va  shu  tariqa  turli  silikatlarning 
strukturasi  va  xossalarini  belgilaydi.
Kislorod  atom ining  ikkita  krem niy  atom i  bilan  90°  dan 
farqlanuvchi  burchak  ostida  bog‘lanish  holatini  kislorod  atom i 
orbitallarini  turli  variantda  gibridlanish  hodisasi  bilan  tushun- 
tirish  mumkin  (2-  rasm).
Kislorod  atomi  orbitallarining  s/^-gibridlanishida  bitta  2s  va 
uchta  2p   orbitallari  aralashib,  to ‘rtta  gibridli  sp3- orbitallarini 
hosil  qiladi.  Ular  bir-biriga  nisbatan  tetraedrik  yo'nalishda  109°28' 
burchagini  hosil  qiladi.  Ushbu  t o ‘rtta  gibridli  orbitallarning 
ikkitasida  bittadan  juftlanmagan  elektron  mavjud  b o ‘ladi.  Bu 
orbitallar  kremniyning  ikkita  atomi  vositasida  har  bir  kremniy 
a to m in in g   b itta d a n   sp3-  orbitali  b ila n   q o p la n ish i  h iso b ig a  
ikkita с  -  b og‘ini  hosil  qiladi  (Si  —  О  —  Si  b o g iarin in g  burchagi 
109°28').  Kislorod  atom ining  juftlangan  elektronlar  joylashgan 
qolgan  ikkita  gibridli  sp3- orbitali  bogMarning  hosil  boMishida 
ishtirok  etm aydi  (2 -  rasm,  a).
о   =  bog‘ 
л   =  bog'
2 -   r a s m .  K i s l o r o d   o r b i t a l l a r i n i n g   t u r l i c h a   g i b r i d l a n i s h i d a   Si  —  О   —  Si 
b o g ' l a r i n i n g   s x e m a s i :  
a
  — 
s p > 
- g i b r i d l a n i s h ,  
b
  — 
s p 2 
-  g i b r i d l a n i s h ,  
d - s p -
 
g i b r i d l a n i s h .
Kislorod  atom i  orbitallarining  sp2  gibridlanishida  2s  va  ikkita 
juftlanm agan  elektronlari  boMgan  2p -  orbitallari  aralashib,  bitta 
tekislikda  yotuvchi  va  t o ‘g ‘ri  uchburchakning  uchiga  bir-biriga 
nisbatan  120°  burchak  ostida  yo ‘nalgan  uchta  gibridli  orbitallarni 
hosil  qiladi.  U shb u  juftlanm agan  elektroni  boMgan  gibridli 
orbitallarning  ikkitasi  har  bir  krem niy  atom i  bilan  sp*-  orbital­
larining  q oplanishi  hisobiga  b ittadan  a-b o g M a rin i  vujudga 
keltiradi  (Si  —  О  —  Si  bogMarining  burchagi  120°).  Kislorod

atom ining  juftlangan  elektroni  boMgan  uchinchi  gibridli  orbitali 
bog‘  hosil  qilishda  qatnashm aydi.  Kislorod  atom ining juftlangan 
elektroni  boMgan  gibridlanm agan  orbitali  (2 -  rasm  b,  d   da 
uning  proyeksiyasi  aylana  shaklida  berilgan)  krem niy  atom i 
erkin  d -  orbitallarining  qoplanishi  hisobiga  d o n o r -a kse p to rli 
np —  n d   -  bogMarini  hosil  qilishda  ishtirok  etadi.  M a’lum ki,  n -  
bogMari  lokalizatsiyalanm agan  gibridlanm agan  p -  elektronlar, 
ya’ni  konkret  atom ga  taalluqli  boMmagan  elektronlar  hisobiga 
hosil  boMadi.  Ushbu  holda  kislorod  atom ining  bitta  2p -  orbi­
talidagi  juftlangan  gibridlanm agan  elektronlari  ikkita  kremniy 
ato m i  b ilan  lo k a liza tsiy a la n m a g a n   n-  b o g ‘ini  h osil  q ila d i. 
