13 – laboratoriya ishi Mavzu: Emitter qaytargich sxemasini tadqiq etish. Ishni bajarishdan maqsad

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq: 
15.1-jadvaldagi ma'lumotlardan foydalanish: 
1. Rezistor bo'linuvchisini hisoblang. 
2. Uzatish xarakteristikasining tikligini istok qaytargichning qiymatinini hisoblang. 
3. Quyidagi fH chastotasiga asoslanib, C1, C2 kondansatorlarning sig'imini 
aniqlang. 
Nazorat savollari: 
1.Tranzistorning, tranzistorli kuchaytirgich bosqichining ekvivalent sxemasini 
chizing. 
2.Kuchaytirgichning 
kirish va chiqish qarshiligini
, kuchlanishi, tok va quvvat 
bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentlarini o‘lchang (aniqlang). 
3.Tranzistorli kuchaytirgich bosqichida signal buzilishining paydo bo‘lish sabablari. 
Maydoniy tranzistorda yasalgan istok qaytargichi sxemasini tadqiq qilish, NI 
Multisim dasturiy muhiti yordamida differensial parametrlarini o’lchash, dinamik 
xarakteristikalarini tahlil qilish. 

---

15.1-rasm 
istok qaytargich sxemasi
Sxemaning NI Multisim dasturiy muhitida yig’ilgan holati 
16-laboratoriya ishi 
Mavzu: Umumiy istokli maydonli tranzistorni tekshirish 
Ishni bajarishdan maqsad: maydonli tranzistorlarning ishlashi va 
xarakteristikalarini olishni o‘rganish. 
Boshlang‘ich ma’lumotlar 
 
Maydonli tranzistorlar dastlab unipolyar tranzistorlar deb atalgan, chunki ularda 
faqat bir xil turdagi asosiy tashuvchilar — elektronlar yoki teshiklar bo‘ladi. Bunday 
tranzistorlarda injeksii va diffuziya jarayonlari amalda yo‘q, bo‘lsa ham asosiy rolni 
o‘ynamaydi. Ularda tashuvchilarning asosiy harakatlanish usuli elektr maydonidagi 
dreyfdir. 
O‘zgarmas elektr maydonida yarimo‘tkazgichdagi tokni boshqarish uchun 
yarimo‘tkazgichli qatlamning solishtirma qarshiligi yoki maydonini o‘zgartirish 
kerak. Amalda ikkala usul ham qo‘llaniladi, ular maydon effektiga (zatvordagi 
kuchlanish bilan boshqarish) asoslangan. SHuning uchun unipolyar tranzistorlar 

---

odatda maydonli tranzistorlar deb ataladi. Ulardagi tok o‘tkazuvchi qatlam kanal deb 
ataladi. Bundan unipolyar tranzistorlarning yana bir nomi – kanalli tranzistorlar 
kelib chiqqan.
Kanallar yuzaviy (sirtida joylashgan) yoki hajmiy bo‘lishi mumkin. YUzaviy 
knallar dielektrikdagi donor kiritmalarning mavjudligi bilan belgilanuvchi 
to‘yintirilgan qatlamlar yoki tashqi maydon ta’sirida hosil bo‘luvchi inversion 
qatlam ko‘rinishida bo‘lishi mumkin. Hajmiy kanallar Hajmiy kanallar bir jinsli 
uchastkalar bo‘lib yarimo‘tkazgichning yuzasidan kambag‘allashtirilgan qatlam 
bilan ajratilgan bo‘ladi. 
Hajmiy kanalli tranzistorlarda kambag‘allashtirilgan qatlam p-n o‘tish yordamida 
hosil qilinadi. SHuning uchun ularni p-n o‘tishli maydonli tranzistorlar yoki
qisqacha maydonli tranzistorlar deb ataydilar. Bunday tranzistorlarning tavsifini 
birinchi marta SHokli 1952 yilda bergan. EWB dasturida ularning p-kanalli va r-
kanalli namunalari berilgan (1-rasm, a va b ). Rasmda 1 — zatvor (gate) — 
boshqaruvchi elektrod; 2 — istok (source)— asosiy tashuvchilarning harakatlanishi 
boshlanadigan elektrod (p-kanallida — elektronlar, r-kanallida — g‘ovaklar); 3 — 
stok (drain) — tashuvchilarni qabul qiluvchi elektrod.
16.1-rasm. Boshqaruvchi p-n o‘tishli p-kanalli (a) va r-kanalli (b) maydonli 
tranzistorlar 
 
Bipolyar tranzistorlarga o‘xshash tarzda maydonli tranzistorlarning ham uch 
turdagi ulanish sxemalarini ajratib ko‘rsatish mumkin: umumiy zatvorli (U3), 
umumiy istokli (UI) va umumiy stokli (US).