Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

2.5. TTM elementlərinin cəldliyinin artırılması üsulları 
TTM elementlərinin cəldliyi əsasən bipolyar tranzistorların və yükün 
ətalətliliyi ilə müəyyən olunur. Yükün parametrləri ilə əlaqədar olan ətalətlilik 
konkret sxemdən və məntiq qurğusunun konstruksiyasından asılıdır. TTM 
elementlərinin tezlik xüsusiyyətləri ilə əlaqədar ətalətlilik sxem texnikasını və 
elementlərin iş rejimini dəyişməklə azaldıla bilər. Bipolyar (dreyf tran.) 
tranzistorların çevrilmə proseslərinin təhlili göstərir ki, tranzistor açarlarının 
ətalətliliyinin əsas səbəbləri onun kollektor tutumunun yenidən dolması və 
qeyri-əsas yükdaşıyıcıların baza oblastından sorulması müddətidir. Bu 
parametrlər həm tranzistorların hazırlanma texnologiyası ilə, həm də onların 
açar sxemindəki iş rejimləri ilə müəyyən edilir.
Kollektor tutumunun yenidən dolması ilə əlaqədar çevrilmə müddətinin 
azaldılması kollektor yükünün müqavimətinin azaldılması ilə əldə edilə bilər. 
Doğrudan da, kollektor gərginliyinin dəyişmə sürətini müəyyən edən sabit 
zaman müddətinin cəmi 

çev
= 
R
k
C
KB
ifadəsi ilə təyin edilir. R
k
müqavimətinin azaldılması 

çev
-ni azaldır və beləliklə 
də, tranzistorun kollektor cərəyan və gərginlinin dəyişmə müddəti azalmış olur. 
Bu üsul açarın işləmə cəldliyini artırmaqla yanaşı doymuş tranzistordan axan 

---

51
kollektor cərəyanını artırır. Bu isə elementin səpələnmə gücünü artırır. 
Göründüyü kimi, kondensatorun yenidən dolması müddətini qısaltmaqla 
elementin cəldliyinin artırılması zamanı elementdə sərf olunan güc artmış olur. 
Sorulma müddətinin azaldılması üçün Şotki diod və tranzistorlarından 
istifadə edilir. Bipolyar tranzistor açarlarında, qeyri-əsas yükdaşıyıcıların baza 
oblastından sorulması ilə əlaqədar ətalətliliyin azaldılmasının daha radikal üsulu 
tranzistorun doymamış rejimindən istifadə edilməsinə əsaslanmışdır. Bu, 
kollektor keçidini Şotki diodu ilə şuntlamaqla əldə edilir. 
Şotki diodu tranzistorun p-n keçidinə nəzərən daha kiçik açılma 
gərginliyinə malik olur. Odur ki, giriş impulsunun təsiri zamanı Şotki diodu 
tranzistorun kollektor keçidinə nəzərən daha tez açılır və tranzistorun baza 
oblastında artıq yüklərin toplanmasına imkan vermir. Şotki diodunda yüklərin 
toplanması baş vermir, çünki dioddakı cərəyan əsas yükdaşıyıcıların 
köçürülməsi ilə baş verir. Beləliklə, tranzistorun kollektor keçidinə paralel 
qoşulan Şotki diodu, doyma giriş gərginliyi verilən halda, kollektor-baza 
gərginliyini avtomatik olaraq sıfır səviyyəsinə yaxın olan səviyyədə qeyd edir. 
Bu halda tranzistor doyma rejiminə keçmir, onun sərhədində işləyir. 
Aktiv rejimdə tranzistorun Şotki diodu ilə birgə işi onun keçidlərində 
gərginliyi artırır, bu isə güc sərfini bir qədər azaldır, «0» və «1» məntiq 
səviyyələrini (asimptotik səviyyələri) dəyişdirir. 
İşləmə cəldliyinin artırılmasının digər üsulu ikitaktlı güc gücləndiricisində
tərkibli tranzistorun qoşulmasına əsaslanmışdır (şəkil 2.7). Bu halda giriş 
kaskadı «VƏ» məntiq əməliyyatını yerinə yetirir. Bu elementdə «VƏ» məntiq 
əməliyyatı VD
1
, VD
2
, …, VD
2n-1
, VD
2n
diodlarında yaradılan açarlardan istifadə 
etməklə təmin edilir. Elementin bütün girişlərinə yüksək səviyyəli gərginlik 
verdikdə giriş diod açarlarının cüt saylı diodları VD
2
,.. VD
2n
əks istiqamətdə 
sürüşürlər. Odur ki, R1 rezistorunun cərəyanı VT1 və VT5 tranzistorlarını 
doydurur və elementin çıxışında aşağı səviyyəli siqnal formalaşdırır. 
Şəkil 2.7. Şotki dioduna malik TTM elementinin prinsipial elektrik sxemi. 

---

52
Girişlərdən birinə aşağı gərginlik verilən halda uyğun diod düz 
istiqamətdə sürüşür. R1 rezistorunun cərəyanı VT1 və VT5 tranzistorlarının 
emitter keçidlərindən yan keçərək ümumi şinə qapanır. Tranzistorlar bağlanır. 
Bu zaman R2 rezistorunun cərəyanı VT4
1
və VT4 tərkibli tranzistoru doydurur 
və çıxışda yüksək səviyyəli gərginlik formalaşdırır. 
Bu elementdə onun giriş ucları bilavasitə qida mənbəyi şininə qoşula 
bilər. Standart elementlər üçün isə bu hal mümkün deyil.