Мавзу: Кристалланиш жараёни. Кристалланишнинг статикаси ва кинетикаси. Режа


2
=1 бўлганда, коэффициент k = 2318. Унда, (16.5) тенглама ушбу кўринишни олади: 


2
2318


н
п
у
у
F
М



(17.6) 
бу ерда M/(F
) - сахарозанинг кристалланиш тезлиги, мг/(м
2
мин); у
п
-у
н
- концентарциялар фарқи, 
грамм 100 г эритмага; 
 - тўйинган эритманинг динамик қовушоқлиги, мПас.
Кристалланиш тезлигини белгиловчи асосий омиллар: эритманинг ўта тўйиниш даражаси; 
температура; кристалланиш марказларининг ҳосил бўлиши; аралаштириш интенсивлиги; эритмада 
қўшимча моддалар борлиги ва ҳ.
Кристалланиш жараёни 2 босқичдан иборат: кристалланиш марказларини ҳосил бўлиши ва 
кристалларнинг ўсиши. 
Кристалланиш марказларининг ҳосил бўлиши. Ўта тўйинган ёки совутилган 
эритмаларда кристалланиш марказларини сунъий равишда ҳосил қилиш мумкин. Масалан, 
эритмага майин дисперс заррачалар ёки "томизғи" қўшиш йўли билан ёки эркин, ўз - ўзидан ҳосил 
бўлади.
Ўз - ўзидан кристалланиш марказларининг ҳосил бўлишига индукцион давр сабабчи, чунки 
бу даврда кристалланиш юз бермайди. Ушбу даврда кристаллик асослари эритма билан 
ҳаракатчан мувозанатда бўлади. Кристаллик асослар ва эритма орасидаги ҳаракатчан мувозанат 
бузилиши билан ёппасига кристалланиш бошланади. Эритмани силкитиш ёки аралаштириш ва 
температура ортиши билан кристалл асослари ҳосил бўлиш тезлиги кўпаяди.
Кристалларнинг ўсиши. Эритмада эриган модда заррачаларининг ҳосил бўлган кристаллик 
асосларда адсорбцияси ҳисобига бўлади. 
Кристалланиш жараёнида кристалл ҳамма қирралари бўйлаб бир вақтда ўсади, лекин ўсиш 
тезлиги ҳар хил бўлади. Бу ҳол кристаллар ўлчами ва шаклининг ўзгаришиги олиб келади.
Кристалларнинг шакли асосан кристалланаётган модда табиатига боғлиқ. Агар, кристаллик 
асослар эркин ва бир текисда ювилиб турса, тўғри шаклли, яхши қирра ва томонли кристаллар 
ҳосил бўлади. Агар қурилма девори ва аралаштириш мосламасига кристаллар ишқаланса ёки 
урилса, унинг қирралари силлиқланиши ҳисобига кристалл шакли бузилади, яъни маҳсулот 
сифати ёмонлашади.
Одатда, олинаётган кристаллар ҳар хил бўлиши, эритмани ёмон аралаштирилиши билан 
боғлиқдир. Лекин, эритма интенсив аралаштирилиши бир томондан кристалланиш тезлигини 
оширса, иккинчи томондан - майда кристаллар ҳосил бўлишига сабабчи бўлади.
Олинган маҳсулот гранулометрик таркибини яхшилаш мақсадида классификация қилинади.
Кристаллар тозалиги кристалланиш жараёнини ўтказиш шароитларига, ҳамда кристалларни 
фильтрлаш ва ювишга боғлиқ. 

---