Тошкент ахборот технологиялари университети самарқанд филиали

ЎЮЧ биполяр транзистор тузилмаси. Барча ЎЮЧ БТлар планар-эпитаксияли тузилмага эга (5.11-расм). Тузилманинг энг муҳим критик ўлчамлари – эмиттер S ва база L_Б кенглигидан иборат. Замонавий транзисторларда S 1 мкм, L_Б – бир неча микрометр бўлиб, унинг қаршилиги катта бўлади. База токининг катта қийматида база соҳаси қаршилигида база кучланиш пасайиши катта бўлади. База электроди Б эмиттер электроди Э ни қуршаб олган. Шу сабабдан ЭЎнинг марказидаги тўғри кучланиш қиймати унинг чегарларидаги тўғри кучланиш қийматидан кичик бўлади. Натижада, р-n ўтишдан ўтаётган ток асосан, эмиттернинг чеккала-ридан оқади (эмиттер токини унинг чеккаларига силжитиш эффекти). Эмиттер узунлиги ортиши билан БТнинг катта ток ўтказиш имконияти кенгаяди. Шунинг учун бир-бирига қарши жойлашган қозиқсимон, кўп эмиттерли ва ячейкали конфигурацияли катта қув-ватли ЎЮЧ транзисторда эмиттер периметрининг унинг юзасига нисбати катта қийматга эга бўлади.

5.11-расм. ЎЮЧ БТ тузилмаси.

ЎЮЧ биполяр транзисторлар параметрлари. Асосий параметрлар бўлиб ишчи частота , қувват бўйича кучайтириш коэффициенти К_Р, чиқишдаги қувват Р_ЧИҚва шовқин коэффициенти К_Шҳисобланади. ЎЮЧ БТлар қуйидаги параметрларга эга: К_U = 9,5 дБ;  = 1 ГГц бўлганда К_Ш= 1,3÷3 дБ ва  = 7 ГГц бўлганда К_Ш = 2 дБ.
Улар радиолокация, сунъий йўлдош орқали алоқа, радиореле тизимларида кучайтиргич сифатида ишлатилади.


Транзистор тешилиши ва унинг барқарор ишлаш соҳасини кенгайтириш усуллари

БТларда икки турдаги электр тешилишлар кузатилади: бирламчи ва иккиламчи.