Portal guldu uz-ярим ўтказгичли Қ

3.3. ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛИ МАТЕРИАЛЛАР АСОСИДАГИ
ГЕТЕРОЖУФТЛИКЛАР
Гетерожуфтликларни танлаш асосан иккита кристаллографик
параметрни ҳисобга олишга асосланади. Булар панжара доимийлиги ва
иссиқликдан кенгайиш коэффициентларидир.
Панжаралар номувофиқлиги агар бир неча фоизни ташкил қилса, у
ҳолда ажралиш чегарасидаги ҳолатлар зичлиги 10
14
см
-2
ва ундан юқори
бўлиши мумкин, натижада гетероўтиш хусусиятлари шу чегаравий
ҳолатларга боғлик бўлиши мумкин. Бундай ҳолатлар жуфтланмаган
валентлари ёки «бебош» боғланишлар ҳисобига бўлади. Шулар туфайли
ажралиш чегарасида қуйидаги ҳоллар келиб чиқади;
а) ажралиш чегарасида энергетик соҳаларнинг қайрилиши,
б) ажралиш чегарасида ортиқча асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг
кучли рекомбинацияси.
Агар ажралиш чегарасидаги ҳолатлар зичлиги 10
13
см
-2
ва ундан
камроқ бўлса, айтиш мумкинки чегаравий ҳолатлар ўтиш чегарасига кам
таъсир қилади ва гетероўтиш хусусиятлари ташкил қилувчи материаллар
орасида ҳосил бўлган гутероўтиш хоссалари билан аниқланади. Шунинг
учун асосан гетерожуфтликлар танлашда панжаралар доимийлигини фарқи
1 % ва ундан камроқ бўлиши мақсадга мувофиқдир. қуйидаги жадвалда
айрим гетерожуфтликлар ва уларнинг параметрлари келтирилган.
материаллар E
g,
эВ a , A
o
соҳа
тузилиши
ИКК,
оС
-1
киришмалар Электронга
мойиллик,
эВ
GaAs
Ge
1,43
0,66
5,654
5,658
Туғри
Туғримас
5,8
5,7
Se, Te, Zn
Al, Ga, In
4,07
4,13
ZnSe
2,67
5,667
Туғри
7,0
Al, Ga, In
4,09

---

66
Ge
0,66
5,658
Туғримас 5,7
Al, Ga, In
4,13
AlAs
GaAs
2,15
1,43
5,661
5,654
Туғримас
Туғри
5,2
5,8
Zn
Se, Te
3,5
4,07
Гетероўтишли материаллар олиш технологияси асосан уч усулга
асосланган. Булар жумласига суюқ ва газ фазадан эпитаксия усули,
молекуляр-нурли эпитаксия усули ва вакуумдан устириш усулларидир.