Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi
Download 5.01 Kb. Pdf ko'rish
|
2014-2730 (2)
- Bu sahifa navigatsiya:
- 2.4. TTM baza İMS-lərin tərkibi, sxemotexnikası və işləmə prinsipi
2.3. Baza ME-nin təsnifatı
Hazırda İMS aşağıdakı strukturlar əsasında yaradılır: - tranzistor-tranzistor məntiqli; - emitter əlaqəli məntiqli; - inteqral-injeksiyalı məntiqli; 44 - eyni tipli sahə tranzistor məntiqli; - komplementar sahə tranzistor məntiqli. Hazırda tranzistor-tranzistor məntiqli (TTM) struktura malik İMS daha geniş yayılmışlar. Onlar orta cəldliyə və orta enerji sərfinə malikdirlər. Emitter əlaqəli məntiqli İMS daha cəld işləyirlər, lakin onların sərf etdikləri enerji TTM-lərə nəzərən çoxdur. Onların sxemotexniki həllərinin çevikliyi mürəkkəb məntiq funksiyalarını asanlıqla yaratmağa imkan verir. İnteqral-injeksiyalı məntiqli (İ 2 M) İMS BİS-də istifadə etmək üçün yaradılmışdır. Bu İMS -n vahid həcmindəki elementlərin sıxlığı TTM və ESM İMS-lərə nəzərən daha yüksəkdir. Qida gərginliyi aşağıdır və TTM İMS-lərlə razılaşması çox sadədir. Bu İMS-lərin cəldliyini sərf olunan gücü dəyişməklə geniş diapazonda tənzimləmək olar. Sahə tranzistorlarında yaradılan İS-lər az güc sərf edirlər, onların vahid həcmdəki sıxlığı böyükdür, ölçüləri kiçikdir, hazırlanma texnologiyası daha sadədir. İşləmə cəldliyi hələlik bipolyar tranzistorlardan aşağıdır. Yaxın gələcəkdə onların, xüsusən də komplementar sahə tranzistorlu İMS-lərin istehsalı və tətbiqi daha kütləvi xarakter alacaqdır. 2.4. TTM baza İMS-lərin tərkibi, sxemotexnikası və işləmə prinsipi TTM seriyasına daxil olan İMS-in çoxu sxemotexniki cəhətdən «VƏ - YOX» (Şeffer ştrixi) və «VƏ YAXUD» (genişləndirici) kimi iki baza sxeminin kombinasiyası əsasında yaradılır. «VƏ-YOX» elementi ardıcıl qoşulmuş üç kaskaddan: bazasına R1 rezistoru qoşulmuş çoxemitterli tranzistor və diodlardan ibarət və «VƏ» məntiq əməliyyatını yerinə yetirən giriş kaskadından; VT2 tranzistoru, R2 rezistoru və R3, R4 və VT3 elementlərində yaradılan qeyri-xətti korreksiya dövrəsi daxil olan faza ayırıcı kaskaddan və VT4 və VT5 tranzistorları, R5 rezistoru, VD n diodu daxil olan ikitkatlı çıxış gücləndirici kaskaddan ibarətdir (şəkil 2.2). «VƏ-YOX» elementinin iş prinsipi aşağıdakından ibarətdir. Fərz edək ki, elementin heç olmasa bir girişi bilavasitə ümumi şinə qoşulmuşdur, yəni ona «0» səviyyəli siqnal verilmişdir. Bu halda çoxemitterli VT1 tranzistoru R1 rezistoru vasitəsilə mənbədən axan cərəyanla doymuş vəziyyətdədir. Onun kollektorundakı gərginlik «sıfır» gərginliyindən az fərqlənir. Odur ki, faza ayırıcısının VT2 tranzistoru bağlı vəziyyətdədir. VT2 tranzistorunun emitter cərəyanı sıfıra bərabər olduğundan VT5 tranzistoru da bağlı vəziyyətdə olur. R2 rezistorundan axan cərəyan VT4 tranzistorunun bazasına axır və onu doydurmağa çalışır. Bu halda VT5 tranzistorunun kollektorunda, yəni məntiq elementinin çıxışında 45 U 1 çıx =U q -İ çıx R 5 -U ke VT4 -U VDn ifadəsi ilə təyin olunan yüksək potensial yaranır. Beləliklə, sxemin istənilən girişlərindən birində aşağı səviyyəli gərginlik olduqda, onun çıxışında yüksək səviyyəli gərginlik alınır. Şəkil 2.2. «Və - yox» TTM elementin prinsipial elektrik sxemi Fərz edək ki, sxemin bütün girişlərinə eyni zamanda yüksək səviyyəli gərginlik verilir. Bu halda çoxemitterli tranzistorun bütün emitter keçidləri bağlı vəziyyətdə olur və onun kollektor keçidi düz istiqamətdə sürüşür. Bu zaman R1 rezistorundan, VT1 tranzistorunun kollektor keçidindən və VT2 və VT5 tranzistorlarının ardıcıl qoşulmuş emitter keçidlərindən ibarət dövrə ilə cərəyan axacaqdır. Bu cərəyan VT2 və VT5 tranzistorlarını doydurur və nəticədə elementin Y çıxışında aşağı səviyyəli gərginlik qərarlaşır. Bu gərginlik qiymətcə VT5 tranzistorunun doyma gərginliyinə bərabərdir: U 0 çıx = U KE VT5 =Ş çıx r çıxVT5 . VT2 tranzistoru doymuş olduğundan onun kollektorundakı gərginlik iki ardıcıl qoşulmuş p-n keçidlərinin (VT4 tranzistorunun emitter keçidi və VD n ) düzünə sürüşməsi üçün lazım olan gərginliyi təmin edə bilmir. VT4 tranzistoru bağlıdır. Beləliklə, əgər sxemin bütün girişlərində yüksək səviyyəli gərginlik olarsa, sxemin çıxışında aşağı səviyyəli gərginlik olacaqdır. Müsbət məntiq halında «VƏ-YOX» elementinin təsvir olunan iş alqoritmi «VƏ-YOX» əməliyyatını yerinə yetirir: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling