A. X. Rasijlov, K. G. Baxadirov materialshunoslik va konstruksion
Download 6.21 Mb. Pdf ko'rish
|
Nurmurodov S.D. Materialshunoslik va konstruksion materiallar texnologiyasi
|
3
4 1.6-rasm. Real kristall panjaraning nuqsonli tuzilishi. Metallning atomlari siljigan sohasi bilan atomlari siljimagan sohasi orasidagi chegara dislokatsiya deb ataladi. Metallaming mustahkamligi va plastikligi, qattiq holatidagi fazaviy hamda 14 strukturaviy o ‘zgarishlari dislokatsiyalar nazariyasidan foydaSanilgan holda juda yorqin yoritilishi mumkin. Dislokatsiya kristall panjaradagi boshqa turdagi nuqsonlardan o ‘zining tabiatiga ko‘ra keskin farq qiluvchi maxsus turdagi nomukammallik hisoblanadi. Real kristallar- da chiziqli dislokatsiyaning ikki turi mavjud. Kristall yuzasidagi hamma vakansiyalar to‘planib nuqsonlar yig‘indisi halqasini hosil qiladi. Mana shu halqa yuzasiga tik tekisliklardagi atomiaming tartibli joylashi geometriyasi biroz buziladi-chetki dislokatsiya hosil boMadi. 1.7-rasm. Kub panjarali chekka dislokatsiya: strelka - siljish vektori Siljish natijasida kristall yuqori qismida ortiqcha yarim tekislik hosil boMadi. Bu yarim tekislik elektrotekislik deb nomlanadi. Elektrotekislik chekkalari bo‘ylab nomukammal panjarali soha tortilgan boMib, elektrotekislik chekkasi yuqorisida atomlararo masofa normal qiymatlaridan kichik (atomiaming quyuqlashgan sohasi), pastki qismida esa katta (atomiaming siyraklashgan sohasi). Elektrotekislik chekkasi atrofidagi kristalldagi nomukammallik sohasi chekkadagi dislokatsiya deyiladi. Chekkadagi dislokatsiya chizigM siljish vektoriga perpendikular boMadi. Chekka dislokatsiyani shartli ravishda, agar u ekstrotekislik yuqorisida joylashgan boMsa, musbat va aksincha pastki qismida boMsa manfiy deyiladi. Ikkinchi turdagi dislokatsiya vintsimon dislokatsiya boMib, u kristallda tilik qilingan boMsa va kristallning bir qismi ikkinchi qismiga nisbatan bir atomlar aro masofaga pastga siljigan hollarda namoyon boMadi. Vakansiya to ‘plangan joydagi normal yo‘nalish bo‘yicha siljish natijasida hosil boMgan dislokatsiya vintsimon dislokatsiya deb ataladi. Kristallda bir atom tekislikka siljish natijasida gelikoid ko‘rinishidagi burilish (vintsimon narvon) supacha hosil boMadi. Chekka dislokatsiyadan 15 farqli ravishda vintsimon dislokatsiya birinchidan siljish vektoriga parallel, ikkinchidan esa u siljish vektorini aniqlamaydi. Y a’ni vintsimon dislokatsiya istalgan tekislik bo'ylab siljishda hosil bo‘lishi mumkin. Kristallarning 1 sm2 yuzini kesib o ‘tgan dislokatsiya soni dislokatsiya zichligi deb ataladi. Sekin kristallangan jismlarda dislokatsiya zichligi 102—104 sm'2 ga, muvozanatdagi polikristallarda dislokatsiya zichligi 106—10' sm'2 ga teng boMadi. Puxtalash natijasida dislokatsiya zichligi 1010- 1 0 12 sm' gayetadi. Qotishma tarkibi deganda, uni tashkil etuvchi kimyoviy elementlar tushuniladi. Tuzilishi deganda, ko‘z yoki lupa yordamida ko‘rib bo‘ladigan makrotuzilish, mikroskoplar (1.9-rasm) yordamida kuzatiladigan mikrotuzilish, 100 ming marta katta qilib ko‘rsatadigan elektron mikroskoplarda yoki rentgen nurlari ta’sirida o‘rganiladigan supmikroskopik tuzilish tushuniladi. Xossalari deganda, kimyoviy, fizik, mexanik va texnologik xossalari tushuniladi. 1.9-rasm. М И М -7 М mikroskopL 16 |