Shunday  qilib,  kislorod  atom i  orbitallarining  sp1-  gibridlanishi 
ikkita  kremniy  atom i  bilan  ikkita  ct-  bogMarini  va  bitta  к ^ к р -nd) 
bogMning  hosil  boMishini  ta’m inlaydi  (2-  rasm,  b).
11-  §.  Qiyin  eriydigan  borid,  karbid,  nitrid  va 
silitsidlarda  kimyoviy  bog‘lanishlar
Bor,  uglerod,  azot  va  krem niyning,  asosan,  kuchli  elek- 
trom u sb at  e le m e n tla r   (m e ta lla r)  bilan  h osil  q iigan   q iyin  
eriydigan  m eta llsim o n   birikm alari  borid,  karbid,  nitrid  va 
silitsidlar  deb  ataladi.  B a ’zi  bir  karbid  va  nitridlar  qiyin 
eriydigan  nom etall  birikmalarga  taalluqli  boMib,  ular  n o m e- 
tallar  qovushishidan  hosil  boMgan.
Bor  atom i  normal  holatda  \s 22s22p'  elektron  formulaga  ega. 
Agar  unga  ozgina  energetik  ta’sir  oMkazilsa  s ^ p   holati  vujudga 
kelib,  \s 22 s'2 p 2  elektron  konfiguratsiyasi  paydo  boMadi.  Bunday 
holatda  bor  atom i  2s -  va  2r -   orbitallariga  elektronlar  qabul 
q ilis h i,  y a ’ni  e le k tr o n la r   a k sep to ri  boMib  x izm a t  q ilish i 
m um kin.  Natijada 
В —  В 
bogManishi  bilan  bir  qatorda 
В 
—  Me 
va  Me  —  Me  (M e  —  m etall)  bogManishlari  paydo  boMadi.
Xulosa  qilib  aytganda,  boridlar  uchun  kovalent-  m etalli 
bogManishga  ega  boMgan  geterod esm ik   strukturalar  mavjud 
boMib,  M e  —  B,  Me  —  Me  va 
В — В 
larning  o ‘zaro  nisbati 
m etall  atom larining  donor 
akseptorlik  xususiyatiga  bogMiq.
Agar  m etallar  (m asalan,  lantanoidlar  va  aktinoidlar)  ning 
donorlik  xususiyati  yuqori  boMsa,  tarkibida  ko‘p  m iqdorda  bor 
boMgan  boridlar  hosil  boMadi:  M eB 4,  M eB 6,  M eB 12  va  bosh- 
qalar.  Ulardan  tetraborid  M eB4  va  geksaborid  M eB 6  lar  har 
tom onlam a  tekshirilgan.

M eB 6  ga  oid  panjara  oMchamlari  va  qiyin  suyuqlanuv- 
chanlikni  quyidagi  raqamlar  orqali  ko‘rishimiz  mumkin:
Kubli 
Panjara 
Erish 
geksaboridlar 
o'lcham lari,  nm 
temperaturasi,  °C
C aB 6 
0 ,4 1 4 5  
2235
SrB 6 
0 ,4 1 9  
2235
B aB 6 
0 ,4 2 8  
2270
LaB6 
0 ,4 1 4 5  
2210
C e B 6 
0 ,4 1 2 9  
2190
T h B ’ 
0 ,4 1 5  
2195
Boridlar  qiyin  suyuqlanuvchan  birikmalar  boMib,  o ‘rtacha 
va  yuqori  temperaturalarda  metall  tipli  elektr  o ‘tkazuvchanligi 
bilan  ajralib  turadi.  Shuning  uchun  ulardan  qalin  plyonkali 
rezistiv  pastalarning  elektr  o ‘tkazuvchi  k om p on en ti  sifatida 
foydalaniladi.  Lantan  geksaboridi  LaBh  monokristall  va  polikris- 
tall  holatlarda  yaxshi  term oem ission  material  hisoblanadi.  Shu 
xususiyati  tufayli  ulardan  elektron  pushkalar  va  elektron  lam- 
palarning  katodlari  yasaladi.  Ular  elektr  isitgichlar  yasashda 
ham  keng  q o ‘llaniladi.
