S. o r I f j o n o V elektromagnitizm

Xullas atomlarning fizik va kimyoviy hossalari ulardagi yuqori 
elektron  qatlamda  nechta  o'rin  va  nechta  elektron  borligi  bilan 
aniqlanadi.  Bu  qatlam  elektronlar  bilan  to'lgan  bo'lsa,  bunday 
atomlardan  tuzilgan  kristall  —  dielektrik  hossalarga,  bu  qatlam 
to'lmagan bo'lsa — o'tkazgich  (metall)  hossalariga  ega boladi.
Bayon etilgan fikrlar yakkalangan atomlarga taalluqlidir.
Kristallar ko'plab 
( N )
  atomlarning yaqinlashib, elektromagnit 
ta’sirlashuvi  oqibatida  hosil  bo'ladi.  Ayrim  atomlarda  bir  xil 
energiyaga  ega  bo'lgan  elektronlar  kristall  deb  nomlanadigan 
sistemada  Pauli  prinsipiga binoan holatlari  bir-biridan farq qilishi 
kerak. Atomlar kristallga birlashganda elektronlar ayrim atom yoki 
ionga tegishli  bo'lmay,  butun  kristallga tegishli  bo'lib qoladi, ular 
kristall  bo'ylab,  kristall  panjara  tugunlari  orasida  harakatlanadi. 
Ularning  bunday  harakatining  yo'nalishi  va  energiyasi  ulaming 
to'lqin  vektori 
к
  bilan  aniqlanadi.  Masalan,  elektronlarning 
energiyasi  sodda hollarda 
Ek  =
  £, 
+ T r k 2 / 2 m
  formula bilan  ifoda­
lanadi,  ayrim  atomlarda 
E {
  eneriyali  bo'lgan  holatlar  kristallda 
o'zaro  ta’sirlashuv tufayli  ma’lum  kenglikka  ega  bo'lgan  elektron 
zonaga aylanadi.  Elektron zonalaming orasi ta’qiqlangan zona deb 
ataladi,  uning kengligi 
Es
 deb belgilanadi.  Bunday zonalardan  pastki 
bir nechtasi elektronlar bilan to'la bo'lsa,  krisstall  dielektrik xossaga 
ega bo'ladi.

Elektronlarning  krictall  bo'ylab  harakatlanishiga  qaramay, 
ulaming dielektrikdagi toki nolga tengligini aytib o'taylik. Haqiqatan, 
k\
  to'lqin  vektori  bo'lgan  holda  harakatlanayotgan  elektronni 
ko'raylik.  Elektronlar  bilan  to'la  zonada  albatta  modul  jihatdan 
xuddi  shunday  to'lqin  vektori,  lekin  yo'nalishi  teskari  bo'lgan 
yana  bir  elektron  bo'lib,  bu  ikki  elektronning  to'liq  toki  nolga 
teng bo'ladi.  Bu  mulohazalar zonadagi  barcha elektronlar uchun 
o'rinli bo'lib, muvozanatli holda zona elektronJari tok hosil qilmaydi.
Kristallga  elektr  maydoni  ta’sir  etganda,  elektr  maydon 
jumladan  zonadagi  barcha  elektronlarga  ta’sir etadi.  Elektronlar 
tok  hosil  qilishi  uchun  o'z  harakatini  (to'lqin  vektorini)  o'zgar- 
tirishi kerak. Zona ichida birorta bo'sh ruxsat berilgan holat bo'lma- 
gani  uchun,  elektronlar o'z  holatini,  harakatini  o'zgartirolmaydi 
va zona tokka hissa qo'sholmaydi. Kristallda yana boshqa elektronlar 
bilan to'la zonalar bo'lsa, ular ham tokka hissa qo'sholmaydi. Ayrim 
kristallarning dielektrik xossalari ularda faqat elektronlar bilan to'la 
zonalar  borligi  bilan  tushuntiriladi.
Dielektriklar tok o'tkazmasada, sirtlari zaryadlanishi  mumkin, 
elektr maydonda qutblanishi,  magnit maydonda —  magnit xossa­
larini  namoyon  etishi  mumkin.
S a v o l  va  m a s a la la r
55.1.  Kristalldagi  elektron zo nalar qanday hosil bo'ladi?
55.2.  Kristalldagi  elektron zonalar orasi qanday nom lanadi?
55.3.  N im a u ch u n   dielektriklar tok o ‘tkazmaydi?
5 6 - § .   Y a r im o ‘tk a z g i c h l a r
Kristallardagi  dielektrik  xossalar  past  haroratda  kuzatilishi 
mumkin.  Temperatura  oshishi  bilan  dielektrik  kristallarda  kuza- 
tiladigan jarayonlarni  o'rganaylik.
Dielektrik  kristallarda elektronlar bilan  to'la zonalarni 
valen t 
zona deb ataladi. 
Taqiqlangan
 zona 
(Eg)
 valent zonani yuqoridagi, 
о ‘tkazuvchanlik
 zonasidan ajratib turadi. Nima uchun dielektrikdagi 
yuqoridagi zona  о 'tkazuvchanlik zonasi deb atalishini tushuntiraylik.

