Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

2.7. İnteqral-injeksiyalı baza məntiq elementləri 
 
Elektron baza elementlərinin inteqral sxemlər şəklində hazırlanma 
texnologiyasını sadələşdirmək üçün onların ancaq bit növ elementdən təşkil 
olunan sxemotexniki həllindən istifadə etmək lazım gəlir. Bu məqsədlə Philips 
və İBM firmaları tərəfindən eyni zamanda inteqral injeksiyalı məntiq (İ
2
M) 
elementlər yaradılmışdır. İ
2
M elementlərin xüsusiyyətləri aşağıdakılardır: 
- 
elektrik sxemlərində rezistorların olmaması 
İS istehsal 
texnologiyasını kəskin sadələşdirir; 
- tranzistorlardan birinin strukturunu əmələ gətirən yarımkeçirici oblasta 
cərəyanın injeksiya olunmasına imkan verən cərəyan qidalanmanın prinsipindən 
istifadə olunması (İS-ə gərginlik yox, cərəyan verilir); 
- müxtəlif tranzistorlara aid olan oblastların yarımkeçirici kristalın 
həcmində həm üfüqi, həm də şaquli istiqamətdə müstəvi boyunca yerləşdirilə 
bilməsi (bu cür həll müxtəlif sxem elementlərinə aid olan oblastların ayrılması 
üçün lazım olan xüsusi tədbirlərə ehtiyac qalmır); 
- məntiq səviyyələri arasındakı gərginlik fərqinin kiçik qiyməti elementin 
cəldliyinin maksimum artırmağa imkan verir; 
- injektor cərəyanını geniş diapazonda dəyişməklə elementin cəldliyini 
dəyişmək olur.
İ
2
M elementlərin hazırlanma topologiyasından bir kəsik və ona uyğun 
prinsipial elektrik sxemi şəkil 2.10-da göstərilmişdir. 
Şəkil 2.10. Topologiyanın kəsiyi (a) və İ
2
M baza ME-nin elektrik sxemi (b) 
Sxemdəki çoxkollektolu VT2 tranzistoru giriş siqnalını inversləşdirmə, 
VT1 tranzistoru isə VT2 tranzistorunun baza cərəyanı generatoru (injektoru) 
funksiyasını yerinə yetirir. İnjektorun cərəyanı qrup elementlər üçün ümumi 
olan R rezistoru vasitəsi ilə verilir. Şəkildən görünür ki, VT1 tranzistoru planar, 
VT2 tranzistoru isə şaquli struktur üzrə yaradılır. VT2 tranzistorunun kollektor 
sahələri emitter sahəsindən az olduğundan bu tranzistor, mahiyyətcə invers 
rejimdə işləyir və onun doyma gərginliyini aşağı salır. Bu səbəblər üzündən 
göstərilən İ
2
M elementini TTM sxem-lərdə olan bir çoxemitterli tranzistorun 
tutduğu sahədə yerləşdirmək mümkün olur. 

---

55
İnjektorun cərəyanını 1nA-dən 1mA-ə qədər (6 tərtib) dəyişmək olur. 
Verilmiş sxemdə elementin çevrilmə enerjisi sabit kəmiyyət olduğundan, 
sxemotexniki dəyişiklik aparmadan, elementin cəldliyini də bu tərtibdən 
dəyişmək olar.  
İ
2
M elementin işləmə prinsipi aşağıdakı kimidir. Fərz edək ki, elementin 
girişində, yəni VT2 tranzistorunun bazasında, xarici siqnal yoxdur, yəni giriş 
siqnalı “1” məntiq səviyyəsinə uyğundur. Bu halda injektor cərəyanı VT2 
tranzistorunun bazasına axaraq onu doyma rejiminə keçirir. Onun 
kollektorlarında, o cümlədən elementin çıxışların-da, VT2 tranzistorunun doyma 
gərginliyinə (0,1...0,2V) bərabər olan, aşağı səviyyəli gərginlik olur.  
Əgər VT2 tranzistorunun bazası bilavasitə və ya doymuş tranzistor 
vasitəsi ilə ümumi şinə qoşulubsa, U
gir
BE0
şərti yerinə yetirilir və VT2 
tranzistoru bağlı olur (çünki injektor cərəyanı ümumi şinə qapanır). Bu halda 
onun kollektorlarındakı gərginlik xarici dövrələrlə təyin olunur. Bir neçə 
invertorun ardıcıl qoşulması zamanı bu gərginlik sonrakı tranzistorun emitter 
gərginliyinə bərabər olur. Beləliklə, İ
2
M elementi üçün 
 
U
0
=0,1...0,2V; U
1
=0,6...0,7V 
qiymətləri kifayət edir. Buradan görünür ki, elementin məntiq səviyyələri
arasındakı gərginlik fərqi 0,4...0,6 V təşkil edir. 
Bu sxemdən istifadə etməklə “Və-Yox” və “Və-ya-Yox” əsas məntiq 
elementləri yaradıla bilər. Şəkil 2.11-də 3 İ
2
M invertorunda qurulan məntiq 
sxemi göstərilmişdir. 
Şəkil 2.11. 2Və-Yox və 2Və-ya-Yox məntiq əməliyyatlarını
yerinə yetirən I
2
M məntiq elementi