Borning  m agniy,  kalsiy,  stronsiy  va  bariy  bilan  hosil  qiigan 
birikmalari  ichida  M eB (>  tarkibli  geksaboridlar  har  tom onlam a 
tekshirilgan  b o iib ,  ular  kim yoviy  bogManishi,  qiyin  eruvchan- 
ligi,  elektr  tokini  yaxshi  o ‘tkazishi  va  term oem ission  xossalari 
bilan  lantanoidli  boridlarga  yaqin  turadi.  Ularda  M e — Me 
kovalent  bogMar  hissasi  kam  boMib,  valentli  elektronlarning 
asosiy  qism i  bor  atom lari  В— В  dan  hosil  b o ia d ig a n   kovalent 
bogMangan  struktura  elem entlari  hosil  qilishga  sarflanadi.
M etallarning  donorlik  xususiyati  kam ayishi,  jum ladan  dav- 
riy  sistem aning  II  va  III  gruppasidan  IV  va,  nihoyat,  V  hamda 
VI  (VII  va  VIII)  gruppalarga  o ‘tilganda  M e— M e  bogManish 
kuchayadi  va  m etall  atom lari  elektronlarining  В— В  bogMariga 
o'tishi  susayadi.  N atijada  ba’zi  bir  m etallar  bor  atomlariga 
nisbatan  akseptorlik  vazifasini  o ‘taydi.
Natijada  tarkibida  b o ‘ri  kam  boMgan  boridlar  —  M e3B, 
M e2B  va  hokazo  hosil  boMadi.  Bunday  boridlarda  bor  atomlari 
bir-birlari  bilan  tu ta sh m a y d i,  ularni  kuchli  m etall  bogMari 
M e  —  M e  ajratib  turadi.

Yuqoridagilar  ichida  borning  volfram   bilan  hosil  qiigan 
birikmalari  —  W 2B,  W B,  W B 2  m uhim   b o ‘lib,  ularning  erish 
nuqtalari  3000°  К  dan  yuqori.  Uchala  birikma  yuqori  qattiqligi  va 
kim yoviy  turg'unligi  bilan  boshqalaridan  farqlanadi.  Titanli 
boridlar  ham   yuqori  fizik-texnik  xususiyatlarga  ega.  Issiqbar- 
doshligi  va  turg‘unligi  tufayli  titan  va  volfram  asosida  olingan 
boridlardan  gaz  turbinalarining  yuqori  temperaturaga  chidam li 
uzellari,  reaktiv  dvigatellar,  ishqalanishga  chidam li  yopm alar 
yasaladi.  Ularning  qattiqligi  o ‘ta  yuqori  b o ‘lganligi  tufayli,  abra- 
ziv  sifatida  ishlatishga  ham  tavsiya  berilgan.
K arb id lar  —  B e 2C ,  B4C ,  V C ,  W C ,  H fC ,  S iC ,  N b C , 
T aC ,  T iC ,  Cr3C 2,  ZrC 
va  boshqalar  hosil  boMishida  normal 
holatda  \ s 22s22p2  elektron  konfiguratsiyasiga  ega  boMgan  uglerod 
atom lari  bir  elektronli  o 4 is h   s ^ p   orqali  energetik  stabil 
konfiguratsiya  \s 22s'2p}  holatiga  o'tib ,  uglerod  uchun  xos  boM­
gan  sp 3  —  gibridizatsiya  hosil  qilad i.  B a ’zan  konfiguratsiya 
o ‘zgarishi  ham  mumkin:  s p 3  ^   s p 2  + p.