Dielektrikdagi  elektronlarning  aksariyati  valent  zonada joy­
lashadi.  Elektronlarning ayrimlari fotonni yutib,  yoki temperatura 
oshganda kristalldagi issiqlik tebranishlarining energiyasini yutib, 
ta’qiqlangan zonaning yuqorisida joylashgan elektronlardan bo‘sh 
zonaga o'tib  qolishi  mumkin.  Temperatura yoki  yoritilish  ortishi 
bilan  bunday  elektronlar  soni  oshib  boradi.  Elektr  maydon 
bo'lmaganda  bu  elektronlar  betartib  harakatlanib,  tok  hosil 
qilmaydi.  Kristall  elektr maydonga kiritilsa,  maydon ularning har 
biriga  ta’sir  etib,  ularning  harakatini  o'zgartiradi,  harakatlariga 
tartib kiritadi va elektr toki vujudga keladi: 
]
 = 
nev
  Bu formulada 
n
 — elektronlar konsentratsiyasi,  v  —  ularning elektr maydondagi 
tartibli  harakat  tezligi.  Bu  tezlik  maydon  ta’sirida  vujudga  kelib, 
maydon kuchlanganligiga mutanosib bo'ladi:  v  = /< £ .  Mutanosiblik 
koeffitsiyenti 
ц
 zaryadli  zarralaming  harakatlanish  sharoiti  bilan 
bog'liq  bo'lib, 
h a r a k a tl a n u v c h a n li k
  deb  nomlanadi.  Miqdor 
jihatdan harakatlanuvchanlik zarralaming birlik elektr maydondagi 
tartibli 
h a r a k a t   tezligiga
  teng.  Shunday  qilib,  o'tkazuvchanlik 
zonasida elektr maydonda tok vujudga keladi:
Manfiy zaryadli zarralar uchun 
/и 
ham  manfiy bo'lib, 
ep. 
ko'paytma 
musbat,  tok  elektr  maydon  yo'nalishida  bo'ladi.  Shuning  uchun 
ularning  ishorasiga e’tibor bermaslik  mumkin.
Valent zonasidagi  ayrim elektronlar o'tkazuvchanlik zonasiga 
o'tishi  bilan,  bo'sh  holatlar — 
k a v a k l a r
  paydo bo'ladi.  Dielektrik­
dagi valent zonada deyarli barcha ruxsat berilgan holatlarda elektron­
lar  bo'lgani  holda,  ayrim  holatlarning  bo'sh  bo'lishi  —  kavak 
deb ataladi.
Valent zona elektronlar bilan to'la bo'lganida elektr toki  hosil 
qilmas edi.  Elektr maydonda kavaklar maydon bo'ylab,  elektronlar 
maydonga nisbatan teskari harakatlanadi, ulaming ikkisi ham  tokka 
musbat hissa qo'shadi:
j   =  ne/jE .
(56.1)
j   =  ( п+м+  +  п_
1
л_) еЕ.
(56.2)
Konsentratsiyalar  teng  bo'lsa:

Tokning qiymatiga ta’sir etuvchi eng kuchli  miqdor — zaryadli 
zarralar konsentratsiyasidir.  0 ‘tkazuvchanlik elektronlari va kavak­
lar temperatura  yoki  boshqa  sababga  ko‘ra vujudga  keladi,  hara­
katlanadi,  bir-biri  bilan  uchrashganda  neytrallashadi,  ilmiy  tilda
—  rekombinatsiyalashadi.  Ularning  konsentratsiyasi  shunday 
dinamik  sharoitda  vujudga  keladi.  Temperatura  ortishi  bilan 
elektronlarning valent zonasidan o'tkazuvchanlik zonasiga o'tishi 
keskin oshadi  va  oradagi  taqiqlangan  zona  kengligiga 
{E^
  kuchli 
bog'liq  bo'ladi. 
Eg 
kichik bo'lsa,  elektronlarning  o'tkazuvchanlik 
zonasiga o'tishi yengillashadi va ulaming konsentratsiyasi  nisbatan 
katta bo'ladi.  Faqat temperatura ta’sirida vujudga keladigan konsen- 
tratsiya  Richardson  —  Deshman  formulasi  bilan  ifodalanadi:
n =   A T 2 exp
V
k T
(56.4)
Bu yerda 
A  —
  doimiy koeffitsient, 
к  —
  Bolsman doimiysi.
Misol uchun 
E g  =  2 e V   =
 3.2  I 
O '19/  
T  
= 300
К  
bo'lsin.  Unda: 
n 
» 2.4  10~29(ЛЛ'2) .  Taqiqlangan  zona 
Es = 2 .2 e V  
bo'lsa,  konsen- 
tratsiya =103 marta kamayadi,  f ’^ l.S eF b o'lsa,  konsentratsiya »103 
ortadi.  Shunday  qilib  taqiqlangan  zonani  kichik  o'zgarishi  ham 
o'tkazuvchanlik elektronlarining konsentratsiyasiga va o'tkazuvchan- 
likka  kuchli  ta’sir etadi.  Shuning  uchun 
Eg = 
2cKshartli  ravishda 
dielektriklar  va  yarimo'tkazgichlar  orasida  chegara  deb  olingan. 
Eg> 2eV  
bo'lgan  kristallar  dielektriklar  deb  hisoblanadi,  bundan 
kichik taqiqlangan zonaga ega bo'lgan kristallar yarimo'tkazgichlar 
deb ataladi. Yorug'lik  fotonlarining energiyasi  1.55+3. leKoraliqda 
bo'lib, chegara yorug'lik nurlari  sohasiga to'g'ri  keladi.  Optik toza 
dielektriklar  bo'lganida  yorug'lik  nurlarini  yutmaydi,  shaffof 
bo'ladi,  lekin  chastotasi  yetarli  bo'lgan  ultrabinafsha  nurlarni 
yutadi. Jumladan oddiy shisha ko'zoynak ham ko'zni ultrabinafsha 
nurlardan  asraydi.
Dielektriklar va yarimo'tkazgichlar orasida  sifat jihatdan  farq 
yo'q,  miqdoriy farq bor.  Dielektriklar taqiqlangan  zonasi 
Eg  >  2 eV  
katta  bo'lgani  uchun  ularda  odatdagi  sharoitda  o'tkazuvchanlik 
elektronlarining konsentratsiyasi shunchalik kichik bo'ladiki, ularni 
tok o'tkazmaydi deb hisoblash mumkin, ular uchun р108ч-  1010Q/n.

Yarimo‘tkazgichlarda taqiqlangan zona kichikroq bo‘lgani uchun 
ularning  o'tkazuvchanligi  nisbatan  katta,  solishtirma  qarshiligi 
kichik  bo'ladi.  Yarimo'tkazgichlarni  taqiqlangan  zonasi  kichik 
bo'lgan  dielektriklar  deb  atash  mumkin.
O'tkazuvchanlik yana temperaturaga keskin bog'liqdir. Masalan, 
temperaturani  10%  kamayishi  o'tkazuvchanlikni  =104  marta 
kamaytiradi,  10% ortishi  —  103 marta oshiradi. Yarimo'tkazgichlar 
o'tkazuvchanligini temperatura bilan ortishi o'tkazuvchanlik elek- 
tronlari va kavaklar konsentratsiyasini keskin ortishi  bilan tushun­
tiriladi.  Metallarda esa temperatura  ortishi  bilan  o'tkazuvchanlik 
chiziqli ravishda kamayadi.
Yarimo'tkazgichlar deganda fizikada dastlab to'rt valentli 
Ge 
va 
Si 
moddalari tushuniladi,  ulaming fizik xossalari ayniqsa batafsil 
o'rganilgan.  Mendeleev jadvalida shu guruxda turgan olmos ham 
yarimo'tkazgich  hisoblanadi,  lekin uni  hosil  qilish  qiyinroq.  Uch 
valentli  elementlami  besh  valentli  elementlar  bilan  birikmalari 
A }BS  ( GaAs,  InSb,  GaP,  In P  
...)  yarimo'tkazgichli  kristallar  hosil 
qiladi. Shu  kabi 
А ЪВ5 
tipdagi birikmalar (
Z n T e,  ZnSe,  CdTe,  CdS) 
va 
boshqa  tipdagi  yarimo'tkazgichlar  ma’lum.  Yarimo'tkazgichlar 
borgan sari ko'proq qo'llanilayotgan sharoitda, kremniy 
Si 
tabiatda 
keng tarqalgan modda sifatida borgan sari  ko'proq qo'llanilmoqda. 
Texnikada qo'llaniladigan 
Si 
nihoyatda toza bo'lishi  kerak,  undagi 
aralashma  atomlarning  soni  kremniy  atomlar  sonining  10-8 
qismidan oshmasligi  kerak.  Bunday tozalikni amalga oshiradigan 
texnologik jarayonlarni  o'zlashtirgan  firmalar  ko'p  emas,  texnik 
kremniy  esa  qimmatbaho  mahsulot  hisoblanadi.  O'zbekistonda 
Elektronika  Instituti  Koreya  Respublikasi firmalari bilan birgalikda 
Respublika  kremniy  zaxiralaridan  texnik  kremniy  olish  bo'yicha 
amaliy ishlar olib bormoqda.
Yarimo'tkazgichlaming  elektr  xossalari  yoritilganlikka,  turli 
nurlanishlarga,  elektr va magnit maydonlarga, turli  aralashmalaiga 
juda  sezgir  bo'ladi.  Bunday  ilmiy  ma’lumotlar  minglab  ilmiy 
maqolalarda va  ilmiy kitoblarda bayon etilgan. Yarimo'tkazgich­
laming hossalariga asoslangan bir necha o'nlab elektron asboblar 
yaratilgan.  Ushbu  qo'llanma  doirasida  ulaming  ayrimlarinigina 
yoritish  imkoniyati  mavjud.

