Мавзу: Кристалланиш жараёни. Кристалланишнинг статикаси ва кинетикаси. Режа

Вакуум остида кристаллаш. Бу усулда эритувчи девор орқали иссиқлик узатиш йўли 
билан буғлатилмасдан, балки эритманинг ўз физик иссиқлигини бериш ҳисобига рўй беради. 
Ушбу иссиқликнинг бир қисми эритувчини (таҳминан 10% масс) буғлатиш учун сарфланади. 
Ҳосил бўлаётган буғлар вакуум - насос ёрдамида сўриб олинади. Узатилаётган иссиқ тўйинган 
эритма температураси қурилмадаги босимга тегишли эритманинг қайнаш температурасигача 
пасаяди ва жараён адиабатик кечади. Эритманинг ўта тўйиниш ҳолатига уни совутиш йўли билан 
эришилади, чунки концентрация бунда сезилар - сезилмас ўзгаради. Эритувчи эритманинг физик 
иссиқлиги ҳисобига, ҳамда кристалланиш жараёнида ажралиб чиқаётган иссиқлик ҳисобига 
буғланиши мумкин. Эритманинг совитиш ва кристалланиши билан бирга буғланиши унинг бутун 
ҳажмида содир бўлади. Бундай ҳолат қурилма деворларида кристаллар ёпишиб қолишини 
камайтиради, ҳамда уни тозалаш билан боғлиқ сарфлар қисқаради.
Эритувчининг бир қисмини иссиқлик элткич ёрдамида буғлатиб кристаллаш. Бу 
усулда эритувчининг бир қисми эритма устида ҳаракатланаётган ҳаво ёрдамида буғланади ва 
эритма совутилади.
Фракцияли кристаллаш. Агар эритма таркибида ажратиладиган моддалар бир нечта бўлса, 
уни фракцияли кристаллаш усулида қайта ишланади. Бу усулда эритма температура ва 
концентрациясини ўзгартириш йўли билан кристаллар кетма - кет чўктирилади ва ажратиб 
олинади. 
 
Фойдаланилган адабиётлар: 
1. Н.Р.Юсупбеков, Ҳ.С. Нурмухамедов, С.Г.Зокиров. Кимёвий технология асосий жараён ва 
қурилмалари. –Т.: Шарқ, 2003. -643 б. 
2. Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии. - М.: Химия, 1973. – 752 с. 
3. Плановский А.Н., Николаев П.И. Процессы и аппараты химической и нефтехимической технологии. - 
М.: Химия, 1987. – 496 с. 
4. Гельперин Н.И. Основные процессы аппараты химической технологии. - М.: Химия, 1995. - т. 1-2. – 
768 с.