Kirish. Fanning asosiy maqsadi va vazifalari. Quduqlarda geofizik tadqiqot o’tkazish usullari

гк 
asosan ta’sir o‘tkazadi, МПЗ bilan yozilgan 

к
МПЗ 
ga esa 

гк 
bilan bir qatorda 
to‘la yuvilgan zonaning 

пп
ning ham ta’siri bo‘ladi. Odatda 

гк 

 

пп 
bo‘lganligi tufayli 
mikrogradiyent zond bilan yozib olingan

к
МГЗ 
mikropotensial zond bilan yozilgan

к
МПЗ 
qiymatidan kichkina, ya’ni

к
МГЗ
 



к
МГЗ 
kuzatiladi.
Mikropotensial va mikrogradiyent diagrammalarini alohida va bir paytning o‘zida 
yozish mumkin. Kollektorlarni ajratish uchun faqatgina bir paytda yozib olingan 
diagrammalar ishlatiladi, chunki ikkala zond diagrammalari Eq ni bir hil sharoitda yozib 
olinishi kerak.
Alohida diagrammalar yozilganda mikrozondlar boshmoqlari va quduq devorlari 
orasidagi muhit qalinligi xarhil bo‘ladi va shu sababli kollektorlarda kuzatiladigan ortirma, 
ya’ni

к
МПЗ
 



к
МГЗ 
bo‘lmasligi ham mumkin. Bunda quyidagi belgilar kiritilgan:
А va В - tok elektrodlari; M va N -qabul qiluvchi elektrodlar; R- tok kuchini 
o‘zgartiruvchi qarshilik; mA -tok kuchini o‘lchovchi milliampermetr; G - o‘zgaruvchi tok 
generatori (tok manba’si); RP1-mikrogradiyent zond bilan E
q 
yozib oluvchi galvanometr;
RP2-mikropotensial zond bilan E
q
yozib oluvchi galvanometr; FCHV - Fazа sezgir 
to‘g‘irlagich. Quduqdan kelayotgan MGZ va MPZ signallarini ФЧВ bir-biridan ajratib, 
so‘ngra ularni o‘zgarmas tokka to‘g‘irlab beradi. 
Oddiy gradiyent va potensial zondlar bilan E
q 
o‘lchanganda, unga xarhil omillarning ta’sirini 
oldingi ma’ruzalarda ko‘rgan edik. Ayniqsa quduqqa to‘ldirilgan burg‘i qorishmasi (eritmasi) 
ning solishtirma elektr qarshiligi 