Karbidlar  tarkibiga  kiruvchi  m etallar  (m asalan,  valentligi 
o ‘zgaruvchan  elem entlar),  agar  kuchli  donorlik  xususiyatiga  ega 
boMsa,  uglerodning  valentli  elektronlariga  oid  sp2  —  k o n fi­
guratsiya  stabillashadi  va  kovalent  bogMi  С  —  С  hosil  boMadi.
U m u m lash tirib   aytilganda,  karbidlar  uchun  kovalent  — 
m etalli,  kovalent  —  ionli  yoki  kovalent  bogManishlar  mavjud 
boMib,  m etall  turi,  konsentratsiyasi  va  xossalariga  qarab  tez 
o ‘zgarib  turadi.
K ovalent  tipli  kimyoviy  bogManishga  ega  boMgan  karbidlarga 
B e2C  m ansubligini  ko'rsatish  m um kin.  U   yadro  keramikasida 
neytronlarni  susaytirgichlarni  yasashda,  avia  -  va  raketa  sa - 
noatida  yengil  konstruksion  material  sifatida  ishlatiladi.
Karbid  vakillari  ichida  B4C  birikmasi  ham  o ‘ta  m uhim  
su n ’iy  birikm a  hisoblanadi.  U  olm os  kabi  o ‘ta  yuqori  qattiqlik 
(m ikroqattiqligi  5 1 0 4  M Pa),  yuqori  erish  nuqtasi,  juda  yuqori 
kim yoviy  turg‘unlikka  ega.  Undan  atom   reaktorlarining  ster- 
jenlari,  k o ‘p  sonli  abraziv  buyumlari  yasaladi.
G afniy  va  tantalli  birikmalar  HfC  va  TaC  asosida  eng  qiyin 
eruvchan  s u n ’iy  karbidli  m ateriallar  o lin a d i.  Bu  jih a td a n  
Ta08H f02C  bunday  xususiyati  bo'yicha  barcha  materiallar  ichida 
birinchi  o ‘rinda,  HfC  — esa  ikkinchi  o ‘rinda  turadi.  Yuqori 
m ikroqattiqligi  2 ,7 -104  M Pa  atrofida  boMib,  kim yoviy  turg'unligi 
o ‘ta  yuqori.

Krem niy  karbidi  SiC  da  ham   kuchli  kovalent  kim yoviy 
bogManish  mavjudligi  tufayli  u  o'ta  yuqori  qattiqlik,  qiyin 
eruvchanlik  va  yarim  o'tkazuvchanlik  xususiyatlariga  ega.  Undan 
oksidlanish  m uhitida  ishlovchi  elektr  isitgichlar,  turli  dvigatel- 
larning  yuqori  tem peraturaga  chidam li  qismlari,  abraziv  ku- 
kunlari  va  asboblar  yasashda  foydalaniladi.
Titan  karbidi  TiC   da  xuddi  WC  va  H fC  dagidek  metalli 
kim yoviy  bogManish  mavjud.  Shuning  uchun  u  kobalt,  nikel  va 
volfram  m etalli  bogMovchilarga  ega  boMgan  kermetlar  ishlab 
chiqarishda  keng  qoMlaniladi.  Bundan  tashqari  titan  karbidi 
v o lfra m siz  q attiq   q o tish m a la r,  ish q a la n ish ga   b ard osh li  va 
olovbardosh  qoplam alar  yasashda  ham  keng  ishlatiladi.
Toriy  karbidlari  ThC  va  T h C 2  ning  erish  nuqtalari  yuqori, 
ya ’ni  2930°  К  atrofida  boMib,  asosiy  xossalari  sirkoniy  va  gafniy 
karbidlariga  o ‘xshash.  Birikmadagi  toriyning  radioaktivligi  tufayli 
ularni  ishlab  chiqarish  va  ishlatishda  bir  qator  m uam m olar 
mavjud.  Boshqa  karbidlarga  oid  erish  nuqtalari  quyidagicha: 
TaC  va  HfC -   4160°K ,  ZrC  -   3805°K ,  N b C -   3770°K,  xuddi 
shu  vaq td a  m eta lla r   u ch u n   ushbu  p ara m etr  Ta  —  3 300°K , 
H f  —  1 7 00 °K ,  N b   —  2 7 7 0 °K   va  Z r - 2 1 3 0 ° K .   Y u q orid a  
keltirilgan  karbidlar  qattiqligi  m ineralogik  shkala  b o ‘yicha  8  — 9 
boMib, 
Ta,  N b  va  Zr  metallari  uchun  5  —  6  ga  teng.
