Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги абу райхон беруний номли тошкент

Назорат саволлари:

5. 
   Ярим ўтказгичли диодга таъриф беринг, унинг ВАХ ва параметрларини келтиринг.
   
6. 
   Шоттки диоднинг ишлаш тамойилини айтиб беринг.
   

Лаборатория иши № 6
Умумий база схемаси бўйича уланган биполяр транзистор тавсифини ўрганиш
Ишдан мақсад:
Умумий база схемаси билан уланган биполяр транзисторнинг кириш вольт-ампер характеристикалари туркумларини олиш ва ўрганиш.
Ишнинг қисқача назарияси
Биполяр (биқутбий) транзистор деб иккита ўзаро таъсирлашувчи р - n ўтишдан ташкил топган ярим ўтказгичли асбобга айтилади. Транзисторлар тузилиши ва ишлаш принципига қараб биполяр ва майдон транзисторларига бўлинади. Бипояр тразисторнинг ишлаши р-n ўтиш ҳодисасига, майдон транзисторларининг ишлаши эса бир турдаги ўтказувчанликка эга бўлган ярим ўтказгичдаги ток ташувчиларнинг электр майдони ёрдамида бошқа-ришга асосланган.
Биполяр транзисторлар структурасига қараб р-n-р ва n-р-n типли транзисторларга бўлинади. 6.1-расмда мазкур транзисторларнинг тузилиши ва схемада белгиланиши кўрсатилган.
Р-n-р ва n-р-n транзисторларни ишлаш принципи бир хил бўлиб, фақат схемага уланганда манба қутблари алмаштирилиб уланади. р-п-р транзис-торда асосий ток ташувчилар коваклар, п-р-п транзисторларда эса электрон-лар ҳисобланади.
Транзисторлар радиосхемаларда ишлатилганда унинг электродла-ридан бири занжирнинг кириш ва чиқиши учун умумий бўлган симга корпусга уланган бўлади. Шунга кўра транзисторларнинг уч хил уланиш схемаси мавжуд:

6.1-расм. Биполяр транзисторларнинг тузилиши: а) тўғри транзистор, б) тескари транзистор

1. Умумий базали уланиш схемаси.-УБ;

2. Умумий эмиттерли уланиш схемаси.-УЭ;
3. Умумий коллекторли уланиш схемаси.-УК.
УБ схема транзисторларнинг хусусиятларини текширишда қулай ҳисобланади. Шунинг учун транзисторларнинг характеристикалари кўпинча шу схема асосида текширилади ва қолган 2 та уланиш схемасига тадбиқ этилади. 6.2-расмда транзисторни учта уланиш схемаси кўрсатилган.

6.2-расм. транзисторни учта уланиш схемаси
УБ схемаси учун кириш статик характеристикаси бўлиб У_КБ = cонст бўлгандаги И_Э= ф (У_ЭБ) боғлиқлик, УЭ схемаси учун эса У_КЭ = cонст бўлгандаги И_Б=ф(У_БЭ) боғлиқлик ҳисобланади. Кириш характеристикалари- нинг умумий характери одатда тўғри йўналишда уланган p - n билан аниқланади. Шу сабабли ташқи кўринишига кўра кириш характеристиклари экспоненциал характерга эга .

Тразисторли схемаларни ҳисоблаш ва таҳлил қилиш учун транзистор характеристикаларидан фойдаланилади. Транзисторнинг характеристикаси деганда унинг кириш ва чиқиш занжирларидаги ток ва кучланишлар ораси-даги боғланишлар тушинилади.
Транзисторнинг УЭ уланиши схемасида коллектор кучланиши ўзгар-мас бўлганда база токининг И_б эмиттер-база орасидаги У_б-э кучланишга боғлиқлиги транзисторнинг кириш характеристикаси дейилади.
агарда У _к=const бўлса.
Транзисторнинг статик кириш характеристикасини олиш учун коллектор кучланишини маълум қиймати учун база кучланишини ўзгартириб база токи И_б ни қийматларини ўлчаб кириш характе-ристикаси олиш мумкин.