O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. E. Mamarajabov, sh sh. Adinayev, R. A. Razzokov

integrallanish darajasi orqali xarakterlanadi. Masalan, elementlarining soni 10 
tagacha bo’lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema (IS1) yoki oddiy 
mikrosxema, elementlarining soni 100 tagacha bo’lganlari—ikkinchi darajali 
integral sxema (IS2) yoki o’rta (O’IS) mikrosxema deb ataladi. 
Elementlarining soni 100-10000 bo’lgan ISlar I I I darajali, ya’ni katta integral 
sxema (KIS), 10 000 dan ortiq elementga ega bo’lgan mikrosxemalar esa, o’ta 
katta (O’KIS), ya’ni yuqori darajada integrallanishli mikrosxemalar 
hisoblanadi. Oddiy IMSga mantiqiy elementlar, o’rta IMSga esa, kompyuterning 

---

48 
xotira qurilmalari, hisoblagichlar, jamlash qurilmalari — summatorlar misol 
bo’ladi. Arifmetik, mantiqiy va boshqarish qurilmalari katta IMS dir. 
SHuni aytish kerakki, mikrosxemalarning integrallanish darajasini orttirish va 
unga bog’liq elementlar o’lchamini kichraytirishning chegarasi bor. Bir necha 
o’n ming elementni bir sxemaga birlashtirish (integrallash) texnologik jihatdan 
juda murakkab bo’lib, iqtisodiy jihatdan maqsadga muvofiq emas. SHuning 
uchun funktsional mikroelektronikaga o’tilmoqda. Unda qurilmaning biror 
funktsiyasini bajarish standart elementlar yordamida emas, balki fizik xodisalar 
asosida bajariladi.
Integral mikrosxemalar funktsional bog’lanishiga qarab 2 hil — impuls — 
qiyosiy va mantiqiy (logik) bo’ladi. Impuls qiyosiy IMS garmonik yoki
impuls tebranishlarni hosil qilish yoki kuchaytirishda, mantiqiy IMS esa, 
qurilmani elektron kalit rejimida ishlashini ta’minlashda qo’llaniladi. 
IMSlarning kichik o’lcham va massaga ega bo’lishi, kam quvvat sarflashi 
yoki ishonch bilan ishlashi, yuqori tezkorligi, arzonligi va boshqalar ularning 
afzalliklaridir. IMSning yuqori ishonch bilan ishlashi payvandlanadigan 
birikmalar sonining kamayishi hisobiga bo’lsa, yuqori tezkorligi — elementlari 
orasidagi tutashtirish oralig’ining kichikligi bilan xarakterlanadi. 
Har bir mikrosxemani ishlatishda tashqi manba kuchlanishi, nagruzkasining 
kattaligi, ta’sir etuvchi signal xususiyatlari va boshqalar oldindan aniqlangan 
bo’lishi lozim. Yarim o’tkazgichli, pardasimon, gibridli va birlashtirilgan 
(qo’shma) IMSlar eng ko’p qo’llaniladigan mikrosxemalardir. Yarim 
o’tkazgichli IMS yarim o’tkazgich materialidan iborat bo’lib, uning sirtqi 
qatlamida yoki hajmida elektr sxema elementlariga, tutashtirish simlariga, 
himoya (izolyatsiya) qatlamlariga ekvivalent bo’lgan sohalar hosil qilingan 
bo’ladi. 
Ko’pincha yarim o’tkazgich sifatida kremniy kristali olinadi. U 
mikrosxemaning asosini tashkil qiladi va taglik yoki kristall deb ataladi. 
Kristallda r — n o’tishlar hosil qilish yo’li bilan sxemaning passiv va aktiv 