Yarimo‘tkazgichli 
f o t o d i o d l a r .
  Chastotasi  yetarli  boMgan 
( fico  >  Eg ) 
elektromagnit  toMqin,  yorugMik  yarimo‘tkazgichda 
yutiladi  va  o ‘tkazuvchanlikni  keskin  oshiradi.  Bunga  asoslangan 
sezgir fotodiodlar yaratilgan.  Ular,  masalan,  metroda ham qoMla­
niladi.
YarimoMkazgichlarda fotonning yutilish jarayonida elektron­
ning  energiya va  impulsi  fotonning  energiya va  impulsi  hisobiga 
o'zgaradi,  bunda saqlanish  qonunlari  bajariladi:
E 2 
-  
E y 
= 
Tico, 
p 2  -  
P i  
= 
tik.
 
(56.1)
Fotonning  impulsi 
nk
 
modul  bo‘yicha 
hco/c
 
ga  teng  boMib, 
elektron impulsidan juda kichik, shuning uchun fotonning yutilishi 
jarayonida elektronning impulsi o ‘zgarmaydi  (
p2
  = 
P l )
 deb hisob­
lash mumkin. YorugMikning bunday yutilishi kuchli boMib, yutilish 
koeffitsiyenti =Ю5Д« qiymatga erishishi  mumkin.
Ayrim  yarimoMkazgichlarda  energiyaning  saqlanish  qonuni 
bajarilgani holda,  elektron valent va oMkazuvchanlik zonasida turli 
impulsga  ega  boMishi  kerak.  Bunday kristallarda yutilish jarayoni 
kristall ionlarining tebranish impulsining (ilmiy tilda fonon impul- 
sining)  yutilishi  bilan  borishi  mumkin.  Uchta  zarra  (foton,  elek­
tron,  fonon)  ishtirokida ro‘y beradigan jarayon  ehtimolligi  kichik 
boMgani  uchun,  nurlarning  bunday  yutilish  koeffitsiyenti  deyarli 
yuz  marta  kichikroq,  =10
}/sm
  boMadi.  Shunday  qilib,  yorugMik 
yutilishi jarayoni  ham kristallning  ichki xossalari haqida, elektron 
zonalari  haqida  maMumot  olish  imkoniyatini  yaratar ekan.
A ralash m ali y a rim o  ‘tkazgichlar.
  YarimoMkazgichning  har  bir 
atomi  qo'shni  atomlar bilan to'rt kovalent bogManish  hosil qiladi. 
Bunday  kristallarga  kiritilgan  besh  valentli  aralashma 
(P,  As,  Sb) 
atomi ham bunday bogManishlarda ishtirok etadi, tashqi qobigMdagi 
bir elektron esa,  ortiqcha boMib qoladi.  Bu elektronning aralashma 
atomiga  bogManishi  kuchsiz  boMib  (masalan, 
Ge
  da  0.01 
eV), 
temperatura ta’sirida undan ajrab ketadi. Aralashma atomi  musbat 
ionga aylanadi va elektr o ‘tkazuvchanlikda ishtirok etmaydi, elektron 
esa o'tkazuvchanlik zonasiga o ‘tib, o‘tkazuvchanlikka hissa qo‘shadi. 
Shunday qilib har bir besh valentlik aralashma atomi temperatura- 
dan qat’i  nazar bitta oMkazuvchanlik elektroni hosil qiladi.  Bunday

aralashma  donor  deb  ataladi,  yarimo‘tkazgich  esa 
n  —
  tipdagi 
yarimo‘tkazgich  deb  ataladi  (negative,  manfiy so‘zidan  olingan). 
Ularda  o'tkazuvchanlik  elektronlari  ko‘p  bo'lgani  holda,  oz 
miqdorda kavaklar ham bo'ladi  (asosiy bo'lmagan o'tkazuvchanlik 
zarralari),  ularning  konsentratsiyasi,  yuqorida  bayon etilganidek, 
temperaturaga kuchli bog'liq bo'ladi.
Yarimo'tkazgichga  uch  valentli  aralashmalar  kiritilsa,  ular 
ham  atrofdagi  kristall  atomlari  bilan  ta’sirlashib,  to'rt  kovalent 
bog'lanish hosil qilishadi,  buning uchun kristalda uchrab turadigan 
elektronlardan biri  ishlatiladi,  demak bironta asosiy atomda elek­
tronning  kamomadi  vujudga  keladi,  har bir aralashma  atomi  bir 
kavakni  vujudga  keltiradi.  Bunday  aralashmalar  (
В,  Al,  Ga,  In) 
akseptor,  yarimo'tkazgich  esa 
p
 
tipdagi  yarimo'tkazgich  deb 
ataladi  (positive,  musbat  so'zidan  olingan).  Ularda  ham  asosiy 
bo'lmagan o'tkazuvchanlik zarralari,  o'tkazuvchanlik elektronlari 
bo'ladi,  .lekin  ulaming  konsentratsiyasi  harorat  pasayishi  bilan 
keskin  kamayib  ketadi.
Shunday qilib, aralashmalar yordamida yarimo'tkazgichlarda 
temperaturaga  bog'liq  bo'lmagan  o'tkazuvchanlik  hosil  qilinadi. 
Aralashmali yarimo'tkazgichlaming eng muhim xossalari ularning 
bir-biriga ulanishida,  kontaktda namoyon bo'ladi.
n
  -  tipdagi  va 
p
  -  tipdagi  yarimo'tkazgichlaming  kontaktini 
ko'rib chiqaylik (56.1-rasm).  Ularni  ayrim yaratilib, so'ngra ulash 
shart emas,  bunday kontakt yasash uchun yagona yarimo'tkazgich 
asos olinib,  uning ikki qismiga ikki turdagi aralashma singdiriladi. 
Integral mikrosxemalaming yasalishi ham huddi shunday texnolo- 
giyalarga asoslanadi.
Donorli yarimo'tkazgichda o'tkazuvchanlik elektronlari  ko'p
p
56. l-ra sm .
П
bo'lib, ular issiqlik harakati  tufayli 
kontaktga yaqinlashib,  akseptorlik 
yarimo'tkazgichdan issiqlik harakati 
tufayli  yetib  kelgan  kavaklar  bilan 
uchrashib,  neytrallashadi  (rekom- 
binatsiyalashadi).  Bundayjarayonda 
donorli  yarimo'tkazgich  musbat, 
akseptorlik yarimo'tkazgich manfiy

