Stoletov tajribalari. Fotoeffekt

16- §. Ichki fotoeffekt 
 
16.1. Ichki fotoeffekt;
16.2. Ichki fotoeffektning kvant chiqishi; 
16.3. Fotoo’tkazuvchanlik uchun asosiy xarakteristik munosabat;
16.4. Yarimo’tkazgichlarning fotoo’tkazuvchanligi:
16.5. Fotorezistorlar, fotoelementlar; 
16.6. 
n
p − o’tishdagi fotoeffekt; 
16.7. Dember effekti; 
16.8. Fotomagnitoelektr effekt (Kikoin-Noskov effekti); 
16.9. Fotoelementlar, fotoqarshiliklar;
16.10. Ichki fotoeffekt asosida ishlaydigan fotoelementlar.
1.Ichki 
fotoeffekt: 
Ma’lumki, yorug’lik 
ta’sirida modda sirtidan elektronlarning ajralib chiqishi 
va ularning boshqa muhitga, xususan vakuumga o’tish 
hodisasi fotoelektron emissiyasi deyiladi, hodisaning 
o’zi esa tashqi fotoeffekt deb ataladi. Bundan tashqari, 
ichki fotoeffekt deb ataladigan hodisa ham borki, u 
yarimo’tkazgichlarda va dielektriklarda kuzatiladi. 
Yarimo’tkazgichlar 
va 
dielektriklar 
tomonidan 
yorug’likning yutilishi turli xil kvazizarrachalarning –elektronlar, teshiklar, fononlar va 
boshqalarning tug’ilishiga olib keladi. Bu hodisalarning barchasini ichki fotoeffekt 
singari qarash mumkin. Biroq, fotoeffekt deyilganda faqat zaryad tashuvchilar – 
o’tkazuvchanlik elektronlarining va teshiklarining yorug’lik tufayli tug’ilishi nazarda 
tutiladi. Bunda ikki xil hodisalar: fotoo’tkazuvchanlik va foto - EYK ning paydo bo’lishi 
ro’y berishi mumkin. Ichki fotoeffektni 1873 yilda birinchi bo’lib, amerikalik fizik 
U.Smit selenni yorug’lik bilan yoritganda, uning qarshiligi o’zgarishini kuzatgan. Ichki 
fotoeffektda optik jihatdan uyg’otilgan elektronlar yoritilgan jism ichida qolaverib 
jismning elektr neytralligini buzmaydi. Bunda moddadagi zaryadlarning konsentratsiyasi 
yoki ularning harakatchanligi o’zgaradi, natijada tushayotgan yorug’lik nuri ta’sirida 
moddaning elektr xususiyatlari o’zgaradi. 
Ichki fotoeffekt faqatgina yarimo’tkazgichlar va dielektriklarda bo’ladi. Bunday 
fotoeffektni bir jinsli yarimo’tkazgichlarni yoritganda ularning o’tkazuvchanliklari 
o’zgarishidan aniqlash ham mumkin. Fotoo’tkazuvchanlik deb ataladigan bu hodisa 
asosida yorug’lik qabul qilgichlar, ya’ni fotorezistorlarning katta guruhi kashf qilingan 
va muttasil mukammallashtirilmoqda. Fotorezistorlarda asosan kadmiy selenidi CdSe  va 
sul’fidi CdS  qo’llaniladi. 
16.1-rasm. 

---