Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
|
TESTLAR:
1. Epitaksiya so’zining ma’nosi? a) Lotincha bajarmoq degan ma’noni anglatadi; b) Yunoncha ma’noni anglatadi; c) Ruschadan qatlam hosil qilish degan ma’noni beradi; d) To’g’ri javob berilmagan; 2. Epitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Monokristall taglik ustida monokristall modda qatlamini ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirish jarayonidir; b) Yarimo’tkazgich moddalarning ustki qismida ma’lum yo’nalishda qatlam hosil qilish jarayonidir; c) Qattiq jismlarning ustki qismida qatlam hosil qilish jarayonidir; d) Polikristall modda qatlamini ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirish jarayonidir; 3. Epitaksiya turlarini to’liq berilgan javobni ko’rsating. a) Avtoepitaksiya, gomoepitaksiya; b) Xemoepitaksiya, avtoepitaksiya, gomoepitaksiya; c) Epitaksiyaning turlari juda ko’p, to’liq sanab o’tilgan javob varianti mavjud emas; d) Avtoepitaksiya , geteroepitaksiya, xemoepitaksiya, reoepitaksiya; 4. Avtoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan jarayondir; b) Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan jarayondir; c) Yangi kristall fazasi qatlami taglikning unga kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil bo‘ladigan jarayondir; 52 d) Taglikning tuzilishi o‘sadigan kristall fazasi tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 5. Geteroepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Taglikning tuzilishi o‘sadigan kristall fazasi tuzilishidan farq qiladigan jarayon; b) Yangi kristall fazasi qatlami taglikning unga kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil bo‘ladigan jarayondir; c) Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan jarayondir; d) Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan jarayondir; 6. Xemoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan jarayondir; b) Taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan iborat bo’lgan jarayondir; c) Yangi kristall fazasi qatlami taglikning unga kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil bo‘ladigan jarayondir; d) Taglikning tuzilishi o‘sadigan kristall fazasi tuzilishidan farq qiladigan jarayon; 7. Reoepitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Taglikning tuzilishi o‘sadigan kristall fazasi tuzilishidan farq qiladigan jarayon; b) Yangi kristall fazasi qatlami taglikning unga kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o‘zaro ta‘siri evaziga hosil bo‘ladigan jarayondir; c) Taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan iborat bo’lgan jarayondir; 53 d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 8. Agar o’tqazilayotgan modda taglikka bevosita yetib borayotgan bo’lsa, … jarayon deyiladi, aks holda … jarayon deyiladi. Nuqtalar o’rnini mos javob variant bilan to’ldiring. a) Avtoepitaksiya jarayoni , aks holda, gomoepitaksiya jarayoni; b) Avtoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni; c) Reoepitaksiya jarayoni, aks holda, xemoepitaksiya jarayoni; d) To’g’ri jarayon, aks holda, noto’g’ri jarayon; 9. O’tqazilayotgan moddaning dastlabki agregat holati bo’yicha epitaksial jarayonlar necha turga bo’linadi, ularni sanab o’ting. a) Faqat qattiq fazadan epitaksiya olish usuli mavjud. Turlarga ajratilmaydi; b) 4 turga ajratiladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya, bug’ – suyuqlik – kristall tizimida epitaksiya; c) 3 turga ajraladi: gaz – transport epitaksiya, suyuq fazadan epitaksiya, qattiq fazadan epitaksiya; d) Faqat bug’ – suyuqlik – kristall tizimida epitaksiya olish jarayoni mavjud. Turlarga ajratilmaydi. 