zaryadlanib  qolib,  ular orasida  kontakt 
p o te n sia lla r f a r q i
 vujudga 
keladi,  bu  elektr  maydon  asosiy  tok  tashuvchilarining  kontakt 
sohasiga qarab harakatlanishiga to'sqinlik qiladi.
Kontaktga  tashqi  kuchlanish  berilsa,  u  kontakt  potensiallar 
farqini  oshirishi  mumkin,  unda  elektr maydonining  tok  oqishiga 
to‘sqinligi  yanada  ortib,  tok  oqmaydi,  yoki  kontakt  potensiallar 
farqini va tokka to'sqinligini kamaytirishi mumkin,  bunda kontakt 
orqali  tok oqadi.  Tashqi  kuchlanishni  ishorasi  o ‘zgarganda 
p   —  n 
kontaktning qarshiligi  105—106 marta o'zgarishi  mumkin.  Shuning 
uchun 
p   —  n
  kontakt  bir  yo'nalishda  tok  o'tkazuvchi  element, 
yarimo‘tkazgichli diod sifatida qo'llaniladi  (36-§ ga qarang).
p   —  n
 kontaktdan tok o'tayotganda kontaktda rekombinatsiyala- 
shayotgan  elektronlar va  kavaklar elektromagnit  to‘lqin  kvantlari
—  fotonlami nurlatadi.  Fotonlami kristaldan tashqariga chiqishidagi 
toMa ichki qaytish hodisasiga qarshi choralar ko‘rib,  nurlanishning 
bir  yo‘nalishda  chiqishi  uchun  akslantiruvchi  ko‘zgular  yasab, 
yorug‘lik  diodlarida  elektr  energiyaning  40%  ining  yorugMikka 
aylanishiga  erishilgan.  Juda  ihcham,  qizimaydigan,  energiyani 
tejovchi bunday yorugMik diodlarining turli elektronika asboblari, 
televizordan tortib, kompyutergacha, hattoki o‘yinchqlarda ko‘plab 
qo‘llanishini  ko'ramiz.
YorugMik kvantlari  ayrim atomlar va boshqa zarralar tomoni­
dan  nurlanadi.  Ularning  nurlanish  vaqti,  yo‘nalishi,  qutblanishi, 
ayrim  hollarda  chastotalari  ham  bir-biridan  farq  qiladi.  Bunday 
nurlanish  nokogerent  nurlanish  deb  ataladi.  Inson  yaratgan 
la z e r  
nomli qurilmalarda  elektromagnit nurlanish A.Eynshteyn nazariy 
bashorat  qilgan  majburiy  nurlanish  hodisasiga  asoslangan.  Hosil 
qilinadigan lazer nurlanishi nihoyatda yo'nalganligi,  qutblangan- 
ligi,  chastotasining  doimiyligi,  barcha  tebranishlar yagona tebra­
nish kabi ekanligi  (kogerentligi) bilan ajralib turadi.  Kichik quwatli 
lazerlar  jumladan  yorugMik  diodini,  yarimo'tkazgichli 
p   —  n 
o'tishni  mahsus yorugMik rezonatoriga o ‘rnatilib hosil qilinadi.
Ko'pchilik lazerlar doimiy toMqin uzunligida nurlanish chiqa­
radi. Yarimo‘tkazgichli  lazerlarning materiallarini yasash texnolo- 
giyasiga o'zgartirish kiritib,  turli chastotali lazerlar yasash mumkin. 
Yarimo‘tkazgichli  lazerlar ixchamligi  bilan  ajralib  turadi.  Hatto,

integrali  mikrosxemalarda  qo'llanishi 
uchun  mikroskopik  o'lchamlarga  ega 
lazerlar yaratilgan.
Yarimo'tkazgichli  boshqa  muhim 
qurilma  —  tranzistor  bo‘lib,  bipolyar 
tranzistor  dastlab  amerikalik  olimlar 
Uilyam  Shokli,  Djon  Bardin,  Uolter 
Bratteyn  tomonidan  1947-yilda  yara­
tilgan. Bu kashfiyotlari uchun ular  1956- 
yilda  Nobel  mukofotiga  sazovor bo‘lishgan.  Ulardan  Jon  Bardin 
o ‘ta o'tkazuvchanlik nazariyasini yaratishdagi hissasi uchun ikkinchi 
bor bu  buyuk mukofotga sazovor bo'lgan.  Bu  olimlaming  ismlari 
Kulon, Amper,  Ersted va boshqa buyuk fiziklar qatoridan o'rin olgan.
Tranzistor (bipolyar tranzistor)  ikkita 
p   —  n
  o'tishdan  iborat 
qurilmadir  (56.2-rasm). 
n — p   —  n v a p   —  n — p
  tipdagi  tranzis- 
torlari farqlanadi,  lekin ularning ishlashi o'xshash bo'ladi.  Bunday 
qurilmadan  tok  o'tkazmoqchi  bo'lsak,  kontaktlardan  biri  tokni 
o'tkazgani  bilan,  ikkinchisi  o'tkazmaydi.  Agar qurilmaning  o'rta 
qatlamiga ishorasini tanlab, kuchsiz kuchlanish 
Us
 (signal) ulansa, 
tranzistordan 
Us