Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

Steatit — talk 3MgO · 4SiO
2
· H
2
O asosida olinadigan kerami-
kaning bir turidir. Steatitning elektr izolatsion xossalari yuqori,
 = 10.
Kondensator ishlab chiqarishda  qiymati yuqori (10000 va
undan yuqori) bo‘lgan keramika materiallari qo‘llaniladi. Sig‘im
uncha katta bo‘lmagan (1000 pF dan kichik) yuqori chastota
kondensatorlarida, odatda, = 10—100 bo‘lgan materiallar qo‘l-
laniladi. Agar material tarkibida titan ikki oksidi TiO
2
(rutil) yoki
kalsiy titani Ca TiO
3
(peroksid) mavjud bo‘lsa, ular T harfi bilan,
yoki stirkon St harfi bilan belgilanadi.
Bu materiallarda dielektrik yo‘qotishlar past chastota-
dan yuqori chastotagacha bo‘lgan barcha diapazonda kichik
(tg =10
-4
—10
-2
) bo‘lib, uning tarkibiga TKl = (—1500—100)·10
-6
K
-1

---

74
bog‘liq bo‘ladi. Yuqori temperatura termota’sir mavjud bo‘lganda
kichik TKl ga ega bo‘lgan kardiyerit 2MgJ · 2 · 5SiO
2
(TKl

3 · 10
-6
K
-1
), sirkon ikki oksidi ZrO
2
(TKl

4·10
-6
K
-1
), aluminiy titani
TiO
2
(TKl

0,1·10
-6
K
-1
) kabi keramikaning maxsus turlari qo‘l-
laniladi.
Ba’zi metallarning sof oksidlari juda yuqori issiqlikka bardoshli
bo‘lib, yuqori issiqlik o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladilar. Ularga
berilliy oksidi BeO, magniy oksidi MgO va aluminiy oksidi Al
2
O
3
kiradi. BeO (brokerit) keramika yuqori quvvatli tranzistorlar va
mikrosxemalarning asosini ishlab chiqarishda qo‘llaniladi.
Gibrid IMS asoslarini yasashda qo‘llaniladigan materiallar.
Gibrid IMS (yoki GIS) — passiv pardali elementlar (rezistor-
lar, kondensatorlar, induktivlik g‘altaklari) va diskret faol kompo-
nentlar (diodlar, tranzistorlar, tiristorlar)dan tashkil topgan mikro-
sxema bo‘lib, ular yagona dielektrik asosda joylashadi. GIS ishlab
chiqarish konstruksiyasi va texnologiyasi loyihalashtirilayotganda
4.6-rasm. Ba’zi keramika elektroizolatsion materiallarning solishtirma
hajmiy qarshiligi  ning temperaturaga bog‘liqligi:
1—farfor; 2—steatit; 3—aluminoksid.
10
2
0
500
T,°C
10
6
10
10
10
14
3
2
1
,  · m

---

75
asosning to‘g‘ri tanlanishi mikrosxemaning elektr va eksplua-
tatsion parametrlarini to‘g‘ri tanlanishini ta’minlaydi. Eng keng
tarqalgan texnologiya yupqa pardali texnologiya bo‘lib, unda izola-
tsiyali asosda pardalar hosil qilinadi. Bunday mikrosxemalarda asos
quyidagi funksiyalarni bajaradi:
a) yupqa pardali elementlar hosil qilinadigan asos;
b) yupqa pardali mikrosxema elementlarini bir-biridan izola-
tsiyalaydi;
d) mikrosxema konstruksiyasida issiqlik qaytaruvchi element
vazifasini bajaradi.
Yupqa pardali mikrosxema asoslariga quyidagi talablar qo‘yiladi:
a) silliq va tekis sirt;
b) yuqori hajmiy va sirt qarshiligi;
d) yuqori elektr mustahkamlik;
e) yuqori issiqlik o‘tkazuvchanlik;
f) pardalarga kimyoviy inertlik;
g) mexanik pishiqlik;
h) maksimal ishchi pishiqlik;
i) kichik tannarx;
j) vakuumda yuqori gazsizlanish xususiyati.