Uran  karbidlari  U C   va  U C 2  qiyin  eruvchan  (2600  К 
atrofida)  birikm alar  boMib,  hozirgi  vaqtda  yadro  yoqilg'isi 
sifatida  keng  qoMlaniladi.  Ularda  dioksid  uranga  nisbatan  hajm 
birligida  metall  miqdori  ko‘p.
Qiyin  eriydigan  nitridlar  azot  bilan  yuqori  elektr  musbat 
elem entlar  hosil  qiigan  birikmalar  hisoblanadi.  Nitridlarni  hosil 
qiluvchi  elem entlar  o ‘rtasidagi  kim yoviy  bogManish  turlariga 
qarab,  ular  n o m e ta ll  yoki  m etallarga  o ‘xshash  birikm alar 
holida  olinadi.  N om etall  nitridlar —  alum iniy  nitridi  A IN ,  bor 
nitridi  B N ,  kremniy  nitridi  S i3N 4,  odatda,  yuqori  tem peratu­
rada  eruvchan,  kim yoviy  va  term oturg'un  boMadi.  Ular  yaxshi 
dielektriklar  hisoblanadi.
M etallsim on  nitridlar —  titan  nitridi,  sirkoniy  nitridi,  tan- 
tal  nitridi  va  boshqalarga  xos  xususiyatlarga,  jum ladan  qattiqligi 
yuqori,  kim yoviy  turg'un  va  m etall  tipidagi  elektr  o ‘tkazuvchan.
N itridlar  tarkibiga  kiruvchi  a zo t,  odatda,  ls 22.s22p3  elek ­
tron  konfiguratsiyasiga  ega.  A z o t  atom i  nitridlarda  s 2p3  -» 
sp4  -> sp3  +   p  sxem a  b o ‘yich a  elektronlar  donori  yoki  uch

elektronni  biriktirib  olgan  s2p b  konfiguratsiya  hosil  qiluvchi 
akseptor  rolini  o ‘ynashi  m um kin.  Birinchi  im koniyat  azot 
elektronlar  akseptori  —  atomlari  bilan  b o g ‘langanida,  ikkinchi 
im koniyat  esa  elektronlar  donori  boMgan  atom lar  bilan  birik- 
kanda  ro‘yobga  oshadi.
N itridlarda  k o ‘pincha  ikkala  im koniyat  bir  vaqtning  o ‘zida 
am alga  osh ad i.  N atijada  ularda  kovalent  —  m etalli  kim yoviy 
bogM anish  ro'yob ga  ch iq a d i.  M e  —  N  bogMarida  Me  —  С 
bogMariga  nisbatan  kam roq  m etall  boMadi.
N itridlar,  yuqorida  aytgan im izd ek ,  kim yoviy  bogManish 
turlariga  qarab,  o ‘ziga  xos  xususiyatlarga  ega  boMadi  va  ishlatiladi. 
N om etall  nitridlar  elektr  izolatsion  keramika,  kesuvchi  bu- 
yumlar,  podshipniklar,  ishqalanishga  chidam li  detallar,  yuqori 
temperaturali  dvigatel  elem entlari  yasashda  keng  qoMlaniladi. 
Ikkinchi  tur  nitridlar,  m asalan,  titan  nitridi  T iN   esa  elektr 
kim yoviy  texnologiyalar  uchun  elektrodlar  yasashda,  kim yoviy 
sanoat  qoplam alari  va  o ‘ta  zich  texnik  detallar  olishda  keng