10. Epitaksial strukturalar qanday xossalari bilan hajmiy materiallardan farqlanadilar? a) Strukturaviy tuzilishi darajasi, nuqsonlarning va kirishmalarning yo‘qligi bo‘yicha epitaksial qatlamlar (jumladan, taglik materiali ham) hajmiy materiallardan ancha afzalligi bilan; b) O‘stirilayotgan qatlamlar kimyoviy tarkibi boshqarila oladigan tarzda o’zgarishi mumkin (pog‘onali kabi, ham tekis). Bu esa oldindan berilgan xossali materiallar olish imkonini beradi.Texnologiya yana o‘sish jarayonida to‘g‘ridan-to‘g‘ri boshqariluvchan ligerlash imkonini berishi bilan; c) Epitaksiya turli tarkibli navbatma-navbat o‘stirish imkonini beradi, bunda atom-keskin chegaralar mavjudligidan qatlamlar qalinligi atom 54 o‘lchamlarigacha kamayishi mumkin. Shunday yo‘l bilan o‘stirilgan strukturalar (kvant o‘ralar,yuqori panjaralar) hajmiy materiallarda bo‘lmaydigan ulkan fizik xossalarga ega ekanligi bilan; d) Barcha javob variantlaridagi xossalar bilan hajmiy materiallardan farqlanadilar; 11. Epitaksial geterostrukturalar qanday ulkan elektr va optik xossalarga ega? a) Epitaksial qatlamlarning yuqori strukturaviy tuzilishi erkin tashuvchilar sochilishini ancha kamayishiga va shuning bilan birga materialda elektr siljuvchanlikni ham kamayishiga olib keladi; b) Elektronlar, kovaklar va eksitonlar uchun tutqich bo‘lgan nuqson va kirishmalar miqdorining o‘ta kamligidan epitaksial strukturalar lyuminessensiyaning yuqori kvant chiqishi bilan farq qiladi, bu esa ular asosida yaratilgan geterolazerlar va yorug‘lik diodlari ish samaradorligini keskin oshiradi; c) Yupqa epitaksial qatlamlarning energetik strukturasi ko‘p jihatdan bir tekis kvantlanish effekti bilan aniqlanib, bu qatlam qalinligini o‘zgartira borib yo‘naltirilgan holda ularning optik xarakteristikalarini o‘zgartiradi; d) Yarimo‘tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash qurilmalarini yaratish uchun o‘ta muhimdir. e) Yuqoridagi barcha javob variantlaridagi xossalar epitaksial qatlamlar uchun elektr va optic xossalar sifatida o’rinlidir; 12. Elektronikada va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo`llashga doir misol keltirilgan javob variantlarini belgilang. a) Elektronika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga yuqori tezlikli maydon tranzistori misol bo’la oladi; 55 b) Elektronika va optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga stimullangan nurlanish generatori misol bo’la oladi; c) A va D javob variantlarida to’g’ri misollar keltirilgan; d) Optika sohasida epitaksial geterostrukturalarni qo’llashga yarimo’tkazgichli yorug’lik diodi va geterolazarlar misol bo’la oladi; 13. Epitaksial o’sishning afzalliklari sanab o’tilgan javob variantini belgilang. a) O‘sish yo‘nalishni va o‘suvchi qatlam strukturasini beruvchi avvaldan tayyorlangan kristal tekislikning mavjudligi; b) O‘stiruvchi sirtning orasi erish temperaturasidan ancha pastligiga asoslangan o‘sish jarayonining notekis xarakteri; c) O‘suvchi materiallar atomlar effektiv sirtiy diffuziyasining mavjudligi. O‘suvchi materialning yuqori chastotaliligi va kristallanish elementiga ega o‘suvchi strukturalarning kontaktda bo‘lmasligi; d) A, B va C javob variantlarida epitaksial o’sishning afzalliklari to’liq sanab o’tilgan; 14. Epitaksial qatlam tushunchasiga ta’rif bering. a) Taglik tuzilishini saqlovchi, kristall taglikka o’tqazilgan monokristall modda; b) Taglik strukturasini doimiy saqlovchi, taglikka o’tqazilgan polikristall modda; c) Ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirilgan taglik; d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 15. Suyuq fazadan epitaksiya olish usullarini nechta katta guruhga bo‘lish mumkin. Ulardagi farq qanday aniqlanadi. a) Yo‘nalishli kristallanish usuli va kristallanish usuli. Ularning farqi yo’nalishi bilan aniqlanadi; b) Yo‘nalishli kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish usuli. Ulardagi farq qatlamda kirishmalarning oxirgi taqsimoti bilan aniqlanadi; 56 c) Dastur zonali kristallanish usuli va dastur zonali qayta kristallanish usuli. Ulardagi farq jarayonning ikkinchi marta qaytalanishidadir; d) To’g’ri javob variant berilmagan; 16. Yo’nalishli kristallanish usulida qatlamning … bir jinsli emasligi xarakterlidir. Kirishmalar zichligining o’zgarishi yo’nalishli kristallanish asosiy tenglamasiga binoan bo’lishini ko’rsatadi. Nuqtalar o’rniga mos javob variantini belgilang. a) … boshlang’ich va oxirgi qismida … b) … butun qalinligi bo’yicha kirishmalar taqsimoti … c) Tashqi muhitga qarab ba’zida A , ba’zida B javob variantlari kuzatiladi; d) To’g’ri javob variant berilmagan; 17. Dastur zonali kristallanish usulida olingan qatlamlarda kirishmalarning taqsimoti epitaksial qatlamning … bir jinsli emasligi, … esa kirishmalar taqsimoti bir jinsli ekanligi kuzatiladi. Nuqtalar o’rniga mos javob variantini belgilang. a) … boshlang’ich qismida … va … oxirgi qismida; b) … boshlang’ich qismida … va … o’rta qismida; c) … boshlang’ich va o’rta qismida … va … oxirgi qismida; d) … boshlang’ich va oxirgi qismida … va … o’rta qismida; 18. Kremniy karbidi epitaksial qatlamini qanday fazalarda olish mumkin? a) Bug’ – suyuq – kristall fazada olish mumkin; b) Qattiq va suyuq fazada olish mumkin; c) Gaz va suyuq fazada olish mumkin; d) Kremniy karbididan epitaksial qatlam olinmaydi; 19. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) jarayoniga ta’rif bering. a) O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iboratdir; 57 b) O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iborat; c) Dastlabki o‘suvchi materiallar xuddi gaz fazali epitaksiya (GFE) dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi. d) To’g’ri javob variant berilmagan; 20. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasining asosiy afzalliklarini to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. a) Jarayonning o‘ta yuqori vakuumga va o‘ta toza o‘suvchi materiallar qo‘llanilishiga asoslangan yuqori tozaligi; b) Molekulyar dastalarning taglik tomon katta tezlik bilan uchishi natijasida erishiladigan struktura o‘sishining tarkibining deyarli noinersion boshqarilishi imkoniyati; c) O‘sish jarayonini yuqori vakuumni talab etuvchi mass- spektrometriya va tez elektronlar diffuziyasi usullari bilan to’g’ridan – to’g’ri nazorat qilish imkoniyati; d) Barcha javob variantlari to’g’ri; 21. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) texnologiyasi kamchiliklari to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini tanlang. a) O‘stiruvchi qurilmaning texnik murakkabligi va o‘sish jarayonining o‘suvchi parametrlarning o‘zgarishiga turg`un emasligi texnologik personallar malakasiga katta talablarni qo‘yadi; b) O‘rtacha 1 mkm/soatni tashkil etuvchi o‘sish jarayoni tezligining sekinligi; c) O‘stirilayotgan strukturalarning qimmatga tushishi. Bularga – qimmat baholi qurilma amortizatsiyasi , o‘ta toza o‘suvchi materiallarning yuqori narxi va yuqori malakali personallarga to‘lanadigan mehnat haqi kiradi; d) Barcha javob variantlari to’g’ri; 58 22. Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning afzalliklari to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. a) Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) ga nisbatan soddaligi va o‘sish jarayonining mustahkamligi; b) A, C va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan; c) O‘sish tezligi deyarli 10 marta katta (10mkm/soat atrofida); d) O‘suvchi materiallarning ancha arzonligi ; 23. Gaz fazali epitaksiya (GFE) ning kamchiliklari to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. a) Texnologik jarayonning yuqori toza bo‘lishiga erishib bo‘lmaslik; b) O‘sish jarayonini to‘g‘ridan-to‘g‘ri kuzatib bo‘lmaslik; c) A, B va D javoblarida to’liq afzalliklari keltirib o’til;gan; d) Qo‘llanilayotgan materiallarning yuqori zaharli ekanligiga bog‘liq texnik qiyinchiliklar; 24. Atom - qatlamli epitaksiya jarayoniga ta’rif bering. a) Dastlabki o‘suvchi materiallar xuddi GFE dagidek, biroq bu yerda o‘sish uzluksiz bormay, qatlam-qatlam boradi, bunda har bir qatlam bir necha bosqichda o‘stiriladi; b) O‘suvchi materialni oldindan tayyorlangan yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iboratdir; c) O‘suvchi materialni yassi monokristal taglikda vakuumli changlashdan iborat; d) To’g’ri javob variant berilmagan; 25. Atom-qatlamli epitaksiya jarayoni necha bosqichda amalga oshiriladi? a) 5 bosqichda; b) 2 bosqichda; c) 3 bosqichda; d) 4 bosqichda; 59 26. Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining afzalliklari to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. a) O‘stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni; b) A va C javob variantlari to’g’ri; c) Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o‘stirish imkoni; d) O’stirish jarayonining tez suratlarda borishi; 27. Atom - qatlamli epitaksiya jarayonining kamchiliklari to’g’ri ko’rsatilgan javob variantini belgilang. a) Atom – qatlamli epitaksiya jarayonida deyarli kamchilik kuzatilmaydi, ba’zi kichik nuqsonlar mavjud. Ammo , katta afzalliklar oldida ular deyarli kamchilik emas; b) Atom qatlamlarni o‘stirish juda ulkan , shuning uchun o‘sish tezligi juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas); c) Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo‘llanilmaydi, shuning uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo‘ladi; d) B va C javob variantlari to’g’ri; 28. Molekulyar dastali epitaksiya (MDE) kompleksining asosiy strukturaviy elementlari nechta? a) 3 ta; b) 5 ta; c) 6 ta; d) 10 ta; 29. O’stiruvchi modulning asosiy tugunlaridan biri bo’lmish – vakuum kamera qanday vazifani bajaradi? a) O‘suvchi bo‘shliqni atmosfera havosidan germetik izolyatsiyalaydi; b) O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlaydi; c) Vakuum kamera orqali elektronlar oqimi hosil qilinadi; d) A va B javoblar to’g’ri; 30. O’stiruvchi modulning tugunlaridan biri kriopanellarga ta’rif bering. 60 a) Suyuq azot bilan to‘ldirilgan sig`imdan iborat, o‘suvchi modulning eng ko‘p qizdirilgan elementlarini manipulyator va molekulyar manbalarni o‘rab olgan sistema; b) O‘suvchi bo‘shliqni atmosfera havosidan germetik izolyatsiyalovchi sistema; c) O‘suvchi modulning barcha qolgan elementlarini mahkamlovchi sistema; d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 31. O’stiruvchi modulning transport sistemasi qanday vazifani bajaradi? a) Vakuum qurilmalarda yukli kameradan tashuvchili taglikni o‘suvchi modulga masofadan siljitishni amalga oshiradi; b) Tashuvchini manipulyatorga mahkamlaydi; c) O’stiruvchi moduldan o‘stirilgan strukturalarni yo‘qotish vazifasini bajaradi; d) A, B va C javob variantlari to’g’ri; 32. Kriosistema elementlari qanday qurilmalardan iborat? a) Tashuvchi manipulyator va vakuum qurilmalardan iborat; b) O’stirilgan strukturalarni yo‘qotish vazifasini bajaruvchi qurilmalardan iborat; c) O’suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga oshiruvchi tashqi qurilmalardan iborat; d) A, B va C javob variantlari to’g’ri; 33. Nazorat va analiz aboblarini vazifasi sanalgan javob variantini belgilang. a) O‘suvchi moduldagi kriopanellarga uzluksiz uzatishni amalga oshiradi; b) Texnologik parametrlarni nazorat qilishdan va texnologik jarayon davomidagi holatini analiz qilishdan iboratdir; 61 c) O‘suvchi kameradagi atmosfera bosimi, tarkibi, manba va taglik , molekulyar dastalar zichliklari nisbatini nazorat qiladi va texnologik jarayon davomidagi o‘suvchi sirtning holatini analiz qiladi; d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 34. Tagliklar yasash jarayonida ishlov berish nechta bosqichdan iborat? a) 3 bosqichda amalga oshiriladi; b) 2 bosqichda amalga oshiriladi; c) 4 bosqichda amalga oshiriladi; d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 35. Ishlov berish jarayoni bosqichlari to’g’ri ko’rsatilgan javobni belgilang. a) Organik ifloslanishni yo’qotish va noorganik ifloslanishni yo’qotish; b) Moylardan xalos qilish, noorganik ifloslanishni yo’qotish , taglik sirtini tekislovchi yedirish; c) Noorganik ifloslanishni yo’qotish va taglik sirtini tekislovchi yedirish; d) To’g’ri javob varianti berilmagan; 36. Moylardan xalos qilish uchun organik erituvchilar sifatida foydalanuvchi moddalarni ko’rsating. a) Atseton; b) Toluol; c) Propil spirti; d) Barcha javob variantlari to’g’ri; Download 0.94 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|