---

49 
elementlari joriy qilinadi. Ular bir-biridan himoyalangan orolchalar deb 
ataladigan qismlarda tashkil topadi. 
Yarim o’tkazgichli IMSlar ko’p to’plamli qilib yasaladi. Har bir to’plamga 
bir vaktda juda ko’p mikrosxema joylashadi. Masalan, diametri 76 mm 
bo’lgan bitta plastinkaga 5000 tagacha mikrosxema joylanishi mumkin. Uning 
har birida 10 tadan 20000 tagacha elektron element qatnashadi. Pardasimon 
IMS maxsus taglik sirtida joylashirilgan ko’p qatlamli pardalar to’plamidan 
iborat. Taglik sifatida shisha, keramika (sopol) kabi mate riallar olinadi. 
Pardasimon IMSlar ikki turga ajratiladi: yupqa (1—2 mkm) pardali va qalin 
(10— 20 mkm) pardali. Ular faqat qalinliklari bilangina emas, balki taglikka 
tushirish texnologiyasi bilan ham bir-biridan farq qiladi 
Pardasimon IMSdan faqat passiv element — rezistorlar koidensatorlar, 
induktivlik g’altagi yasaladi. Ulardan RC — filtrlar tuziladi. 
Duragay IMS shunday mikrosxemaki, u pardasimon, yarimo’tkazgichli va 
diskret osma aktiv elementlarning birorta kombinatsiyasini tashkil qiladi. Ular 
pardasimon IMSning dielektrik tagligiga joylashtiriladi. 
Osma element deganda, asosan, ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va 
tranzistorlar tushuniladi. Ular mustaqil element bo’lib, taglikka yopishtirib 
(osib) qo’yiladi va parda elementlari bilan ingichka simlar yordamida 
tutashtiriladi. Duragay IMSda yarim o’tkazgichli IMS ham osma element 
hisoblanadi. Ayrim hollarda yetarlicha katta sig’im 
va induktivlik zarur 
bo’lganda ixchamlashtirilgan kondensator va induktivlik g’altagi ham osma 
element sifatida joriy qilinadi, chunki pardasimon IMSda katta sig’im
va 
induktivlikka erishish mumkin bo’lmaydi. 
Birlashtirilgan IMSda aktiv zlementlar yarim o’tkazgichli mikrosxemadagi, 
passiv elementlar esa, pardasimon mikrosxemalardagi kabi yasaladi. Ular 
umumiy taglikka himoyalangan holda joylashtiriladi.
Barcha IMSlar germetik qobiqda o’ralgan bo’lib, undan sxemaga tutashtirish 
uchlari — elektrodlar chiqariladi. 

---

50 
yarim o’tkazgichli IMSlarning elementlari bilan tanishamiz. Sababi 
pardasimon IMSlarda fatsat passiv elementlar — qarshilik, sig’im
va induktivlik 
hosil qilinishi mumkinligi aytilgan edi. Ular taglik sirtiga o’tkazuvchan va 
himoyalovchi moddalarni purkash yoki pardalar qatlami sifatida joylashtirish 
yo’li bilan hosil qilinadi. Bunda taglik dielektrik materialdan yasalgani uchun 
elementlarni bir-biridan himoyalashga xojat qolmaydi. Undan tashqari, taglik 
yetarlicha qalin va elementlar orasidagi masofa uzoq, bo’lgani uchun ular 
orasidagi zararli (parazit) sig’imlarni hisobga olmaslik mumkin. 
IMSlarning elementlari yarim o’tkazgich kristalining sirti yoki hajmida 
joylashadi. Ularning har biri yarim o’tkazgichning ma’lum sohasini egallaydi va 
mustaqil element — diod, tranzistor, rezistor, kondensator va boshqalar bo’lib 
hizmat qiladi. Bu sohalar bir-biridan yo dielektrik, yoki teskari kuchlanish 
ulangan r — p o’tishlar yordamida himoya qilinadi. Ular purkash yo’li bilan hosil 
qilinadigan simchalar yordamida biror elektr sxemani aks ettirgan holda 
tutashtiriladi. Tutashtirish simchalari metall tarmoqchalar deb ataladi. Ular, 
asosan, alyuminiydan tayyorlanadi. 
Yarim o’tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik 
jarayon bo’lib, ularning turlari xilma-xildir. Barcha jarayonlarning negizini 
tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha passiv va aktiv elementlar 
tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolyar yoki unipolyar 
tranzistorlar bajaradi. 
: